深入解析 onsemi NVMFS5C628NL 功率 MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來詳細(xì)解析 onsemi 推出的 NVMFS5C628NL 單通道 N 溝道功率 MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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一、產(chǎn)品概述

NVMFS5C628NL 是 onsemi 旗下一款高性能的功率 MOSFET，具備 60V 的耐壓能力和 150A 的連續(xù)漏極電流，采用 DFN5/DFNW5 封裝，憑借其出色的性能和緊湊的設(shè)計(jì)，在眾多電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。

（一）主要參數(shù)

（二）產(chǎn)品特性

1. 緊湊設(shè)計(jì)：采用 5x6 mm 的小尺寸封裝，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了可能，適用于對空間要求較高的應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通損耗：低 (R_{DS(on)}) 特性能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 低驅(qū)動(dòng)損耗：低 (Q_{G}) 和電容特性有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗，提升整體性能。
4. 可焊側(cè)翼選項(xiàng)：NVMFS5C628NLWF 具備可焊側(cè)翼選項(xiàng)，增強(qiáng)了光學(xué)檢測能力，便于生產(chǎn)制造。
5. 汽車級認(rèn)證：通過 AEC - Q101 認(rèn)證，并且支持 PPAP，適用于汽車電子等對可靠性要求較高的領(lǐng)域。
6. 環(huán)保合規(guī)：該器件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

二、電氣特性

（一）關(guān)斷特性

• V(BR)DSS（漏源擊穿電壓）：在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 的條件下，最小值為 60V。
• IDSS（零柵壓漏極電流）：在 VGS = 0 V，VDS = 60 V 的條件下，25°C 時(shí)為 10 μA，125°C 時(shí)為 250 μA。
• IGSS（柵源泄漏電流）：在 VDS = 0 V，VGS = 20 V 的條件下，最大值為 100 nA。

（二）導(dǎo)通特性

• VGS(TH)（柵極閾值電壓）：在 VGS = VDS，ID = 135A 的條件下，范圍為 1.2 - 2.0 V。
• RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）：VGS = 10V，ID = 50A 時(shí)，典型值為 2.0 mΩ，最大值為 2.4 mΩ；VGS = 4.5 V，ID = 50A 時(shí)，典型值為 2.6 mΩ，最大值為 3.3 mΩ。
• gFS（正向跨導(dǎo)）：在 VDS = 15 V，ID = 50A 的條件下，典型值為 110 S。

（三）電荷與電容特性

• CISS（輸入電容）：在 VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 25 V 的條件下，典型值為 3600 pF。
• C OSS（輸出電容）：典型值為 1700 pF。
• C RSS（反向傳輸電容）：典型值為 28 pF。
• Q G(TOT)（總柵極電荷）：VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 50 A 時(shí)，為 24 nC；VGS = 10 V，VDS = 48 V，ID = 50 A 時(shí)，為 52 nC。

（四）開關(guān)特性

在 (V{GS}=10 ~V)，(V{DS}=48 ~V)，(I{D}=50 ~A)，(R{G}=2.5 Omega) 的條件下：

• td(ON)（開啟延遲時(shí)間）：典型值為 10 ns。
• tr（上升時(shí)間）：典型值為 55 ns。
• td(OFF)（關(guān)斷延遲時(shí)間）：典型值為 37 ns。
• tf（下降時(shí)間）：典型值為 8.5 ns。

（五）漏源二極管特性

• VSD（正向二極管電壓）：VGS = 0V，IS = 50A，25°C 時(shí)，范圍為 0.8 - 1.2 V；125°C 時(shí)，為 0.75 V。
• RR（反向恢復(fù)時(shí)間）：在 (V_{GS}=0 ~V)，(dI_s / dt = 100 ~A / mu s)，IS = 50 A 的條件下，典型值為 55 ns。
• QRR（反向恢復(fù)電荷）：典型值為 60 nC。

三、熱阻特性

需要注意的是，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，它們并非常數(shù)，僅在特定條件下有效。

四、典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

1. 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
2. 傳輸特性曲線：體現(xiàn)了不同結(jié)溫下，漏極電流與柵源電壓的關(guān)系。
3. 導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系曲線：清晰地顯示了導(dǎo)通電阻隨柵源電壓的變化情況。

這些曲線對于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中評估 MOSFET 的性能和選擇合適的工作點(diǎn)具有重要的參考價(jià)值。

五、產(chǎn)品訂購信息

同時(shí)，文檔中也列出了部分已停產(chǎn)的器件型號，工程師在選擇時(shí)需要注意。

六、機(jī)械尺寸

文檔詳細(xì)給出了 DFN5 和 DFNW5 兩種封裝的機(jī)械尺寸圖和具體尺寸參數(shù)，包括長度、寬度、高度等，為 PCB 設(shè)計(jì)提供了精確的參考。

七、總結(jié)與思考

onsemi 的 NVMFS5C628NL 功率 MOSFET 憑借其出色的性能、緊湊的設(shè)計(jì)和豐富的特性，在眾多電子應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮其電氣特性、熱阻特性等參數(shù)，合理選擇工作點(diǎn)，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。

大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享交流。