深入解析 onsemi NVMFS6H800NL N 溝道功率 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們將深入探討 onsemi 公司的 NVMFS6H800NL 這款 80V、1.9mΩ、224A 的單 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品特性

緊湊設(shè)計(jì)

NVMFS6H800NL 采用 5x6mm 的小尺寸封裝，這對(duì)于追求緊湊設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。在如今對(duì)產(chǎn)品體積要求越來(lái)越高的市場(chǎng)環(huán)境下，小尺寸封裝能夠有效節(jié)省 PCB 空間，使設(shè)計(jì)更加靈活。

低損耗特性

• 低導(dǎo)通電阻：其低 (R_{DS(on)}) 特性可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高電路的效率。在高功率應(yīng)用中，降低導(dǎo)通損耗意味著減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
• 低柵極電荷和電容：低 (Q_{G}) 和電容能夠減少驅(qū)動(dòng)損耗，降低驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度和功耗。這對(duì)于提高整個(gè)系統(tǒng)的效率和性能非常關(guān)鍵。

可焊性與質(zhì)量保證

• 可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)：NVMFS6H800NLWF 提供可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)，這有助于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的效果，提高生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制。
• 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證：該器件通過(guò)了 AEC - Q101 認(rèn)證，并且具備 PPAP 能力，適用于汽車(chē)電子等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。
• 環(huán)保特性：產(chǎn)品無(wú)鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

最大額定值

電壓與電流額定值

功率與溫度額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱阻額定值

熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標(biāo)，實(shí)際應(yīng)用中，整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，這些值僅在特定條件下有效。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250 mu A) 時(shí)為 80V，其溫度系數(shù)為 36mV/°C。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T{J}=25^{circ}C) 時(shí)為 10 mu A，(T_{J}=125^{circ}C) 時(shí)為 250 mu A。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=±20V) 時(shí)為 100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V_{GS(TH)}) 及其溫度系數(shù)有相應(yīng)規(guī)定。
• 導(dǎo)通電阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=50A) 時(shí)為 1.9mΩ；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=50A) 時(shí)為 2.4mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：典型值為 250S。

電荷、電容與柵極電阻

• 輸入電容：(C{ISS}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=40V) 時(shí)為 6900pF。
• 輸出電容：(C_{OSS}) 為 800pF。
• 反向傳輸電容：(C_{RSS}) 為 22pF。
• 總柵極電荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=50A) 時(shí)為 112nC。

開(kāi)關(guān)特性

開(kāi)關(guān)特性獨(dú)立于工作結(jié)溫，在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V) 條件下，開(kāi)啟延遲時(shí)間為 20ns，上升時(shí)間為 153ns，關(guān)斷延遲時(shí)間和下降時(shí)間也有相應(yīng)值。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=50A)，(T = 25^{circ}C) 時(shí)為 0.8 - 1.2V，(T = 125^{circ}C) 時(shí)為 0.7V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t{RR}) 為 77ns，電荷時(shí)間 (t{a}) 為 40ns，放電時(shí)間 (t) 為 38ns，反向恢復(fù)電荷 (Q{RR}) 為 110nC。

典型特性

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、最大漏極電流與雪崩時(shí)間關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線對(duì)于工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中評(píng)估器件性能和進(jìn)行參數(shù)選擇具有重要參考價(jià)值。

訂購(gòu)信息

機(jī)械尺寸

文檔提供了 DFN5 和 DFNW5 兩種封裝的機(jī)械尺寸詳細(xì)信息，包括各尺寸的最小值、標(biāo)稱(chēng)值和最大值，以及相關(guān)的標(biāo)注和說(shuō)明。這對(duì)于 PCB 布局和設(shè)計(jì)非常重要，工程師需要根據(jù)這些尺寸來(lái)確保器件能夠正確安裝和使用。

綜上所述，onsemi 的 NVMFS6H800NL 功率 MOSFET 具有諸多優(yōu)秀特性，在緊湊設(shè)計(jì)、低損耗、可靠性等方面表現(xiàn)出色。但在實(shí)際應(yīng)用中，工程師還需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件，綜合考慮各項(xiàng)參數(shù)，以充分發(fā)揮該器件的性能。大家在使用這款器件時(shí)，有沒(méi)有遇到過(guò)什么特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。