FDMS8333L N - Channel PowerTrench? MOSFET：高效功率開(kāi)關(guān)的理想之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要，它直接影響到電路的性能和效率。今天，我們就來(lái)深入了解一下FDMS8333L這款N - Channel PowerTrench? MOSFET。

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一、品牌背景與系統(tǒng)整合

Fairchild Semiconductor已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改，其中Fairchild零件編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-）。大家可通過(guò)ON Semiconductor官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號(hào)。若對(duì)系統(tǒng)集成有疑問(wèn)，可發(fā)送郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

二、產(chǎn)品特性

1. 低導(dǎo)通電阻

FDMS8333L在不同條件下展現(xiàn)出出色的低導(dǎo)通電阻特性。在(V{GS}=10 V)，(I{D}=22 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 3.1 mΩ)；在(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=19 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 4.3 mΩ)。這種低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高電路效率。大家在設(shè)計(jì)電路時(shí)，是否考慮過(guò)低導(dǎo)通電阻對(duì)整個(gè)系統(tǒng)功耗的影響呢？

2. 先進(jìn)的封裝與硅組合

采用先進(jìn)的封裝和硅組合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低(r_{DS(on)})和高效率。這不僅提升了產(chǎn)品的性能，還能在一定程度上減小產(chǎn)品的體積，為設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的靈活性。

3. 下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)

該技術(shù)經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了軟恢復(fù)，能夠有效減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中，軟恢復(fù)特性對(duì)于減少電路中的噪聲和保護(hù)其他元件至關(guān)重要，你在設(shè)計(jì)中是否遇到過(guò)因二極管恢復(fù)特性不佳而導(dǎo)致的問(wèn)題呢？

4. 穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)

MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，具有良好的可靠性和抗環(huán)境干擾能力。同時(shí)，產(chǎn)品經(jīng)過(guò)100% UIL測(cè)試，確保了每一個(gè)產(chǎn)品都能滿足高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。而且，它還符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能出色。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

FDMS8333L適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括OringFET / 負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流以及DC - DC轉(zhuǎn)換等。在這些應(yīng)用中，它能夠充分發(fā)揮其低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，提高電路的整體性能。例如，在DC - DC轉(zhuǎn)換中，它可以有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。你在這些應(yīng)用場(chǎng)景中，是否使用過(guò)類(lèi)似的MOSFET呢？

四、產(chǎn)品參數(shù)

1. 最大額定值

• 電壓參數(shù)：漏源電壓(V{DS})最大為40 V，柵源電壓(V{GS})為±20 V。
• 電流參數(shù)：連續(xù)漏極電流在(T_{A}=25^{circ}C)時(shí)為76 A，脈沖漏極電流（注4）最大為250 A。
• 其他參數(shù)：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量(EAS)為216 mJ，功率耗散在(T{C}=25^{circ}C)時(shí)為69 W，在(T{A}=25^{circ}C)（注1a）時(shí)為2.5 W。工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍為 - 55到 + 150 °C。

2. 熱特性

熱阻方面，結(jié)到外殼的熱阻(R{θJC})為1.8 °C/W，結(jié)到環(huán)境的熱阻(R{θJA})（注1a）在不同條件下有所不同，當(dāng)安裝在1 in2的2 oz銅焊盤(pán)上時(shí)為50 °C/W，安裝在最小的2 oz銅焊盤(pán)上時(shí)為125 °C/W。在設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)時(shí)，這些熱阻參數(shù)是非常重要的參考依據(jù)，你是如何根據(jù)熱阻來(lái)設(shè)計(jì)散熱方案的呢？

3. 電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓(BV{DSS})在(I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V)時(shí)為40 V，擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BV{DSS}/Delta T{J})為22 mV/°C，零柵壓漏極電流(I{DSS})在(V{DS}=32 V)，(V{GS}=0 V)時(shí)最大為1 μA，柵源泄漏電流(I{GSS})在(V{GS}=±20 V)，(V_{DS}=0 V)時(shí)為±100 nA。
• 導(dǎo)通特性：柵源閾值電壓(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)時(shí)為1.0 - 3.0 V，柵源閾值電壓溫度系數(shù)(Delta V{GS(th)}/Delta T{J})為 - 6 mV/°C，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(r{DS(on)})在不同條件下有不同的值，如(V{GS}=10 V)，(I_{D}=22 A)時(shí)為2.4 - 3.1 mΩ等。
• 動(dòng)態(tài)特性：輸入電容(C{iss})在(V{DS}=20 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)時(shí)為3245 - 4545 pF，輸出電容(C{oss})為840 - 1175 pF，反向傳輸電容(C{rss})為32 - 55 pF，柵極電阻(R{g})為0.1 - 2.1 Ω。
• 開(kāi)關(guān)特性：導(dǎo)通延遲時(shí)間(t{d(on)})在(V{DD}=20 V)，(I{D}=22 A)，(V{GS}=10 V)，(R{GEN}=6 Ω)時(shí)為14 - 25 ns，上升時(shí)間(t{r})為4.7 - 10 ns，關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})為33 - 53 ns，下降時(shí)間(t{f})為4.2 - 10 ns，總柵極電荷(Q_{g})在不同條件下也有不同的值。
• 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓(V{SD})在不同電流下有不同的值，反向恢復(fù)時(shí)間(t{rr})為38 - 61 ns，反向恢復(fù)電荷(Q{rr})在(I{F}=22 A)，(di/dt = 100 A/μs)時(shí)為20 - 32 nC。

五、典型特性

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、單脈沖最大功率耗散以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解產(chǎn)品在不同條件下的性能表現(xiàn)，為電路設(shè)計(jì)提供更準(zhǔn)確的參考。你在設(shè)計(jì)過(guò)程中，是否經(jīng)常參考這些典型特性曲線呢？

綜上所述，F(xiàn)DMS8333L N - Channel PowerTrench? MOSFET憑借其出色的特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，是電子工程師在功率開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)中的一個(gè)不錯(cuò)選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的電路需求，合理選擇和使用這款產(chǎn)品，以達(dá)到最佳的設(shè)計(jì)效果。