一、升級(jí)背景

隨著芯片工藝邁入納米級(jí)，器件柵氧層厚度降低，其對(duì)電過應(yīng)力（EOS）的耐受能力顯著下降。瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）作為電路保護(hù)核心器件，其性能直接決定整個(gè)電子系統(tǒng)的運(yùn)行可靠性。與此同時(shí)，快充標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)升級(jí)，通用PD快充最高電壓已提升至48V，原有20V規(guī)格TVS無法滿足適配需求，適配更高電壓的傳統(tǒng)TVS在浪涌測試中易發(fā)生損壞。

二、核心痛點(diǎn)

TVS瞬時(shí)功率計(jì)算公式為PPP=IPP×VC（其中IPP為通流量，VC為鉗位電壓）。當(dāng)不動(dòng)作電壓VRWM提升時(shí)，鉗位電壓VC同步升高，在相同功率條件下，通流量IPP會(huì)隨之減小，導(dǎo)致浪涌測試無法通過。傳統(tǒng)TVS的功率與封裝嚴(yán)格綁定，若需提升功率，必須更換更大規(guī)格封裝，進(jìn)而需對(duì)PCB進(jìn)行修改，不僅增加時(shí)間成本，部分小型PCB因空間限制，無法適配更大封裝的TVS。

而MDD的TVS除了傳統(tǒng)功率的TVS，還有在同樣封裝下，功率更高的TVS，可以提高EOS防護(hù)能力。

三、升級(jí)方案：封裝不變，功率提升

SOD-123FL封裝TVS升級(jí)后，參數(shù)對(duì)比：

SMA封裝TVS升級(jí)后，參數(shù)對(duì)比：

SMB封裝TVS升級(jí)后，參數(shù)對(duì)比：

四、核心工藝優(yōu)勢

MDD的功率TVS，不管是傳統(tǒng)功率的，還是升級(jí)版本的，生產(chǎn)工藝均是采用了Clip組焊工藝，比傳統(tǒng)的兩片式焊接工藝更先進(jìn)。該工藝減少了焊接時(shí)錫膏的空洞率，提高IPP及可靠性。

五、推薦型號(hào)

在不改變封裝的前提下，MDD通過技術(shù)升級(jí)，推出新一代大功率TVS，防護(hù)能力大幅提高，有樣品需求可聯(lián)系MDD原廠。

審核編輯 黃宇