深入解析 onsemi FDMC86160ET100 N溝道MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是一種極為常見且關(guān)鍵的器件。今天，我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的 FDMC86160ET100 N溝道MOSFET，了解它的特性、應(yīng)用場景以及相關(guān)的技術(shù)參數(shù)。

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一、產(chǎn)品概述

FDMC86160ET100 是一款采用 onsemi 帶屏蔽柵極技術(shù)的先進(jìn) POWERTRENCH 工藝生產(chǎn)的 N 溝道 MOSFET。該工藝針對導(dǎo)通電阻進(jìn)行了優(yōu)化，這使得該器件在小空間內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)超低的 $R_{DS(on)}$。它非常適合需要在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能的應(yīng)用，例如高性能VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）、POL（負(fù)載點(diǎn)電源）和 Orring 功能。

二、產(chǎn)品特性

2.1 高溫度額定值

該器件的 $T_{J}$ 額定值擴(kuò)展到了 175°C，這意味著它能夠在較高的溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于一些對溫度要求較為苛刻的應(yīng)用場景。

2.2 屏蔽柵極MOSFET技術(shù)

屏蔽柵極技術(shù)的應(yīng)用，使得該 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻。在 $V{GS}=10V$，$I{D}=9A$ 時(shí)，最大 $r{DS(on)}=14mOmega$；在 $V{GS}=6V$，$I{D}=7A$ 時(shí)，最大 $r{DS(on)}=23mOmega$。這種低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

2.3 高性能溝道技術(shù)

高性能溝道技術(shù)進(jìn)一步降低了 $r_{DS(on)}$，使得該器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻更小，從而減少了能量損耗。

2.4 環(huán)保設(shè)計(jì)

終端無引線且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，這符合現(xiàn)代電子設(shè)備對環(huán)保的要求，同時(shí)也方便了電路板的布局和焊接。

三、應(yīng)用場景

3.1 橋式拓?fù)?/h3>

在橋式拓?fù)潆娐分校現(xiàn)DMC86160ET100 的低導(dǎo)通電阻特性可以減少功率損耗，提高電路的效率。同時(shí)，其高溫度額定值也能適應(yīng)橋式電路在工作過程中產(chǎn)生的熱量。

3.2 同步整流器

作為同步整流器使用時(shí)，該 MOSFET 能夠快速響應(yīng)，減少整流過程中的損耗，提高電源的轉(zhuǎn)換效率。

四、關(guān)鍵參數(shù)

4.1 最大額定值

在 $T_{A}=25^{circ}C$ 的條件下，該器件有連續(xù)電流、脈沖電流和功耗等方面的最大額定值。例如，連續(xù)電流在不同條件下有不同的值，脈沖電流在特定條件下可達(dá) 204A。需要注意的是，如果電壓超過最大額定值表中列出的值范圍，器件可能會損壞，影響其功能和可靠性。

4.2 熱性能

熱性能參數(shù)如 $R{theta JA}$ 取決于安裝在一平方英寸襯墊、2oz 銅焊盤以及 FR - 4 材質(zhì)尺寸 1.5x1.5in. 的襯墊上的器件，$R{theta CA}$ 由用戶的電路板設(shè)計(jì)確定。

4.3 電氣特性

• 關(guān)斷特性：包括漏極 - 源極擊穿電壓 $BV{DSS}$、擊穿電壓溫度系數(shù) $Delta BV{DSS}/Delta T$、零柵極電壓漏極電流 $I{DSS}$ 和柵極 - 源極漏電流 $I{GSS}$ 等參數(shù)。
• 導(dǎo)通特性：如在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下的導(dǎo)通電阻 $r_{DS(on)}$ 等。
• 動(dòng)態(tài)特性：包含輸出電容、總柵極電荷、漏極 - 源極二極管特性等參數(shù)。這些參數(shù)對于評估器件在不同工作狀態(tài)下的性能非常重要。

五、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括通態(tài)區(qū)域特性、標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵極 - 源極電壓的關(guān)系、轉(zhuǎn)換特性、源極 - 漏極二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏極 - 源極電壓的關(guān)系、非箝位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、正向偏壓安全工作區(qū)和單個(gè)脈沖最大功耗等。通過這些曲線，工程師可以直觀地了解該器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

六、封裝與定購信息

該器件采用 WDFN8 3.3x3.3, 0.65P 的封裝形式，同時(shí)提供了封裝標(biāo)識和定購信息。在定購時(shí)，需要參考文檔中詳細(xì)的定購和運(yùn)輸信息。

在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮該器件的各種特性和參數(shù)，確保其能夠滿足設(shè)計(jì)要求。同時(shí)，也要注意器件的最大額定值，避免因超過額定值而導(dǎo)致器件損壞。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。