FDD86102LZ N - 通道屏蔽柵PowerTrench? MOSFET深度解析

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率器件，其性能和特性對電路設(shè)計起著關(guān)鍵作用。今天我們就來詳細(xì)探討一下FDD86102LZ這款N - 通道屏蔽柵PowerTrench? MOSFET。

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一、公司背景與產(chǎn)品編號變更

Fairchild現(xiàn)已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的產(chǎn)品編號需要更改，具體是將Fairchild產(chǎn)品編號中的下劃線（_）改為破折號（ - ）。大家在使用時可到ON Semiconductor官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號。

二、FDD86102LZ MOSFET特性

（一）技術(shù)特點(diǎn)

采用屏蔽柵MOSFET技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。在不同柵源電壓和漏極電流條件下，導(dǎo)通電阻表現(xiàn)出色：在(V{GS}=10V)，(I{D}=8A)時，最大(r{DS(on)} = 22.5mΩ)；在(V{GS}=4.5V)，(I{D}=7A)時，最大(r{DS(on)} = 31mΩ)。

（二）ESD保護(hù)

HBM ESD保護(hù)水平典型值大于6 kV，通過在柵源之間添加齊納二極管增強(qiáng)了ESD電壓水平。

（三）電氣性能

與競爭的溝槽技術(shù)相比，具有非常低的(Q{g})和(Q{gd})，開關(guān)速度快，且經(jīng)過100% UIL測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

三、產(chǎn)品參數(shù)

（一）最大額定值

（二）熱特性

（三）電氣特性

1. 關(guān)斷特性：如漏源擊穿電壓(BV{DSS})在(I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V)時為100 V。
2. 導(dǎo)通特性：柵源閾值電壓(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250μA)時，范圍為1.0 - 3.0 V。
3. 動態(tài)特性：輸入電容(C{iss})在(V{DS}=50V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz)時，范圍為1157 - 1540 pF。
4. 開關(guān)特性：開通延遲時間(t_{d(on)})在特定測試條件下為6.6 - 14 ns。
5. 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓(V_{SD})在不同電流下有相應(yīng)的取值范圍。

四、典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，導(dǎo)通電阻與漏極電流、柵源電壓以及結(jié)溫的關(guān)系曲線，能幫助工程師更好地了解器件在不同工況下的導(dǎo)通電阻變化情況，從而在設(shè)計電路時做出更合理的選擇。

五、應(yīng)用領(lǐng)域

FDD86102LZ適用于DC - DC轉(zhuǎn)換、逆變器和同步整流等應(yīng)用場景。在這些應(yīng)用中，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特性能夠有效提高電路的效率和性能。

六、注意事項

ON Semiconductor對產(chǎn)品有明確的限制和責(zé)任聲明。產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。所有“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，客戶需要由技術(shù)專家對每個應(yīng)用的所有工作參數(shù)進(jìn)行驗證。

大家在使用FDD86102LZ進(jìn)行電路設(shè)計時，一定要充分考慮上述特性和參數(shù)，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件，以確保電路的性能和可靠性。你在使用MOSFET過程中有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。