(一)MOSFET管的基本知識
MOSFET是利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)進(jìn)行工作的,也稱為表面場效應(yīng)器件.它分為N溝道和P溝道兩類,其中每一類又可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,所謂耗盡型就是當(dāng)
時,存在導(dǎo)電溝道,
所謂增強(qiáng)型就是
時,沒有導(dǎo)電溝道,即

以上是N溝道和P溝道MOS管的符號圖,
其相關(guān)基本參數(shù):
(1)開啟電壓Vth,指柵源之間所加的電壓,
(2)飽和漏電流IDSS,指的是在VGS=0的情況下,當(dāng)VDS>|Vth|時的漏極電流稱為飽和漏電流IDSS
(3)極大漏源電壓VDS
(4)極大柵源電壓VGS
(5)直流輸入電阻RGS
通常MOS管的漏極與源極與以互換,但有些產(chǎn)品出廠時已將源極與襯底連在一起,這時源極與漏極不能對調(diào),使用時應(yīng)該注意.下面以FDN336P的一些主要參數(shù)為例進(jìn)行介紹:

上表指出其源極與漏極之間的電壓差為20V,而且只能是S接正極,D接負(fù)極,
柵極與源極之間的極大電壓差為8V,可以反接.
源極極大電流為1.3A,由S->D流向,脈沖電流為10A

(二)MOSFET做開關(guān)管的知識
一般來講,三極管是電流驅(qū)動的,MOSFET是電壓驅(qū)動的,因為我是用CPLD來驅(qū)動這個開關(guān),所以選擇了用MOSFET做,這樣也可以節(jié)省系統(tǒng)功耗吧,在做開關(guān)管時有一個必須注意的事項就是輸入和輸入兩端間的管壓降問題,比如一個5V的電源,經(jīng)過管子后可能變?yōu)榱?.5V,這時候要考慮負(fù)載能不能接受了,我曾經(jīng)遇到過這樣的問題就是負(fù)載的極小工作電壓就是5V了,經(jīng)過管子后發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)工作不起來,后來才想起來管子上占了一部分壓降了,類似的問題還有在使用二極管的時候(尤其是做電壓反接保護(hù)時)也要注意管子的壓降問題
a. BJT三極管Transistors
只要發(fā)射極e 對電源短路 就是電子開關(guān)用法
N管 發(fā)射極E 對電源負(fù)極短路. (搭鐵) 低邊開關(guān) ;b-e 正向電流 飽和導(dǎo)通
P管 發(fā)射極E 對電源正極短路. 高邊開關(guān) ;b-e 反向電流飽和導(dǎo)通
b. FET場效應(yīng)管MOSFET
只要源極S 對電源短路 就是電子開關(guān)用法
N管 源極S 對電源負(fù)極短路. (搭鐵) 低邊開關(guān) ;柵-源 正向電壓 導(dǎo)通
P管 源極S 對電源正極短路. 高邊開關(guān) ;柵-源 反向電壓 導(dǎo)通
總結(jié):
低邊開關(guān)用 NPN 管
高邊開關(guān)用 PNP 管
三極管b-e 必須有大于 C-E 飽和導(dǎo)通的電流
場效應(yīng)管理論上柵-源有大于 漏-源導(dǎo)通條件的電壓就 就OK。
假如原來用NPN 三極管作 ECU 氧傳感器 加熱電源控制低邊開關(guān)則直接用 N-Channel 場效應(yīng)管代換 ;或看情況修改 下拉或上拉電阻
基極--柵極
集電極--漏極
發(fā)射極--源極
上面是在一個論壇上摘抄的,語言通俗,很實用,

用PMOSFET構(gòu)成的電源自動切換開關(guān)
在需要電池供電的便攜式設(shè)備中,有的電池充電是在系統(tǒng)充電,即充電時電池不用拔下來。另外為了節(jié)省功耗,需要在插入墻上適配器電源時,系統(tǒng)自動切換為適配器供電,斷開電池與負(fù)載的連接;如果拔掉適配器電源,系統(tǒng)自動切換為電池供電。本電路用一個PMOSFET構(gòu)成這種自動切換開關(guān)。
圖中的V_BATT表示電池電壓,VIN_AC表示適配器電壓。當(dāng)插入適配器電源時,VIN_AC電壓高于電池電壓(否則適配器電源就不能對電池充電),Vgs>0,MOSFET截止,系統(tǒng)由適配器供電。拔去適配器電源,則柵極電壓為零,而與MOSFET封裝在一體的施特基二極管使源極電壓近似為電池電壓,導(dǎo)致Vgs小于Vgsth,MOSFET導(dǎo)通,從而系統(tǒng)由電池供電。

開關(guān)電路圖.
總結(jié)以上知識,在選MOSFET開關(guān)時,首先選MOS管的VDS電壓,和其VGS開啟電壓,再就是ID電流值是否滿足系統(tǒng)需要,然后再考慮封裝了,功耗了,價格了之類次要一些的因素了,以上是用P溝道MOS管做的例子,N溝道的其實也是基本上一樣用的..
-
開關(guān)電路
+關(guān)注
關(guān)注
62文章
569瀏覽量
68570 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10759瀏覽量
234831 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31192瀏覽量
266322 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2811瀏覽量
77780
原文標(biāo)題:MOSFET管開關(guān)電路基本知識總結(jié)
文章出處:【微信號:Power-union,微信公眾號:電源聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
MOS晶體管開關(guān)電路設(shè)計與理論知識
晶體管開關(guān)電路設(shè)計講解
電路基礎(chǔ)知識講解 電路基本元件知識與電路元件的伏安特性和功率特性
MOSFET管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)
對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)
電路基本知識
MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計
MOS管開關(guān)設(shè)計知識-(五種MOS管開關(guān)電路圖方式)
MOSFET管開關(guān)電路基本知識總結(jié)
評論