持續(xù)11個(gè)月的DRAM漲價(jià)潮在2026年3月正式按下暫停鍵，與之形成鮮明對(duì)比的是，NAND閃存價(jià)格迎來(lái)瘋狂飆升，單月漲幅逼近40%，呈現(xiàn)“一穩(wěn)一瘋”的極端分化態(tài)勢(shì)。根據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，3月份PC DRAM標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易價(jià)格為13美元，與上月持平，標(biāo)志著自2025年4月開(kāi)啟的連續(xù)漲價(jià)周期正式終結(jié)。機(jī)構(gòu)分析指出，這一變化源于主要DRAM供應(yīng)商與PC制造商在今年1-2月已敲定一季度合約價(jià)格，3月市場(chǎng)聚焦二季度供需談判，交易零散導(dǎo)致價(jià)格趨于穩(wěn)定。NAND市場(chǎng)則延續(xù)暴漲態(tài)勢(shì)，3月份用于存儲(chǔ)卡和USB驅(qū)動(dòng)器的NAND標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品（128Gb 16x8 MLC）平均價(jià)格達(dá)17.73美元，環(huán)比漲幅39.95%，累計(jì)漲價(jià)周期已達(dá)15個(gè)月。核心原因在于制造商加速向高層3D NAND轉(zhuǎn)型，老舊工藝產(chǎn)品供應(yīng)短缺，推動(dòng)價(jià)格持續(xù)創(chuàng)下歷史新高。

與此同時(shí)，中國(guó)深圳華強(qiáng)北電子市場(chǎng)傳出DDR5內(nèi)存條現(xiàn)貨價(jià)格“斷崖式下跌”的消息，上周售價(jià)約3000元的32GB DDR5內(nèi)存，本周降幅達(dá)500-1050元，部分商戶拋售價(jià)低至1950元。有商戶透露，因前期價(jià)格過(guò)高導(dǎo)致“有價(jià)無(wú)市”，商家為緩解資金周轉(zhuǎn)壓力被迫降價(jià)套現(xiàn)。但供應(yīng)鏈人士澄清，此次跌價(jià)的主要是服務(wù)器退役的拆機(jī)舊產(chǎn)品，原裝DDR5價(jià)格并未波動(dòng)。業(yè)界預(yù)期，主流廠商1Gb DDR5顆粒價(jià)格仍維持在5-7.5美元區(qū)間，多數(shù)觀點(diǎn)認(rèn)為，上游價(jià)格支撐下，此輪降價(jià)難以長(zhǎng)期持續(xù)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期上行趨勢(shì)未變。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2026年二季度一般型DRAM合約價(jià)格仍將季增58%-63%，NAND合約價(jià)格季增70%-75%。巨頭博弈：三星SK海力士爭(zhēng)雄HBM，韓國(guó)半導(dǎo)體出口創(chuàng)新高。

三星HBM營(yíng)收暴增3倍，沖擊歷史最高利潤(rùn)
2026年第一季度，三星電子HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）營(yíng)收迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，同比增幅超300%，核心得益于向英偉達(dá)供應(yīng)的HBM3E以及2月率先量產(chǎn)的HBM4出貨量激增。作為AI芯片核心供應(yīng)商，英偉達(dá)的HBM需求持續(xù)旺盛，直接帶動(dòng)三星相關(guān)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)，而SK海力士也拿下英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)約七成HBM4訂單，兩家企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。外界預(yù)測(cè)，三星一季度營(yíng)收有望突破120萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)超40萬(wàn)億韓元（約合261億美元），創(chuàng)下韓國(guó)企業(yè)單季利潤(rùn)新紀(jì)錄。其中，DRAM業(yè)務(wù)營(yíng)收預(yù)計(jì)超45萬(wàn)億韓元，僅HBM營(yíng)收就有望突破3萬(wàn)億韓元，較2025年同期增長(zhǎng)3倍以上。隨著二季度HBM4大規(guī)模出貨，三星HBM營(yíng)收有望進(jìn)一步攀升，同時(shí)計(jì)劃擴(kuò)大1c DRAM產(chǎn)能，鞏固AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

SK海力士加碼資本支出，誓要奪回HBM領(lǐng)先地位
面對(duì)三星的強(qiáng)勢(shì)沖擊，SK海力士選擇以巨額資本支出反擊，全力爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)權(quán)。2025年，SK海力士全年資本支出達(dá)30.173萬(wàn)億韓元，較2024年增長(zhǎng)68.0%，占當(dāng)年年收入的31.1%。此前，SK海力士憑借HBM3E占據(jù)英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)商主導(dǎo)地位，但2025年下半年開(kāi)始，三星加速向英偉達(dá)出貨，且率先批量生產(chǎn)HBM4，美光也同步宣布量產(chǎn)HBM4，SK海力士的領(lǐng)先地位岌岌可危。目前SK海力士已建立HBM4量產(chǎn)體系，其供應(yīng)份額遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期，彰顯了與英偉達(dá)長(zhǎng)期合作的深厚基礎(chǔ)。為應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)，SK海力士持續(xù)擴(kuò)大投資，批準(zhǔn)引進(jìn)荷蘭阿斯麥EUV掃描設(shè)備，計(jì)劃持續(xù)至2027年12月；額外投資建設(shè)龍仁半導(dǎo)體集群一期晶圓廠，總投資額達(dá)31萬(wàn)億韓元；同時(shí)推進(jìn)ADR上市，計(jì)劃今年下半年上市以補(bǔ)充資金，2026年資本支出有望較去年翻倍。

韓國(guó)半導(dǎo)體出口破800億美元，中東戰(zhàn)火引供應(yīng)鏈隱憂
2026年3月，韓國(guó)出口額首次突破800億美元，達(dá)861.3億美元，同比增長(zhǎng)48.3%，貿(mào)易順差達(dá)257.4億美元，均創(chuàng)下歷史新高。其中，半導(dǎo)體出口成為核心驅(qū)動(dòng)力，同比增長(zhǎng)151.4%，達(dá)328.3億美元，主要受益于AI服務(wù)器投資擴(kuò)大、服務(wù)器需求回升以及內(nèi)存價(jià)格飆升。除半導(dǎo)體外，汽車、次級(jí)電池、電腦等產(chǎn)品也實(shí)現(xiàn)均衡增長(zhǎng)，但中東戰(zhàn)火對(duì)韓國(guó)出口造成明顯沖擊，中東地區(qū)出口因物流中斷暴跌49%，能源和石化行業(yè)受影響顯著。更嚴(yán)峻的是，中東戰(zhàn)火波及全球氦氣供應(yīng)——卡塔爾作為全球第二大氦氣供應(yīng)國(guó)，其生產(chǎn)設(shè)施因攻擊停擺，而氦氣是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵材料。三星與SK海力士目前備有4-6個(gè)月的氦氣庫(kù)存，正不惜支付高額溢價(jià)向美國(guó)搶貨，若沖突持續(xù)，關(guān)鍵材料可能面臨斷鏈風(fēng)險(xiǎn)。

產(chǎn)業(yè)變革：鎧俠停產(chǎn)退出，舊世代NAND缺口達(dá)40%鎧俠全面退出2D NAND，臺(tái)廠迎來(lái)轉(zhuǎn)單商機(jī)
2026年3月31日，存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠發(fā)布停產(chǎn)通知，宣布逐步退出部分傳統(tǒng)浮柵式2D NAND及第三代BiCS FLASH產(chǎn)品，涵蓋32nm、24nm、15nm制程，包含多種產(chǎn)品形態(tài)。此次停產(chǎn)品項(xiàng)最后購(gòu)買預(yù)測(cè)截止日為2026年9月30日，最終出貨截止日為2028年12月31日，意味著2029年鎧俠將正式退出2D NAND市場(chǎng)。業(yè)內(nèi)分析，鎧俠停產(chǎn)主要因NAND技術(shù)快速演進(jìn)，MLC單位產(chǎn)值低于TLC、QLC，廠商正集中資源于高端產(chǎn)品。此次停產(chǎn)對(duì)普通消費(fèi)市場(chǎng)影響有限，但工業(yè)級(jí)客戶需提前備貨，中國(guó)臺(tái)灣相關(guān)供應(yīng)鏈迎來(lái)轉(zhuǎn)單商機(jī)，旺宏、慧榮等企業(yè)有望承接相關(guān)需求。

舊世代NAND缺口40%，價(jià)格漲幅或超200%
摩根士丹利（大摩）在最新報(bào)告中指出，2026年下半年，舊世代MLC與TLC NAND將面臨約40%的供給缺口，核心原因是全球主要供應(yīng)商持續(xù)縮減成熟制程產(chǎn)能。價(jià)格方面，大摩預(yù)測(cè)2026年全年MLC及成熟制程TLC價(jià)格漲幅可能超200%，主要支撐在于MLC更高的耐用性及工業(yè)、企業(yè)級(jí)應(yīng)用的需求韌性。相比之下，DDR4價(jià)格漲勢(shì)在3月后出現(xiàn)反彈，后續(xù)上漲空間有限，且DDR4無(wú)法適配AI應(yīng)用，難以享受AI算力擴(kuò)張紅利。

國(guó)產(chǎn)突圍：CJCC逼近全球前三，產(chǎn)業(yè)鏈鎖定上游產(chǎn)能CJCC武漢3號(hào)線量產(chǎn)，有望超越SK海力士、美光
中國(guó)代表性NAND制造商CJCC正加速崛起，其武漢3號(hào)線工廠處于關(guān)鍵設(shè)備建設(shè)最后階段，預(yù)計(jì)2026年下半年全面量產(chǎn)高端高層NAND產(chǎn)品，武漢1號(hào)線、2號(hào)線已接近最大產(chǎn)能。過(guò)去兩年，CJCC產(chǎn)能快速擴(kuò)張，年產(chǎn)量從2024年的129萬(wàn)片增至2025年的177萬(wàn)片，2026年預(yù)計(jì)接近200萬(wàn)片。武漢3號(hào)線投產(chǎn)后，CJCC NAND出貨量將超越SK海力士、美光，躍居全球第三，目前正穩(wěn)步提升200層產(chǎn)品份額，300層產(chǎn)品良率預(yù)計(jì)2026年趨于穩(wěn)定。更值得關(guān)注的是，CJCC正突破海外市場(chǎng)壁壘，據(jù)路透社報(bào)道，蘋果因擔(dān)心NAND價(jià)格上漲影響iPhone利潤(rùn)率，正考慮將CJCC作為替代供應(yīng)商，若達(dá)成合作，將標(biāo)志著CJCC正式進(jìn)入全球頂級(jí)設(shè)備制造商供應(yīng)鏈。

產(chǎn)業(yè)鏈鎖單備戰(zhàn)，國(guó)產(chǎn)廠商加速布局
隨著AI技術(shù)發(fā)展，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期，兆易創(chuàng)新、CXCC、佰維存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)企業(yè)紛紛通過(guò)長(zhǎng)期合約鎖定上游晶圓供應(yīng)，應(yīng)對(duì)供需緊張與價(jià)格波動(dòng)。兆易創(chuàng)新2025年存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)表現(xiàn)亮眼，截至2025年底，未履行合約金額達(dá)55.71億元，2026年計(jì)劃向CXCC采購(gòu)57.11億元DRAM產(chǎn)品，應(yīng)對(duì)全球供給偏緊局面。佰維存儲(chǔ)與上游原廠簽訂為期24個(gè)月、總金額15億美元的晶圓采購(gòu)合約，同時(shí)積極切入高端產(chǎn)品領(lǐng)域，推進(jìn)自研主控芯片，已進(jìn)入20余家車廠及Tier 1供應(yīng)鏈。業(yè)內(nèi)表示，產(chǎn)業(yè)鏈“長(zhǎng)約鎖單”反映產(chǎn)業(yè)向穩(wěn)定長(zhǎng)期合作轉(zhuǎn)型，但也存在景氣反轉(zhuǎn)的成本風(fēng)險(xiǎn)，目前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器在先進(jìn)制程與高端產(chǎn)品上與國(guó)際大廠仍有提升空間。

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審核編輯 黃宇