2026年4月16日至18日，第二屆成都國防科技產(chǎn)業(yè)博覽會在成都世紀城新國際會展中心隆重舉行。作為同期核心展區(qū)之一，半導(dǎo)體與集成電路專題展匯聚了行業(yè)前沿力量。深圳爭妍微電子有限公司（以下簡稱“爭妍微電子”）攜其全系列功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣，精彩亮相2號館2-K02-1展位，以硬核實力閃耀西南。

展會現(xiàn)場，爭妍微電子展臺人頭攢動，專業(yè)觀眾絡(luò)繹不絕。公司重點展示了覆蓋功率半導(dǎo)體全領(lǐng)域的核心產(chǎn)品，包括二極管、三極管、MOSFET、可控硅、IGBT等成熟器件，以及代表未來技術(shù)方向的SiC JBS/MOSFET（碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管/金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）和模擬IC等高端解決方案。這些產(chǎn)品以其高可靠性、高性能和高集成度，吸引了眾多國防科技、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域的專業(yè)觀眾駐足交流，現(xiàn)場洽談合作意向熱烈。

“此次參展，我們不僅帶來了成熟穩(wěn)定的功率器件，更重點展示了面向未來高功率、高效率應(yīng)用場景的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)?！睜庡㈦娮涌偨?jīng)理李學(xué)會在展會現(xiàn)場表示，“國防科技領(lǐng)域?qū)?a target="_blank">電子元器件的可靠性、環(huán)境適應(yīng)性和性能指標有著極致要求。爭妍微電子深耕功率半導(dǎo)體領(lǐng)域多年，始終將技術(shù)創(chuàng)新和品質(zhì)管控放在首位。我們的MOSFET、IGBT以及新興的SiC JBS/MOSFET和氮化鎵HEMT產(chǎn)品，正是為滿足這些嚴苛需求而生，旨在為國防裝備的輕量化、高效化和智能化提供堅實的‘中國芯’支撐?！?/p>

李學(xué)會總經(jīng)理進一步強調(diào)：“參與成都國防科技產(chǎn)業(yè)博覽會，對我們而言意義非凡。這不僅是展示技術(shù)實力的窗口，更是融入國家國防科技產(chǎn)業(yè)生態(tài)、服務(wù)國家戰(zhàn)略腹地建設(shè)的重要契機。我們期待通過與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作，共同推動關(guān)鍵核心器件的自主可控，為構(gòu)建安全可靠的國防科技產(chǎn)業(yè)鏈貢獻力量。”

此次成都之行，對爭妍微電子而言，更是一次重要的市場戰(zhàn)略拓展。展會間歇，公司總經(jīng)理李學(xué)會與同期參展的知名驅(qū)動方案公司深圳兆威進行了深入溝通。雙方就技術(shù)互補、市場協(xié)同等議題交換了意見，并決定在展會結(jié)束后進一步交流，以確定具體的合作方向，共同探索在高端驅(qū)動領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。

李學(xué)會總經(jīng)理表示：“西南地區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈完整，電子類企業(yè)眾多，市場潛力巨大。這次參展是公司銷售團隊走出深圳、走向西南的重要一步。我們希望通過這樣的行業(yè)盛會，不僅能夠展示我們的二極管、三極管、MOSFET、可控硅、IGBT、SiC JBS/MOSFET、氮化鎵HEMT和模擬IC等產(chǎn)品，更能深入了解西南市場的需求，與本地企業(yè)建立緊密的合作關(guān)系，共同推動區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?！?/p>