半導(dǎo)體創(chuàng)新正處于解決當(dāng)今科技領(lǐng)域最大挑戰(zhàn)之一的核心位置：以更高的效率提供更強(qiáng)大的性能。

立即閱讀，探索驅(qū)動(dòng) AI 變革的創(chuàng)新技術(shù)——從邊緣設(shè)備到數(shù)據(jù)中心及更廣泛的領(lǐng)域。

01賦能智能化

將 AI 部署到各類終端——從智能手表到人形機(jī)器人——這場(chǎng)競(jìng)賽的關(guān)鍵在于功耗效率，尤其是在便攜式應(yīng)用需要應(yīng)對(duì)不斷演進(jìn)的 AI 能力的當(dāng)下。如今的數(shù)據(jù)中心對(duì)算力的需求，已經(jīng)超出了傳統(tǒng)架構(gòu)在不消耗大量能源的前提下所能承載的極限。致力于攻克這些挑戰(zhàn)的企業(yè)，正在讓 AI 在各個(gè)層面變得觸手可及。

在本期新聞簡(jiǎn)報(bào)中，您將了解如何應(yīng)對(duì)以下挑戰(zhàn)：

邊緣 AI 的普及化：工程師正在利用集成硬件加速器的新型通用及實(shí)時(shí)控制 MCU，在此前被認(rèn)為不可行的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)有意義的 AI 工作負(fù)載。

數(shù)據(jù)中心變革：AI 計(jì)算正在將傳統(tǒng)供電體系推向極限，而我們完整的 800V 直流解決方案可有效應(yīng)對(duì)從電網(wǎng)到處理器內(nèi)核全鏈路的能效挑戰(zhàn)。

功率密度創(chuàng)新：在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出并保持高效率，是一項(xiàng)持續(xù)性挑戰(zhàn)，需要突破性的半導(dǎo)體與封裝技術(shù)。

02讓 AI 賦能每一臺(tái)設(shè)備

隨著 AI 從云端向邊緣延伸，工程師面臨一項(xiàng)根本性挑戰(zhàn)：在由電池供電的設(shè)備上運(yùn)行實(shí)時(shí)邊緣 AI。在工業(yè)故障檢測(cè)或人形機(jī)器人電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)景中，低延遲和高能效已成為系統(tǒng)安全的關(guān)鍵要素。

在Embedded World 展會(huì)上，德州儀器 (TI) 擴(kuò)展了其 MCU 產(chǎn)品組合和軟件生態(tài)系統(tǒng)，旨在讓每一臺(tái)設(shè)備都能實(shí)現(xiàn)邊緣 AI。展會(huì)上首次亮相的全新MSPM0和C2000 MCU 搭載了德州儀器 (TI) 集成的 TinyEngine 神經(jīng)處理單元 (NPU)，這是一款專為 MCU 設(shè)計(jì)的硬件加速器，能夠優(yōu)化深度學(xué)習(xí)運(yùn)算，降低邊緣處理的延遲并提升能效。與未搭載加速器的同類 MCU 相比，TinyEngine NPU 可將延遲降低多達(dá)90倍，同時(shí)將每次 AI 推理的能耗降低超過120倍。

在 EETimes 的采訪中，德州儀器 (TI) 嵌入式處理業(yè)務(wù)高級(jí)副總裁 Amichai Ron幫助解答了搭載加速器的 MCU 如何幫助工程師在更多應(yīng)用中運(yùn)行有意義的邊緣 AI 工作負(fù)載。

Amichai Ron

延遲正變得至關(guān)重要。使用微控制器可以檢測(cè)故障，但需要半秒鐘的時(shí)間。而借助 AI 加速，我們可以在4 毫秒內(nèi)完成檢測(cè)，從而在安全隱患發(fā)生之前盡快切斷系統(tǒng)電源。

邊緣 AI 半導(dǎo)體的創(chuàng)新只是故事的一半。設(shè)計(jì)人員還需要易于使用的軟件工具，例如德州儀器 (TI) 的CCStudio 集成開發(fā)環(huán)境——該環(huán)境集成了生成式 AI 功能，允許開發(fā)者使用自然語言進(jìn)行應(yīng)用開發(fā)。此外，德州儀器 (TI) 的Edge AI Studio支持超過60種模型，幫助開發(fā)者將邊緣 AI 智能引入各類系統(tǒng)。

Ron 表示：“這些應(yīng)用中的大量投入集中在軟件層面?！拔覀兿Ｍ_保客戶在需要更強(qiáng)或更弱性能時(shí)，無需反復(fù)遷移軟件?！?/p>

03AI 基礎(chǔ)設(shè)施電源創(chuàng)新：

從電網(wǎng)到低于 1V 內(nèi)核供電的完整解決方案

AI 計(jì)算工作負(fù)載正在對(duì)傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電體系構(gòu)成嚴(yán)峻考驗(yàn)——從長(zhǎng)距離高壓傳輸管理到每個(gè)轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)的效率最大化。

在NVIDIA GTC 2026 大會(huì)上，我們發(fā)布了面向下一代 AI 數(shù)據(jù)中心的完整800V 直流電源架構(gòu)。德州儀器 (TI) 全面的“從電網(wǎng)到芯片”解決方案涵蓋集成氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、柵極驅(qū)動(dòng)器、電流和電壓傳感器以及適用于 800V 拓?fù)涞膶?shí)時(shí) MCU，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，在整個(gè)電力傳輸路徑中實(shí)現(xiàn)更高效的供電，助力 AI 數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更具可擴(kuò)展性和可靠性的運(yùn)營。

我們的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品可最大限度提升 NVIDIA 先進(jìn) GPU 和 AI 處理器的性能，覆蓋供電鏈路的各個(gè)環(huán)節(jié)——從電源供應(yīng)單元的交流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換，到電容組單元的功率平滑，再到中間總線轉(zhuǎn)換和處理器供電。

圍繞 AI 工作負(fù)載增長(zhǎng)帶來的數(shù)據(jù)中心供電挑戰(zhàn)，德州儀器（TI）高壓電源副總裁兼總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian強(qiáng)調(diào)了 800V 直流電源架構(gòu)的重要價(jià)值。

Kannan Soundarapandian

AI 計(jì)算的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)要求我們從根本上重新思考如何在數(shù)據(jù)中心供電。我們先進(jìn)的 800 V 直流架構(gòu)是一項(xiàng)具有重要意義的突破，它使數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商能夠應(yīng)對(duì)當(dāng)前的電力挑戰(zhàn)，并為未來的 AI 工作負(fù)載做好準(zhǔn)備。

通過與 NVIDIA 的合作，我們正在助力加速下一代 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的部署，使其能夠高效、可靠地進(jìn)行擴(kuò)展。

除 AI 基礎(chǔ)設(shè)施之外，德州儀器 (TI) 還在 GTC 大會(huì)上展示了實(shí)時(shí)AI 傳感器融合技術(shù)，利用我們的毫米波雷達(dá)和攝像頭技術(shù)，與NVIDIA 的 Holoscan 平臺(tái)深度整合，為人形機(jī)器人系統(tǒng)提供更安全、更可靠的感知能力。

04引領(lǐng)電源技術(shù)的下一次革新

隨著各行業(yè)對(duì)電力需求的持續(xù)攀升，發(fā)電、轉(zhuǎn)換和配電方式也在不斷演進(jìn)。在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率的同時(shí)保持效率和可靠性，離不開半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步。

正是這些挑戰(zhàn)驅(qū)動(dòng)著我們?cè)贏PEC 2026上展示的電源創(chuàng)新成果——這一次，大會(huì)在我們的總部所在州舉辦。以下是 TI 在圣安東尼奧的精彩看點(diǎn)：

超過 30 場(chǎng)技術(shù)和行業(yè)演講，涵蓋先進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)字電源控制解決方案及高功率密度 GaN 應(yīng)用。此外，德州儀器 (TI) 計(jì)算電源技術(shù)專家 Pradeep Shenoy將發(fā)表參展商研討會(huì)演講，主題為“重新構(gòu)想數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)” (Data Center Power Architecture)。

現(xiàn)場(chǎng)演示包括800V 架構(gòu)和汽車 48V 系統(tǒng)、緊湊型電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 USB Power Delivery 充電解決方案。

全新電源模塊采用先進(jìn)封裝技術(shù)，滿足數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)和汽車電氣化領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的功率密度需求

從高功率密度 GaN 解決方案到電池管理，我們正在 APEC 大會(huì)上引領(lǐng)電源技術(shù)的下一次革新。

05AI 發(fā)展中數(shù)據(jù)中心的挑戰(zhàn)

AI 持續(xù)快速發(fā)展，而功耗效率只是其中的一個(gè)方面。制造商必須將功耗優(yōu)化置于優(yōu)先地位，才能在更多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn) AI 能力。未來的數(shù)據(jù)中心需要在三大領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破：一是冷卻技術(shù)，用于應(yīng)對(duì)前所未有的散熱需求；二是配備儲(chǔ)能系統(tǒng)的現(xiàn)場(chǎng)發(fā)電設(shè)施，以降低對(duì)電網(wǎng)的依賴；三是固態(tài)變壓器，可提升運(yùn)行效率并提供更多可用電力。包括 GaN 在內(nèi)的電源轉(zhuǎn)換創(chuàng)新技術(shù)，將持續(xù)突破功率密度和效率的極限。

電源創(chuàng)新的下一波浪潮才剛剛拉開帷幕，前景令人期待。

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