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基于LM5032的交錯(cuò)式升壓評(píng)估板設(shè)計(jì)與性能分析

chencui ? 2026-04-21 10:30 ? 次閱讀
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基于LM5032的交錯(cuò)式升壓評(píng)估板設(shè)計(jì)與性能分析

一、引言

在電子電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,升壓轉(zhuǎn)換器是常見(jiàn)的電路結(jié)構(gòu),它能將直流電壓轉(zhuǎn)換為更高的直流電壓。而交錯(cuò)式升壓拓?fù)湓诖嘶A(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)。德州儀器Texas Instruments)的LM5032雙電流模式PWM控制器,具備控制交錯(cuò)式升壓轉(zhuǎn)換器所需的全部特性。其兩個(gè)輸出相位相差180度,且每個(gè)通道都有獨(dú)立的電流限制輸入,同時(shí)還擁有高輸入電壓范圍以及控制完整轉(zhuǎn)換器所需的輔助功能。

文件下載:LM5032EVAL/NOPB.pdf

二、交錯(cuò)式升壓拓?fù)湓?/h2>

2.1 基本工作原理

基本的升壓轉(zhuǎn)換器能將直流電壓轉(zhuǎn)換為更高的直流電壓,而交錯(cuò)式設(shè)計(jì)在此基礎(chǔ)上,能有效減少輸入和輸出電路中的紋波電流。通過(guò)將輸出電流分成兩條路徑,大幅降低了I2R損耗和電感交流損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高的效率。

當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí),L1中的電流斜坡上升,其斜率取決于輸入電壓,能量存儲(chǔ)在L1中。此時(shí),由于輸出電壓大于輸入電壓,D1截止。當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí),D1導(dǎo)通,將L1中存儲(chǔ)的部分能量輸送到負(fù)載和輸出電容。L1中的電流斜坡下降,其斜率取決于輸入和輸出電壓的差值。半個(gè)開(kāi)關(guān)周期后,Q2導(dǎo)通,完成相同的事件循環(huán)。由于兩個(gè)功率通道在輸出電容處合并,有效紋波頻率是傳統(tǒng)單通道升壓調(diào)節(jié)器的兩倍。

2.2 工作模式

根據(jù)每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)輸送到負(fù)載的能量多少,升壓轉(zhuǎn)換器可分為連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)和不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)。如果電感中存儲(chǔ)的所有能量在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)都輸送到負(fù)載,則為DCM模式,在此模式下,電感電流在開(kāi)關(guān)關(guān)斷期間下降到零;如果只有部分能量輸送到負(fù)載,則為CCM模式。工作模式是決定轉(zhuǎn)換器電氣特性的關(guān)鍵因素,不同模式下特性差異顯著。

三、CCM與DCM模式比較

3.1 CCM模式

CCM模式的主要缺點(diǎn)是傳遞函數(shù)中的右半平面零點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致固有的穩(wěn)定性問(wèn)題。但現(xiàn)代設(shè)計(jì)大多采用CCM模式,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)更高的功率密度。

3.2 DCM模式

DCM模式下,開(kāi)關(guān)和輸出二極管的峰值電流較大,這就需要使用額定電流和功率耗散更大的開(kāi)關(guān)和二極管,同時(shí)較大的峰值電流還會(huì)帶來(lái)更嚴(yán)重的EMI/RFI問(wèn)題。

四、升壓功率級(jí)組件選擇

4.1 電感選擇

首先,根據(jù)最大和最小輸入電壓、輸出電壓以及輸出二極管和開(kāi)關(guān)的電壓降,計(jì)算出最大和最小占空比。然后,根據(jù)負(fù)載電流和占空比估算平均電感電流。假設(shè)電感電流紋波峰峰值為平均電感電流的一定百分比,進(jìn)而估算出峰值電感電流。最后,利用紋波電流、開(kāi)關(guān)頻率、輸入電壓和占空比信息計(jì)算電感值,并確定CCM和DCM之間的邊界,以確定最小負(fù)載電流。

4.2 輸出電容選擇

在升壓轉(zhuǎn)換器中,輸出電容需要承受相對(duì)較高的紋波電流。首先計(jì)算紋波的最壞情況占空比,通常是最大占空比。然后從圖3的兩相圖中讀取輸出電容的歸一化均方根紋波值,將其與輸出電流相乘得到實(shí)際的均方根輸出電容紋波。選擇電容時(shí),要確保其能在極端工作條件下承受該均方根紋波電流。同時(shí),使用公式(Delta V{OUT }=frac{I{OUT(MAX) } timesleft(1-D{INN }right)}{f{S} × C{OUT }}+I{PEAK } × ESR)確定電容值,以確保給定的電壓紋波,這里ESR是決定電容值的主要因素。

4.3 輸入電容選擇

由于升壓轉(zhuǎn)換器中電感與輸入電源串聯(lián),輸入電容的選擇相對(duì)輸出電容來(lái)說(shuō)要求沒(méi)那么高。在兩相設(shè)計(jì)中,由于紋波抵消,輸入紋波進(jìn)一步降低,因此可以使用比單相設(shè)計(jì)更小的輸入電容。通過(guò)圖4的歸一化輸入電容紋波電流圖,確定給定設(shè)計(jì)的最壞情況占空比,讀取歸一化紋波電流,再乘以歸一化因子得到實(shí)際紋波電流,從而確定輸入電容的大小。

4.4 功率開(kāi)關(guān)選擇

選擇MOSFET時(shí),需要考慮多個(gè)參數(shù)。漏源擊穿電壓應(yīng)大于最大輸入電壓并留有一定的裕量;(R{DS(ON)})值決定了導(dǎo)通損耗,必須足夠低以確保在最大漏極電流條件下結(jié)溫在規(guī)格范圍內(nèi);柵源和柵漏電荷會(huì)導(dǎo)致交流損耗;熱阻額定值決定了散熱片和氣流要求。功率耗散的詳細(xì)計(jì)算可參考公式(P{MOSFET }=left(frac{I{OUT (MAX)}}{2 x(1-D)}right) × R{DS(OP)} × D × 1.3+V{INW(MAX)} × Q{g} × f{S}+ frac{0.5 × V{IN(MAX)} × I{OUT} × f{S} timesleft(t{g}+t{F}right)}{(1-D)})。

4.5 輸出二極管選擇

輸出二極管的選擇基于電壓和電流額定值以及反向恢復(fù)時(shí)間。電壓額定值應(yīng)為輸出電壓加上一定的裕量;(V{F})應(yīng)盡可能低,以最小化導(dǎo)通損耗;反向恢復(fù)時(shí)間(t{rr})應(yīng)盡可能短,以最小化開(kāi)關(guān)損耗。如果電壓額定值允許,可選擇肖特基整流器,否則需要使用超快整流器。

4.6 補(bǔ)償組件選擇

補(bǔ)償與具有相同電感值的等效功率單相升壓調(diào)節(jié)器類似。連續(xù)導(dǎo)通模式下存在右半平面零點(diǎn),會(huì)影響環(huán)路帶寬。保守的做法是確保環(huán)路增益在低于1/4開(kāi)關(guān)(每相)頻率時(shí)過(guò)零。右半平面零點(diǎn)的頻率可由公式(f{POPZ}=frac{R{LOAD} x(1-D)^{2}}{2 × pi × L}=frac{R{LOAD} × V{IN}^{2}}{2 × pi × L × V_{OUT}^{2}})計(jì)算。

五、評(píng)估板設(shè)計(jì)

5.1 設(shè)計(jì)目標(biāo)

使用LM5032作為控制器構(gòu)建了一個(gè)原型,設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)一個(gè)高效的交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器,在室溫環(huán)境下無(wú)需空氣流動(dòng)或散熱片即可滿功率運(yùn)行。設(shè)計(jì)功率圍繞約14安培的輸入電流限制,以便使用現(xiàn)成的表面貼裝電感。具體規(guī)格為:輸入電壓(V{IN }=18) - 45伏,輸出電壓(V{OUT }=48)伏,輸出電流(I{OUT }=4.0)安培,輸出紋波(V{RIPPLE - OUT }<50)毫伏。

5.2 電路設(shè)計(jì)

電路圍繞LM5032構(gòu)建,這是一款兩相PWM控制器,每個(gè)通道都有獨(dú)立的電流限制和補(bǔ)償輸入。由于實(shí)現(xiàn)的是兩相單輸出轉(zhuǎn)換器,PWM比較器的獨(dú)立輸入在設(shè)計(jì)中合并。兩個(gè)電流限制輸入用于確保各相電流平衡。每個(gè)輸出相驅(qū)動(dòng)自己的功率通道,包括開(kāi)關(guān)FET Q1和Q2、電感L2和L3以及輸出雙二極管D2。兩個(gè)功率輸出在輸出電容C15 - C20處合并。IC內(nèi)部配置為驅(qū)動(dòng)其兩個(gè)輸出相位相差180度。

5.3 降低損耗措施

為了降低感測(cè)電阻損耗,構(gòu)建了一個(gè)直流偏置電路,將電流感測(cè)輸入偏置185毫伏,從而允許在各相中使用較低值的感測(cè)電阻,減少I(mǎi)2R損耗。此外,使用可調(diào)控制器U2(LM5009)構(gòu)建了一個(gè)開(kāi)關(guān)偏置電源,避免了使用線性調(diào)節(jié)器或齊納二極管時(shí)約16瓦的損耗。

六、性能分析

6.1 效率

在DCM/CM邊界處的測(cè)試結(jié)果表明,在高達(dá)4安培的輸出電流和3.5:1的輸入電壓范圍內(nèi),效率范圍為95% - 98%。雖然在極低電流區(qū)域,由于偏置電流的影響效率較低,但這是所有調(diào)節(jié)器的共性。

6.2 紋波

交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是輸入和輸出紋波降低。輸出紋波頻率是各相頻率的兩倍,且均方根電流值較低,設(shè)計(jì)師可以選擇較小的輸出電容以獲得與單相轉(zhuǎn)換器相同的紋波,或者使用較大的電容以實(shí)現(xiàn)更低的輸出紋波。紋波減少程度與占空比有關(guān),在50%占空比時(shí),紋波幾乎完全抵消。

七、總結(jié)

通過(guò)對(duì)基于LM5032的交錯(cuò)式升壓評(píng)估板的設(shè)計(jì)和分析,我們可以看到交錯(cuò)式升壓拓?fù)湓谔岣咝?、降低紋波等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)目標(biāo)和要求,合理選擇功率級(jí)組件,以實(shí)現(xiàn)最佳的性能。同時(shí),通過(guò)采取降低損耗的措施,可以進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換器的效率和可靠性。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,不妨根據(jù)本文的分析和方法,結(jié)合具體需求進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化,你認(rèn)為在實(shí)際設(shè)計(jì)中還會(huì)遇到哪些挑戰(zhàn)呢?

八、物料清單

Qty Reference Value Description Part Number Manufacturer
7 C1, C2, C3, C4, C17, C18, C19 2.2 uF CAP, CER, 2.2μF, 50V, X7R, 10%, 1210 C3225X7R1H225K TDK
3 C11, C13, C14 100 pF CAP, CER, 100pF, 50V, COG, 5%, 0805 C2012COG1H101J TDK
2 C15, C16 150 uF CAP, ELEC, 150μF, 63V, FK, SMD EEV - FK1J151Q PANASONIC
1 C20 0.1 uF CAP, CER, 0.1μF, 100V, X7R, 10%, 1206 C3216X7R2A104K TDK
1 C24 470 pF CAP, CER, 470pF, 50V, COG, 5%, 0805 GRM2165C1H471JA01D MURATA
8 C5, C6, C10, C12, C21, C22, C23, C25 0.1 uF CAP, CER, 0.1μF, 100V, X7R, 10%, 0805 C2012X7R2A104K TDK
2 C7, C8 0.01 uF CAP, CER, .01μF, 50V, X7R, 10%, 0805 08055C103KAT2A AVX
1 C9 22 uF CAP,CER, 22μF, 10V, X7R, 10%, 1210 GRM32ER71A226KE20L MURATA
1 D1 - DIODE, SCHOTTKY, 60V, 0.5A, SOT - 23 ZHCS506TA ZETEX
2 D2 - DIODE, SCHOTTKY, 60V, 15A, CC, D2PAK MBRB1560CT/31 VISHAY
1 D4 - DIODE, HS SWITCHING, SOD - 323 CMDD4448 CENTRAL SEMI
4 J1, J2, J3, J4 - I/O TERM, SCREW, VERT, SNAP IN 7693 KEYSTONE
3 J5, J6, J7 - TP TEST POINT, PC, WHT 5012 KEYSTONE
1 L1 330 uH INDUCTOR, 330μH, Pb FREE SDR0503 - 331KL BOURNS
2 L2, L3 15 uH INDUCTOR, 15μH, 2.3mOHM, 28A SER2807H - 153KL COILCRAFT
2 Q1, Q2 - N - CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, DPAK SUD50N06 - 09L - E3 VISHAY
1 R1 160k RES, 160K, 1/8W, 1%, 0805, SMD CRCW0805160KFKEA VISHAY
2 R12, R13 0.02 RES .02 OHM 2W 1% 0830 SMD RL7520WT - R020 - F SUSUMU
1 R2 110k RES, 110K, 1/8W, 1%, 0805, SMD CRCW0805110KFKEA VISHAY
2 R23, R24 10.0k RES 10.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080510K0FKEA VISHAY
1 R25 4.75k RES 4.75K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW08054K75FKEA VISHAY
1 R26 30.1k RES 30.1K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080530K1FKEA VISHAY
1 R27 10 RES 10.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080510R0FKEA VISHAY
1 R28 24.9k RES 24.9K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080524K9FKEA VISHAY
1 R29 1.10k RES ANTI - SULFUR 1.1K OHM 1% 0805 ERJ - S06F1101V PANANSONIC
1 R3 22.1k RES 22.1K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080522K1FKEA VISHAY
1 R4 7.32k RES 7.32K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW08057K32FKEA VISHAY
1 R5 4.02 RES 4.02K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW08054K02FKEA VISHAY
1 R6 17.4k RES 17.4K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080517K4FKEA VISHAY
3 R7, R10, R11 1.00k RES 1.00K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW08051K00FKEA VISHAY
2 R8, R22 2.00k RES 2.00K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW08052K00FKEA VISHAY
2 R9, R30 69.8k RES 69.8K OHM 1/8W 1% 0805 SMD CRCW080569K8FKEA VISHAY
1 U1 - DUAL INTERLEAVED CM CONTROLLER LM5032 Texas Instruments
1 U2 - 100V STEP DOWN SW REGULATOR LM5009 Texas Instruments
1 U3 - MICROPOWER SHUNT REFERENCE
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