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探索EFC2J004NUZ:適用于單節(jié)鋰離子電池保護(hù)的N溝道雙功率MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-21 16:55 ? 次閱讀
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探索EFC2J004NUZ:適用于單節(jié)鋰離子電池保護(hù)的N溝道雙功率MOSFET

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,尤其是在電池保護(hù)等應(yīng)用中。今天,我們就來詳細(xì)探討一下安森美(onsemi)的EFC2J004NUZ這款功率MOSFET。

文件下載:EFC2J004NUZ-D.PDF

產(chǎn)品概述

EFC2J004NUZ是一款單節(jié)鋰離子電池保護(hù)用的N溝道雙功率MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻的特性。這種特性使得它非常適合作為便攜式設(shè)備的功率開關(guān),特別是在單節(jié)鋰離子電池相關(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

產(chǎn)品特性

驅(qū)動與ESD保護(hù)

  • 2.5V驅(qū)動:支持較低的驅(qū)動電壓,有利于降低功耗,適用于對功耗要求較高的便攜式設(shè)備。
  • 2kV ESD HBM:具備2kV的人體靜電放電模式(HBM)防護(hù)能力,能有效防止靜電對器件的損壞,提高了產(chǎn)品的可靠性。

結(jié)構(gòu)與環(huán)保特性

  • 共漏型結(jié)構(gòu):采用Common - Drain Type結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)在電路設(shè)計(jì)中具有一定的優(yōu)勢,能簡化電路布局。
  • ESD二極管保護(hù)柵極:柵極有ESD二極管保護(hù),進(jìn)一步增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
  • 環(huán)保特性:符合Pb - Free(無鉛)、Halide Free(無鹵)和RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用場景

EFC2J004NUZ主要應(yīng)用于單節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池的使用過程中,需要精確控制充電和放電過程,以確保電池的安全和性能。這款MOSFET能夠很好地滿足這一需求,為電池提供可靠的保護(hù)。

規(guī)格參數(shù)

絕對最大額定值

在25°C的環(huán)境溫度下,該器件的一些關(guān)鍵絕對最大額定值如下: 參數(shù) 符號 單位
源極到源極電壓 VSSS 12 V
柵極到源極電壓 VGSS ±8 V
源極電流(直流) IS 14 A
源極電流(脈沖) ISP 60 A
總功耗 PT 1.5 W
結(jié)溫 Tj 150 °C
存儲溫度 Tstg -55 到 +150 °C

需要注意的是,如果超過這些最大額定值,可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

熱阻額定值

結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA為83 °C/W(在陶瓷基板上表面貼裝,尺寸為5000 mm2 × 0.8 mm)。熱阻參數(shù)對于評估器件的散熱性能非常重要,在設(shè)計(jì)散熱方案時(shí)需要考慮。

電氣特性

在25°C的環(huán)境溫度下,該器件的一些關(guān)鍵電氣特性如下: 參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
源極到源極擊穿電壓 V(BR)SSS IS = 1 mA, VGS = 0 V 12 - - V
零柵極電壓源極電流 ISSS VSS = 10 V, VGS = 0 V - - 1 A
柵極到源極泄漏電流 IGSS VGS = ±8 V, VSS = 0 V - - ±1 A
柵極閾值電壓 VGS(th) VSS = 6 V, IS = 1 mA 0.4 - 1.3 V
靜態(tài)源極到源極導(dǎo)通電阻 RSS(on) IS = 5 A, VGS = 4.5 V 3.7 5.4 7.1
IS = 5 A, VGS = 3.8 V 4.1 5.9 7.7
IS = 5 A, VGS = 3.1 V 4.6 6.7 9.5
IS = 5 A, VGS = 2.5 V 5.8 8.4 12.4
開啟延遲時(shí)間 td(on) VSS = 5 V, VGS = 3.8 V, IS = 5 A, Rg = 10 kΩ - 15 - μs
上升時(shí)間 tr - 35 - μs
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - 100 - μs
下降時(shí)間 tf - 75 - μs
總柵極電荷 Qg VSS = 6 V, VGS = 4.5 V, IS = 14 A - 36 - nC
正向源極到源極電壓 VF(S - S) IS = 3 A, VGS = 0 V - 0.76 - V

這些電氣特性是在特定的測試條件下得到的,如果實(shí)際工作條件不同,產(chǎn)品性能可能會有所差異。

封裝與訂購信息

封裝

該器件采用WLCSP6封裝,尺寸為2.11x1.18x0.10。這種封裝形式體積小,適合應(yīng)用于對空間要求較高的便攜式設(shè)備。

訂購信息

器件標(biāo)記為EFC2J004NUZTDG,包裝為5000個(gè)/卷帶包裝。對于卷帶規(guī)格的詳細(xì)信息,可以參考安森美的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure(BRD8011/D)。

使用注意事項(xiàng)

由于EFC2J004NUZ是MOSFET產(chǎn)品,在使用時(shí)應(yīng)避免在高電荷物體附近使用。如果要用于指定應(yīng)用以外的場景,請聯(lián)系銷售部門。

總的來說,EFC2J004NUZ是一款性能出色的功率MOSFET,在單節(jié)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師可以根據(jù)具體的需求和應(yīng)用場景,合理選擇和使用這款器件。你在使用類似MOSFET器件時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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