探索BSS123 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是至關(guān)重要的元件,它們廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們要深入了解的是安森美(onsemi)的BSS123 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它在低電壓、低電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
文件下載:BSS123-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
BSS123采用安森美專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)制造。這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠在保證晶體管性能的同時(shí),盡可能地降低導(dǎo)通電阻。它專(zhuān)為低電壓、低電流應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于小型伺服電機(jī)控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以及其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
二、產(chǎn)品特性
1. 電氣參數(shù)
- 電壓與電流:最大漏源電壓(VDSS)為100V,連續(xù)漏極電流(ID)為0.17A,脈沖漏極電流可達(dá)0.68A。
- 導(dǎo)通電阻:當(dāng)柵源電壓(VGS)為10V時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(on))為6Ω;當(dāng)VGS為4.5V時(shí),RDS(on)為10Ω。如此低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功耗,提高電路效率。
2. 設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)
- 高密度單元設(shè)計(jì):這種設(shè)計(jì)使得BSS123具有極低的導(dǎo)通電阻,提高了晶體管的性能和效率。
- 堅(jiān)固可靠:能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境中穩(wěn)定工作,保證了產(chǎn)品的可靠性。
- 緊湊封裝:采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOT - 23表面貼裝封裝,體積小巧,節(jié)省電路板空間,適合小型化設(shè)計(jì)。
- 環(huán)保特性:該器件無(wú)鉛且無(wú)鹵素,符合環(huán)保要求。
三、絕對(duì)最大額定值
| 在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須嚴(yán)格遵守器件的絕對(duì)最大額定值,以確保器件的安全和可靠運(yùn)行。以下是BSS123的主要絕對(duì)最大額定值: | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓(VDSS) | 100 | V | |
| 柵源電壓(VGSS) | ±20 | V | |
| 連續(xù)漏極電流(ID) | 0.17 | A | |
| 脈沖漏極電流 | 0.68 | A | |
| 最大功耗(PD) | 0.36 | W | |
| 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍(TJ, TSTG) | -55 to +150 | °C | |
| 焊接時(shí)最大引腳溫度(TL) | 300 | °C |
如果超過(guò)這些額定值,可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
四、電氣特性
1. 關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓(BVDSS):當(dāng)VGS = 0V,ID = 250μA時(shí),BVDSS為100V。
- 擊穿電壓溫度系數(shù)(BVDSS TJ):在ID = 250μA時(shí),參考25°C的溫度系數(shù)為 - 97mV/°C。
- 零柵壓漏極電流(IDSS):在不同的VDS和VGS條件下,IDSS的值有所不同,例如在VDS = 100V,VGS = 0V時(shí),IDSS最大為1μA。
2. 導(dǎo)通特性
- 柵極閾值電壓(VGS(th)):當(dāng)VDS = VGS,ID = 1mA時(shí),VGS(th)的典型值為1.7V,范圍在0.8 - 2V之間。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(on)):隨著VGS和ID的變化而變化,例如在VGS = 10V,ID = 0.17A時(shí),RDS(on)的典型值為1.2Ω,最大值為6Ω。
3. 動(dòng)態(tài)特性
- 輸入電容(Ciss):在VDS = 25V,VGS = 0V,f = 1.0MHz時(shí),Ciss的典型值為73pF。
- 輸出電容(Coss):典型值為7pF。
- 反向傳輸電容(Crss):典型值為3.4pF。
4. 開(kāi)關(guān)特性
- 導(dǎo)通延遲時(shí)間(td(on)):在VDD = 30V,ID = 0.28A,VGS = 10V,RGEN = 6Ω的條件下,td(on)的典型值為1.7ns,最大值為3.4ns。
- 導(dǎo)通上升時(shí)間(tr):典型值為9ns,最大值為18ns。
- 關(guān)斷延遲時(shí)間(td(off)):典型值為17ns,最大值為31ns。
- 關(guān)斷下降時(shí)間(tf):典型值為2.4ns,最大值為5ns。
五、典型特性曲線(xiàn)
文檔中提供了多個(gè)典型特性曲線(xiàn),這些曲線(xiàn)對(duì)于深入了解BSS123的性能非常有幫助。例如,導(dǎo)通區(qū)域特性曲線(xiàn)展示了漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系;導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化曲線(xiàn),能幫助我們更好地選擇合適的工作點(diǎn)。
六、封裝與尺寸
BSS123采用SOT - 23封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。文檔中詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息,包括各個(gè)引腳的尺寸和位置,這對(duì)于電路板設(shè)計(jì)非常重要。
七、應(yīng)用建議
在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要根據(jù)具體的電路要求選擇合適的工作點(diǎn)。例如,在小型伺服電機(jī)控制中,要根據(jù)電機(jī)的功率和電壓要求,合理選擇BSS123的工作參數(shù),以確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),要注意散熱設(shè)計(jì),避免器件因過(guò)熱而損壞。
總之,BSS123是一款性能優(yōu)異的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在低電壓、低電流應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。作為電子工程師,我們可以根據(jù)其特性和參數(shù),合理地將其應(yīng)用到各種電路設(shè)計(jì)中。大家在使用過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
425瀏覽量
20706 -
BSS123
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
1648
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
如何判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向,學(xué)會(huì)這幾步輕松搞定
MOS管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系,看完后就全明白了
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)及作用
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)及使用
溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管AO4407A_datasheet
BSS123 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
探索BSS123 N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
評(píng)論