onsemi 2N7002W/2V7002W小信號N溝道MOSFET深度解析
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號N溝道MOSFET深度解析
在電子電路設(shè)計中，MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們來深入了解一下安森美（onsemi）推出的2N7002W和2V7002W小信號N溝道MOSFET，看看它們的特性、參數(shù)以及適用場景。
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一、產(chǎn)品特性
1. ESD保護
這兩款MOSFET具備ESD保護功能，能夠有效抵御靜電放電帶來的損害，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性，對于一些容易產(chǎn)生靜電的應(yīng)用場景尤為重要。
2. 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）
低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗較小，能夠提高電路的效率，減少發(fā)熱，對于對功耗有嚴格要求的應(yīng)用非常關(guān)鍵。
3. 小尺寸表面貼裝封裝
采用SC - 70封裝，具有小尺寸的特點，節(jié)省了電路板空間，適合用于對空間要求較高的便攜式設(shè)備等應(yīng)用。
4. 汽車級應(yīng)用及合規(guī)性
2V前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認證，具備PPAP能力。同時，這些器件無鉛、無鹵素、無溴化阻燃劑，符合RoHS標(biāo)準。
二、應(yīng)用場景
1. 低端負載開關(guān)
可用于控制負載的通斷，實現(xiàn)對電路中負載的靈活控制。
2. 電平轉(zhuǎn)換電路
在不同電平之間進行轉(zhuǎn)換，確保信號在不同電路模塊之間的正確傳輸。
3. DC - DC轉(zhuǎn)換器
在直流 - 直流轉(zhuǎn)換電路中發(fā)揮作用，實現(xiàn)電壓的變換和調(diào)節(jié)。
4. 便攜式應(yīng)用
如數(shù)碼相機（DSC）、個人數(shù)字助理（PDA）、手機等，其小尺寸和低功耗的特點非常適合便攜式設(shè)備的需求。
三、最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V |
| 穩(wěn)態(tài)電流（TA = 25°C） | ID | 310 | mA |
| 穩(wěn)態(tài)電流（TA = 85°C） | ID | 220 | mA |
| 短時間電流（t < 5s，TA = 25°C） | ID | 340 | mA |
| 短時間電流（t < 5s，TA = 85°C） | ID | 240 | mA |
| 功率耗散（穩(wěn)態(tài)） | PD | 280 | mW |
| 功率耗散（t < 5s） | PD | 330 | mW |
| 最大漏極電流 | IDM | 1.4 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | -55 至 150 | °C | |
| 源極電流（體二極管） | Is | mA | |
| 焊接用引腳溫度（距外殼1/8"，10s） | TL | 260 | °C |
| 柵源ESD額定值（HBM，方法3015） | ESD | 2000 | V |
需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
四、熱特性
| 特性 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| （注1） | RUA | 450 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻（t ≤ 5s，注1） | RUA | 375 | °C/W |
這里的熱阻參數(shù)對于評估器件在工作過程中的散熱情況非常重要，工程師在設(shè)計時需要根據(jù)實際情況進行散熱設(shè)計。
五、電氣特性
1. 關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）：VGS = 0 V，ID = 250 μA時，為60 V。
- 漏源擊穿電壓溫度系數(shù)（V(BR)DSS/TJ）：71 mV/°C。
- 零柵壓漏極電流（IDSS）：在不同溫度和電壓條件下有不同的值，如TJ = 25°C，VGS = 0 V，VDS = 60 V時為1.0 μA；TJ = 150°C，VGS = 0 V，VDS = 60 V時為15 μA等。
- 柵源泄漏電流（IGSS）：在不同的VGS和VDS條件下有不同的值。
2. 導(dǎo)通特性
- 柵閾值電壓（VGS(TH)）：VGS = VDS，ID = 250 μA時，范圍為1.0 - 2.5 V。
- 柵閾值電壓溫度系數(shù)（VGS(TH)/TJ）：4.0 mV/°C。
- 漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：VGS = 10 V，ID = 500 mA時，最大值為1.6 Ω；VGS = 4.5 V，ID = 200 mA時，最大值為2.5 Ω。
- 正向跨導(dǎo)（gFS）：VDS = 5 V，ID = 200 mA時，為530 mS。
3. 電荷和電容特性
- 輸入電容（CISS）：VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 20 V時，為24.5 pF。
- 輸出電容（COSS）：4.2 pF。
- 反向傳輸電容（CRSS）：2.2 pF。
- 總柵電荷（QG(TOT)）：VGS = 4.5 V，VDS = 10 V，ID = 200 mA時，為0.7 nC。
- 閾值柵電荷（QG(TH)）：0.1 nC。
- 柵源電荷（QGS）：0.3 nC。
- 柵漏電荷（QGD）：0.1 nC。
4. 開關(guān)特性
- 導(dǎo)通延遲時間（td(ON)）：VGS = 10 V，VDD = 25 V，ID = 500 mA，RG = 25 Ω時，為12.2 ns。
- 上升時間（tr）：9.0 ns。
- 關(guān)斷延遲時間（td(OFF)）：55.8 ns。
- 下降時間（tf）：29 ns。
5. 漏源二極管特性
- 正向二極管電壓（VSD）：VGS = 0 V，IS = 200 mA時，TJ = 25°C為0.8 - 1.2 V；TJ = 85°C為0.7 V。
六、封裝信息
| 采用SC - 70（SOT - 323）封裝，具體的封裝尺寸如下： | 尺寸 | 毫米（最小值） | 毫米（標(biāo)稱值） | 毫米（最大值） | 英寸（最小值） | 英寸（標(biāo)稱值） | 英寸（最大值） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A | 0.80 | 0.90 | 1.00 | 0.032 | 0.035 | 0.040 | |
| A1 | 0.00 | 0.05 | 0.10 | 0.000 | 0.002 | 0.004 | |
| A2 | 0.70 REF | 0.028 BSC | |||||
| b | 0.30 | 0.35 | 0.40 | 0.012 | 0.014 | 0.016 | |
| C | 0.10 | 0.18 | 0.25 | 0.004 | 0.007 | 0.010 | |
| D | 1.80 | 2.00 | 2.20 | 0.080 | 0.087 | ||
| E | 1.15 | 1.24 | 1.35 | 0.045 | 0.049 | 0.053 | |
| e | 1.20 | 1.30 | 1.40 | 0.047 | 0.051 | 0.055 | |
| el | 0.65 BSC | 0.026 BSC | |||||
| L | 0.20 | 0.38 | 0.56 | 0.008 | 0.015 | 0.022 | |
| HE | 2.00 | 2.10 | 2.40 | 0.079 | 0.083 | 0.095 |
七、訂購信息
| 器件 | 封裝 | 包裝 |
|---|---|---|
| 2N7002WT1G | SC - 70（無鉛） | 3000/卷帶包裝 |
| 2V7002WT1G | SC - 70（無鉛） | 3000/卷帶包裝 |
在實際設(shè)計中，工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮這些特性和參數(shù)，合理選擇和使用這兩款MOSFET。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
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60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV
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