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【硬核實(shí)測(cè)】芯茂微 1KW SiC 金牌 ATX 電源方案:國(guó)產(chǎn)全自研芯片架構(gòu),效率逼近鉑金級(jí)

? 來(lái)源:jf_54510439 ? 作者:jf_54510439 ? 2026-04-22 14:23 ? 次閱讀
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隨著 AI 臺(tái)式機(jī)、高端電競(jìng)主機(jī)、入門級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),1000W 等級(jí) ATX 電源已成為高端桌面及小型服務(wù)器平臺(tái)的核心供電配置。當(dāng)前 1KW ATX 電源開發(fā)面臨多重行業(yè)痛點(diǎn):傳統(tǒng)硅基器件效率瓶頸難以突破,碳化硅(SiC)器件直接替換易出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)失效、柵極串?dāng)_、器件損壞問(wèn)題;LLC 拓?fù)鋭?dòng)態(tài)響應(yīng)不足,無(wú)法適配 CPU、顯卡瞬時(shí)大功率波動(dòng);整機(jī) EMI 優(yōu)化難度大、雙面貼片工藝導(dǎo)致量產(chǎn)良率偏低;輔助電源待機(jī)功耗偏高,難以滿足嚴(yán)苛能效標(biāo)準(zhǔn)。

針對(duì)上述行業(yè)痛點(diǎn),芯茂微推出 1KW 碳化硅金牌 ATX 電源完整解決方案,采用全鏈路自研 AC-DC 電源管理芯片,搭配專屬 SiC 驅(qū)動(dòng)與電流模式 LLC 架構(gòu),在效率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)、可靠性及量產(chǎn)性上實(shí)現(xiàn)全面優(yōu)化,可直接支撐 80Plus 金牌認(rèn)證電源開發(fā)。

一、方案核心亮點(diǎn)速覽

寬壓輸入:90–264Vac 全范圍適配,實(shí)測(cè)輸出功率 1003.7W,滿足 1KW 額定輸出要求

高效能:230Vac/50% 負(fù)載效率達(dá) 93.24%,整體效率優(yōu)于 80Plus 金牌標(biāo)準(zhǔn),逼近鉑金水平

高可靠:SiC 專用驅(qū)動(dòng)內(nèi)置 DSAT 保護(hù)與米勒鉗位,從硬件層面避免 SiC 器件欠驅(qū)動(dòng)損壞

優(yōu)動(dòng)態(tài):電流模式 LLC 實(shí)現(xiàn) 0%~100% 負(fù)載跳變 0.75Vp-p 響應(yīng),適配瞬時(shí)大功率負(fù)載

易量產(chǎn):?jiǎn)蚊尜N片工藝,簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程,提升整機(jī)制造直通率

全自研:PFC、LLC、同步整流、SiC 驅(qū)動(dòng)、輔助電源芯片均為國(guó)產(chǎn)自研,供應(yīng)鏈穩(wěn)定

二、整機(jī)方案規(guī)格與架構(gòu)

1. 基礎(chǔ)規(guī)格參數(shù)

該方案為 80Plus 金牌全模組、全 DC-DC 輸出 1KW ATX 電源,核心實(shí)測(cè)參數(shù)如下:

輸入電壓:90–264Vac,工作頻率 47–63Hz

輸出配置:+3.3V/0~18A、+5V/0~18A、+12V/0~83.3A、-12V/0~0.3A、+5VSB/0~3A

穩(wěn)壓精度:各路輸出精度均優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)要求,+12V 精度達(dá) + 0.15%/-0.18%

輸出紋波:≤30mV/68mVp-p,低于標(biāo)準(zhǔn)限定值

保護(hù)功能:支持 OCP、OVP、短路保護(hù),輸出保持時(shí)間 15.6ms

2. 整體拓?fù)浼軜?gòu)

方案采用CCM PFC + 電流模式 LLC + LLC 同步整流 + 輔助供電系統(tǒng)四級(jí)架構(gòu),所有核心控制芯片均為芯茂微自研,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化:

前級(jí):CCM 模式 PFC + SiC 專用驅(qū)動(dòng)

主級(jí):電流模式 LLC 諧振變換

次級(jí):LLC 同步整流輸出

輔助:X 電容放電 + 高壓啟動(dòng) + 5VSB 反激同步整流

三、核心模塊技術(shù)解析

【前級(jí)】CCM 模式 PFC + SiC 專用驅(qū)動(dòng)

1KW 等級(jí)大功率電源采用 CCM 連續(xù)導(dǎo)通模式 PFC,電感電流紋波小,可降低輸入濾波電路要求;搭配 SiC 肖特基二極管,消除反向恢復(fù)損耗,提升效率與 EMI 性能。

LP6655 CCM PFC 控制器:支持 65kHz/133kHz/200kHz 三檔開關(guān)頻率,具備輸入欠壓、電感過(guò)流、FB 短路、限功率輸出保護(hù),可實(shí)現(xiàn)跟隨式 PFC 控制。

LP7012A SiC 專用驅(qū)動(dòng):驅(qū)動(dòng)電流 + 0.8A/-1.5A,內(nèi)置 DSAT 退飽和保護(hù)、米勒鉗位、CBC 過(guò)流保護(hù)與故障反饋功能,可抑制 SiC MOS 米勒串?dāng)_,避免欠驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的器件壓降過(guò)大、發(fā)熱損壞問(wèn)題,在啟動(dòng)、關(guān)機(jī)、輔助電源短路等工況下可實(shí)現(xiàn)主動(dòng)封波保護(hù)。

【主級(jí)】電流模式 LLC(LP9961)

LP9961 系列電流模式 LLC 為方案核心控制單元,相比傳統(tǒng)電壓模式 LLC 具備顯著優(yōu)勢(shì):

諧振槽采用電流模式運(yùn)行,實(shí)時(shí)檢測(cè)諧振電容電壓與電流,實(shí)現(xiàn)雙向能量控制,響應(yīng)速度更快;

工作頻率覆蓋 25kHz~1MHz,適配寬范圍工況;

內(nèi)置 ZCS 規(guī)避電路,通過(guò)檢測(cè)諧振電流極性,避免啟動(dòng)、負(fù)載突增、輸出短路時(shí)進(jìn)入容性區(qū),防止橋臂直通與體二極管反向恢復(fù)損壞;

CBC 逐波限流功能,輸出短路時(shí)可將諧振槽電流限制在 20A 以內(nèi),多次限流后進(jìn)入保護(hù)停機(jī);

內(nèi)置 OTP 可編程單元,支持 100 余項(xiàng)參數(shù)離線燒錄調(diào)試,適配多場(chǎng)景量產(chǎn)需求;

軟起動(dòng)過(guò)程中諧振電流、電壓平穩(wěn)上升,無(wú)過(guò)沖,ZCS 規(guī)避功能持續(xù)生效,提升開機(jī)可靠性。

實(shí)測(cè)負(fù)載動(dòng)態(tài)響應(yīng):25%~100% 負(fù)載跳變 0.42Vp-p,0%~100% 負(fù)載跳變 0.75Vp-p,25%~150% 負(fù)載跳變 0.7Vp-p,可完美適配 AI PC、高端顯卡瞬時(shí)大功率波動(dòng)。

【次級(jí)】LLC 同步整流(LP3525D)

針對(duì) 1KW 大電流輸出場(chǎng)景,方案采用 LP3525D 同步整流芯片:

具備雙邊獨(dú)立開爾文走線,適配大功率應(yīng)用,PCB 布線更便捷;

采用自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)策略,輕載時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓 3.58V,降低驅(qū)動(dòng)損耗;滿載時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓 8.79V,減小同步整流管導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)全負(fù)載段效率最優(yōu);

芯茂微同步整流系列覆蓋 120V–300V 耐壓,可適配低壓大電流、高壓輸出等多類電源場(chǎng)景。

【輔助系統(tǒng)】低待機(jī)功耗供電方案

LP8102 X 電容放電 + 高壓?jiǎn)?dòng)芯片:700V 耐壓,10mA 啟動(dòng)電流,支持交流偵測(cè)與 X 電容主動(dòng)放電,90–265Vac 輸入下待機(jī)功耗僅 33–46mW,顯著低于傳統(tǒng)電阻放電方案;

5VSB 輔助電源:采用原邊 LP8728A 反激芯片 + 副邊 LP15R060S 同步整流芯片,固定頻率 SSR 架構(gòu),實(shí)現(xiàn) 5V/3A 穩(wěn)定輸出,轉(zhuǎn)換效率最高達(dá) 82.66%。

四、全工況實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

1. 效率實(shí)測(cè)(優(yōu)于 80Plus 金牌標(biāo)準(zhǔn))

輸入電壓 20% 負(fù)載 50% 負(fù)載 100% 負(fù)載 20W 輕載
115Vac 90.73% 91.46% 88.50% 69.08%
230Vac 92.15% 93.24% 91.34% 70.31%

2. 輸出精度與紋波

輸出支路 標(biāo)準(zhǔn)精度 實(shí)測(cè)精度 標(biāo)準(zhǔn)紋波 實(shí)測(cè)紋波
+3.3V ±3% +1.45%/-1.94% 50mV/120mVp-p 30mV/68mVp-p
+5V ±3% +0.02%/-2.76%
+12V ±5% +0.15%/-0.18%
-12V ±5% +0.2%/-0.5%
+5VSB ±8% +0.22%/-1.92%

五、方案橫向?qū)Ρ?/p>

對(duì)比維度 傳統(tǒng)硅基 1KW 金牌方案 芯茂微 SiC 自研方案 國(guó)外芯片 SiC 方案
峰值效率 ≤91% 93.24% 92%–93%
SiC 器件可靠性 易欠驅(qū)動(dòng)損壞 專屬驅(qū)動(dòng)保護(hù),高可靠 依賴外圍電路保護(hù)
動(dòng)態(tài)響應(yīng) 負(fù)載跳變過(guò)沖大 0.75Vp-p(0~100%) 中等
量產(chǎn)工藝 雙面貼片,良率偏低 單面貼片,高直通率 常規(guī)工藝
供應(yīng)鏈穩(wěn)定性 依賴進(jìn)口器件 全自研,國(guó)產(chǎn)可控 受國(guó)際供應(yīng)影響
整體成本 中等 SiC 方案成本更低 偏高

六、量產(chǎn)設(shè)計(jì)要點(diǎn)與避坑

SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):采用 LP7012A 專用驅(qū)動(dòng),保留 DSAT 保護(hù)與米勒鉗位功能,避免通用驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的柵極串?dāng)_與欠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題;

LLC 參數(shù)配置:通過(guò)脫機(jī)編程器調(diào)試 OTP 參數(shù),重點(diǎn)優(yōu)化 ZCS 規(guī)避閾值、CBC 限流值、軟起動(dòng)時(shí)序,適配不同變壓器參數(shù);

工藝優(yōu)化:采用單面貼片布局,簡(jiǎn)化 SMT 流程,降低制造難度,提升批量生產(chǎn)良率;

EMI 優(yōu)化:SiC MOS 自身 EMI 性能優(yōu)異,配合 CCM PFC 小電流紋波特性,可簡(jiǎn)化濾波電路,降低 BOM 成本;

輔助電源:選用 LP8102 集成高壓?jiǎn)?dòng)與 X 電容放電方案,替代傳統(tǒng)電阻,降低待機(jī)功耗,滿足能效認(rèn)證要求。

七、企業(yè)技術(shù)支撐

芯茂微為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 AC-DC 電源管理芯片設(shè)計(jì)企業(yè),具備設(shè)計(jì) - 研發(fā) - 封測(cè)全鏈條能力:

產(chǎn)業(yè)布局:深圳總部、上海研發(fā)中心、長(zhǎng)沙工程技術(shù)中心,以及湖南衡陽(yáng)車規(guī)級(jí)封測(cè)廠,總投資 1.5 億元,年產(chǎn)能 20 億片;

產(chǎn)品矩陣:量產(chǎn)型號(hào)超 2000 款,覆蓋 1W~20KW 功率范圍,包含 PFC、LLC、同步整流、SiC 驅(qū)動(dòng)等全拓?fù)湫酒?/p>

可靠性保障:自建可靠性實(shí)驗(yàn)室,可完成 HTRB、HTOL、HAST、PCT 等全項(xiàng)可靠性測(cè)試,產(chǎn)品通過(guò)車規(guī)級(jí) AEC-Q100 認(rèn)證驗(yàn)證;

技術(shù)服務(wù):提供脫機(jī)編程工具、方案參考設(shè)計(jì)、量產(chǎn)調(diào)試支持,縮短客戶開發(fā)周期。

八、適用場(chǎng)景

該 1KW SiC 金牌 ATX 電源方案可廣泛應(yīng)用于:

高端 AI 臺(tái)式機(jī)、旗艦電競(jìng)主機(jī)供電;

小型服務(wù)器、工作站電源系統(tǒng);

工業(yè)控制、高端桌面設(shè)備、工控主機(jī)供電;

需 80Plus 金牌認(rèn)證的高性能 ATX 電源產(chǎn)品。

總結(jié)

芯茂微 1KW 碳化硅金牌 ATX 電源方案,基于全鏈路國(guó)產(chǎn)自研 AC-DC 芯片架構(gòu),通過(guò) CCM PFC、電流模式 LLC、SiC 專用驅(qū)動(dòng)、自適應(yīng)同步整流等技術(shù)組合,實(shí)現(xiàn)了效率、動(dòng)態(tài)響應(yīng)、可靠性與量產(chǎn)性的協(xié)同優(yōu)化。方案不僅突破傳統(tǒng)硅基器件效率瓶頸,解決了 SiC 器件應(yīng)用易損壞、驅(qū)動(dòng)難匹配的行業(yè)痛點(diǎn),同時(shí)憑借單面貼片工藝、全自研芯片供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì),降低了電源開發(fā)與量產(chǎn)成本。

該方案可為電源廠商提供高性能、高可靠、易落地的 1KW 級(jí) ATX 電源參考設(shè)計(jì),是高端桌面及小型服務(wù)器平臺(tái)供電方案的優(yōu)質(zhì)選擇。

審核編輯 黃宇

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    全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局正經(jīng)歷深度調(diào)整,國(guó)產(chǎn)芯片崛起已是大勢(shì)所趨,一批中國(guó)企業(yè)正以硬核實(shí)力打破外資壟斷壁壘,逐步縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距。作為其中的堅(jiān)實(shí)力量,瑞之辰扎根
    的頭像 發(fā)表于 09-11 11:58 ?2616次閱讀
    瑞之辰<b class='flag-5'>電源</b>管理<b class='flag-5'>芯片</b>與傳感器技術(shù)成就<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>芯</b>勢(shì)力

    全新AI視覺(jué)芯片RV1126B解析,性能參數(shù)配置與型號(hào)差異全攻略

    (Rockchip)在2025年第二季度推出了全新的Arm架構(gòu)AI視覺(jué)芯片,搭載4核Cortex-A53與
    的頭像 發(fā)表于 08-14 23:43 ?4271次閱讀
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    國(guó)產(chǎn)60V/5A同步降壓芯片SL3075替換RT6365方案解析

    <50μs) 四、典型應(yīng)用場(chǎng)景與案例分析 1. 工業(yè)級(jí)48V電源系統(tǒng) 原方案痛點(diǎn)?:RT6365在高溫環(huán)境下效率下降明顯 替換效果?:SL
    發(fā)表于 05-09 11:57

    安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源

    安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過(guò)Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了多
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    安森美高效<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>方案</b>:基于GaN技術(shù)的<b class='flag-5'>1KW</b>智能工業(yè)<b class='flag-5'>電源</b>
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