2026年4月18日，第十九屆中國電子信息年會在武漢·中國光谷科技會展中心隆重開幕。本屆年會以“e創(chuàng)未來”為主題，匯聚數(shù)十位兩院院士、千余名行業(yè)專家及產(chǎn)業(yè)鏈代表，圍繞集成電路、網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能與大模型、先進(jìn)材料等前沿方向展開深度對話。作為電子信息領(lǐng)域最具權(quán)威性的國家級學(xué)術(shù)盛會，本屆年會聚焦產(chǎn)業(yè)痛點與前沿趨勢，旨在為我國電子信息產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新凝聚智力支持、搭建高端交流平臺。

4月19日上午，年會核心專題論壇“智能引領(lǐng)，創(chuàng)芯未來”如期舉行。杭州電子科技大學(xué)微電子研究院院長、杭州華瀾微電子股份有限公司首席科學(xué)家駱建軍教授作大會主題報告《存儲主控芯片關(guān)鍵技術(shù)和發(fā)展展望》。

駱建軍在報告中指出，我國在信息產(chǎn)業(yè)重要技術(shù)方向均有布局和持續(xù)進(jìn)展，從處理器（如飛騰、龍芯、申威等）、操作系統(tǒng)（如麒麟和統(tǒng)信等）到數(shù)據(jù)存儲（包括存儲器和存儲控制器）已形成三大核心產(chǎn)業(yè)體系。數(shù)據(jù)存儲技術(shù)正在從磁介質(zhì)的硬盤發(fā)展到以半導(dǎo)體閃存為介質(zhì)的固態(tài)硬盤，這一技術(shù)更新?lián)Q代給我國存儲產(chǎn)業(yè)提供了千載難逢的好機(jī)會。閃存存儲器相當(dāng)于存儲的倉庫，而存儲主控芯片是固態(tài)存儲的“大腦”和“看門人”，直接決定系統(tǒng)性能、可靠性與信息安全。圍繞核心技術(shù)自主可控，駱建軍分享了其團(tuán)隊多年的攻堅成果。他帶領(lǐng)杭電與華瀾微技術(shù)團(tuán)隊，堅持全棧式、全鏈條自主研發(fā)，在芯片架構(gòu)創(chuàng)新、閃存管理算法、數(shù)據(jù)糾錯、安全加密等核心領(lǐng)域持續(xù)突破，形成完整的技術(shù)體系，為數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制、信息安全等國家關(guān)鍵領(lǐng)域提供了穩(wěn)定可靠的國產(chǎn)芯支撐。面向未來，駱建軍表示，隨著新一代接口技術(shù)，3D閃存、存算一體等技術(shù)的快速演進(jìn)，存儲主控芯片將向更高性能、更低功耗、更高集成度、更安全智能的方向發(fā)展，他介紹了在閃存糾錯算法、存儲空間均衡算法、多通道冗余保護(hù)等方面的創(chuàng)新技術(shù)。針對當(dāng)前高性能計算和人工智能的高性能要求，HBM(High Bandwidth Memory)正在演進(jìn)到HBF(High Bandwidth Flash)，成為最近存儲產(chǎn)業(yè)熱點。他分享了團(tuán)隊近幾年探索新型存儲(如MRAM和FeRAM)融合到高性能計算的初步成果，提出了HBHM(High Bandwidth Hybrid Memory)的新架構(gòu)，并展示了實踐結(jié)果。針對邊緣計算的需求，他描述了存儲內(nèi)計算的架構(gòu)，并以存儲空間加密提供主動安全防衛(wèi)、嵌入式基礎(chǔ)算子引擎為例子，描述了端側(cè)芯片級加速計算的成果。

駱建軍教授的報告，全面總結(jié)了當(dāng)前存儲主控技術(shù)的現(xiàn)狀和未來演進(jìn)趨勢。結(jié)合我國在閃存存儲器（以長江存儲為代表）和DRAM存儲器（以合肥長鑫為代表）的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，存儲主控技術(shù)突破和相應(yīng)SOC芯片國產(chǎn)化，一起呈現(xiàn)了我國數(shù)據(jù)存儲的產(chǎn)業(yè)鏈全景。

駱建軍教授在報告最后展望了存儲技術(shù)中長期發(fā)展技術(shù)道路，從新型半導(dǎo)體存儲器件的研發(fā)，到圍繞DNA展開高效編碼和碳基算存原理的研究，為我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)邁向更高水平提供了務(wù)實思路與實踐參考。

作為我國在數(shù)據(jù)存儲主控領(lǐng)域的開拓性技術(shù)領(lǐng)軍人物，駱建軍教授帶領(lǐng)技術(shù)團(tuán)隊二十多年持續(xù)耕耘，不斷推出新主控型號填補(bǔ)國內(nèi)空白。近期，更是實現(xiàn)了存儲盤陣列控制器芯片系列的國產(chǎn)化，把我國的存儲控制器芯片技術(shù)從單個硬盤推進(jìn)到海量存儲的陣列系統(tǒng)，為我國存儲產(chǎn)業(yè)鏈打造控制器芯片的硬核節(jié)點。