2018年即將過去，Micro LED技術的發(fā)展無疑是2018年LED產業(yè)最受矚目的區(qū)塊，在迎接2019年之前，先讓我們來回顧一下幾個Micro LED的重要時刻。

一、KAIST垂直可撓式MicroLED促進頭發(fā)生長

韓國科學技術院（KAIST）日前開發(fā)出一種Micro LED可穿戴裝置，運用垂直Micro LED，成功幫助小鼠重新長出毛發(fā)。

該裝置采用一組有900個垂直Micro LED的靈活陣列，在剃光毛發(fā)的小鼠背上進行了測試。經過連續(xù)20天的治療，小鼠毛發(fā)生長的速度明顯快于未接受治療的小鼠。而且治療后小鼠新長出的毛發(fā)更長，毛發(fā)面積也更寬。

KAIST指出，Micro LED不會升溫到損害人體的皮膚，并且與傳統(tǒng)的光療激光器相比，每單位面積的能耗只是其千分之一。該研究成果可以為治療人類落發(fā)提供一個新的方法。

二、強化Micro LED的新基板材料問世

法國的Soitec更在制作氮化銦鎵高亮度藍色LED中，發(fā)明了一新基板InGaNOX，各色LED可同時于基板上長晶。在基板材料相同之下，三原色Micro LED便可用相同電壓驅動與控制。

三、新創(chuàng)與研究中心推創(chuàng)新Micro LED解決方案

英國公司Optovate成立于2008年，在開發(fā)Micro/Mini LED技術方面有悠久的歷史。今年3月，該公司宣布其在Micro LED方面取得兩項突破。首先，Optovate開發(fā)了一種使用紫外線雷射和可調整圖案掩膜的Micro LED剝離移轉技術，用于將Micro LED芯片從基板上打下并直接落在接收基板上。其次，Optovate還開發(fā)了光學陣列，可以將從Micro LED芯片射出的光線利用折射和反射原理匯聚集中。這一技術可控制微米級芯片出光，達到更高的效率，當用于LCD和OLED面板背光、Micro LED面板等時，又能使應用設計更加薄型化。

而比利時微電子研究中心(imec)也早已積極投入Micro LED設備的開發(fā)，著眼于將Micro LED芯片快速移轉至基板上的技術。透過其開發(fā)出的CSM機臺彈簧結構，可將Micro LED芯片轉移至不同的基板上，并且同時可以調整芯片的間距，增加轉移與組裝效率。Imec***區(qū)總經理Peter Lemmens認為，頭戴裝置或是智慧眼鏡等應用將可望最先受惠于Micro LED的技術發(fā)展。

此外香港的JBD也設計出可以實現單色紅色、綠色、藍色的Micro LED陣列模塊顯示器的異質整合技術。LEDinside今年也在3月訪談過JBD，并曾撰寫JBD采用晶圓接合 (Wafer Bonding) 的方式將Micro LED 做晶圓級轉移 (Wafer Level Transfer)，來做成單色的Micro LED模塊，特別是其綠光的Micro LED陣列模塊亮度高達50K nits。

Micro LED具微型化芯片與巨量轉移特質，需要的不同層次的晶圓片生產與處理制程，因此產業(yè)對于設備的需求與以往更加不同，為了讓Micro LED技術發(fā)展能持續(xù)推展，設備商今年也紛紛推出自家在強化Micro LED生產制造的技術。

兩大MOCVD廠商AIXTRON與Veeco皆展現其設備在生產波長一致性較高、缺陷密度較低的高質量磊晶硅晶圓片上的優(yōu)勢。其中，Veeco與ALLOS Semiconductor結盟，于11月時展示 ALLOS 200 mm 硅基氮化鎵磊晶硅晶圓產品技術在 Veeco Propel? MOCVD 反應器上的可復制性。

而AIXTRON也不惶多讓，旗下AIX G5+C與AIX 2800-G4 TM兩個平臺皆提供MOCVD解決方案，并且能實現高產量的生產目標。旗下采用GasFoilRotation?(GFR) 的Planetary Reactor?技術，是一種結合單晶圓旋轉和間歇式反應器處理的混合解決方案。其衛(wèi)星控制功能使用GFR來實現對單個晶圓的溫度控制和流量調節(jié)。而AIXTRON在Micro LED技術的研究開發(fā)也獲得LEDinside所舉辦的Micro LED前瞻技術比賽首獎。