集成電路制造工藝中的COAG技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的跨代演進(jìn)中,我們往往將目光聚焦于光刻機(jī)(EUV)的波長(zhǎng)抑或是晶體管架構(gòu)(從Plan....
2.5DIC集成在寬I/O接口領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用
2.5DIC集成在寬I/O接口領(lǐng)域有著重要的實(shí)際應(yīng)用,其核心結(jié)構(gòu)由一塊采用TSV(硅通孔)技術(shù)的無源....
高溫工作壽命測(cè)試的失效機(jī)制與結(jié)果判斷
高溫工作壽命測(cè)試(High Temperature Operating Life,簡(jiǎn)稱HTOL)是評(píng)....
半導(dǎo)體制造中的側(cè)墻工藝介紹
側(cè)墻工藝是半導(dǎo)體制造中形成LDD結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵,能有效抑制熱載流子效應(yīng)。本文從干法刻蝕原理出發(fā),深度解析....
無源TSV轉(zhuǎn)接板的制作方法
無源TSV轉(zhuǎn)接板作為先進(jìn)封裝的“交通樞紐”,是實(shí)現(xiàn)高密度異構(gòu)集成的核心。本文深度解析TSV高深寬比刻....
現(xiàn)代微電子器件封裝技術(shù)的發(fā)展歷程和基本類型
在現(xiàn)代微電子技術(shù)體系中,微電子器件封裝技術(shù)已演變?yōu)檫B接芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)應(yīng)用的橋梁性學(xué)科,其戰(zhàn)略地位隨A....
芯片制造中的硅片表面細(xì)拋光與最終拋光加工工藝介紹
硅片表面細(xì)拋光作為實(shí)現(xiàn)超精密加工的關(guān)鍵工序,其核心在于通過精準(zhǔn)調(diào)控拋光布材質(zhì)、拋光液成分及工藝參數(shù),....
集成電路制造中多晶硅柵刻蝕工藝介紹
在集成電路制造中,柵極線寬通常被用作技術(shù)節(jié)點(diǎn)的定義標(biāo)準(zhǔn),線寬越小,單位面積內(nèi)可容納的晶體管數(shù)量越多,....
淺談FinFET技術(shù)的深度演進(jìn)
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)自 2011 年由 Intel 商業(yè)化以來,統(tǒng)治了半導(dǎo)體先進(jìn)制程超過....
半導(dǎo)體先進(jìn)封裝和傳統(tǒng)封裝的本質(zhì)區(qū)別
半導(dǎo)體先進(jìn)封裝,本質(zhì)上是把“封裝”從芯片的保護(hù)外殼,升級(jí)成系統(tǒng)性能的一部分。
芯片制造中硅片的表面拋光加工工藝介紹
硅片表面拋光作為半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)超光滑、無損傷表面的核心工藝,其核心目標(biāo)在于通過系統(tǒng)性化學(xué)機(jī)械拋光(....
半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)如何推動(dòng)行業(yè)革新
首先,讓我們回顧一下刻蝕技術(shù)的基礎(chǔ)。刻蝕工藝在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它的主要任務(wù)是將預(yù)先....
集成電路制造中的前道、中道和后道工藝介紹
集成電路的制造,堪稱現(xiàn)代工業(yè)體系中最復(fù)雜精密的系統(tǒng)工程之一。一片硅晶圓從進(jìn)入晶圓廠到最終完成電路結(jié)構(gòu)....
芯片制造中硅片的表面處理工藝介紹
硅片表面熱處理作為半導(dǎo)體制造中調(diào)控材料特性、消除加工應(yīng)力的核心工序,其技術(shù)演進(jìn)緊密圍繞IC工藝微細(xì)化....
器件工藝協(xié)同優(yōu)化中加速版圖設(shè)計(jì)的三種方法
器件工藝協(xié)同優(yōu)化(DTCO)流程需要生成海量版圖。本文將介紹幾種借助自動(dòng)化手段,加速這一耗時(shí)流程的實(shí)....
半導(dǎo)體芯片封裝中引線框架的概念和工藝
在半導(dǎo)體芯片的制造流程中,封裝是將微小的裸芯片與外部電路系統(tǒng)連接起來的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。引線框架(Leadf....
芯片制造中硅切片工藝的切割方式和加工流程
硅切片作為半導(dǎo)體硅片制造的核心環(huán)節(jié),其加工精度與效率直接影響后續(xù)研磨、腐蝕、拋光等工序的質(zhì)量及最終芯....
背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的架構(gòu)革命
隨著晶體管密度逼近極限,傳統(tǒng)前端供電(Front-side Power Delivery)導(dǎo)致的 I....