非晶硅反熔絲FPGA技術(shù)尤其有用,它可以提供一種高電路密度與低功耗,以及非易失性編程和高可靠性的組合。為了充分發(fā)揮其可靠性,FPGA廠商需要考慮反熔絲的崩潰(wear-out)機制,并通過一種
2011-05-27 09:55:42
2552 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款應(yīng)用于嚴苛環(huán)境的高溫非易失性(nonvolatile)閃存器
2012-11-26 09:23:054264 為了實現(xiàn) 對非易失內(nèi)存的管理與利用、對文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問，本文設(shè)計并實現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:102365 并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:192378 
計算機、游戲機、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進行操作。設(shè)計人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263490 
高云半導體基于超低功耗的非易失FPGA GW1NZ-ZV器件現(xiàn)已全面量產(chǎn)，此產(chǎn)品是迄今為止功耗最低的FPGA器件。 當核電壓為0.9V時，靜態(tài)功耗不到28uW。
2020-01-06 10:29:072378 新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:543053 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
FPGA的功耗高度依賴于用戶的設(shè)計，沒有哪種單一的方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種功耗的降低，如同其它多數(shù)事物一樣，降低功耗的設(shè)計就是一種協(xié)調(diào)和平衡藝術(shù)，在進行低功耗器件的設(shè)計時，人們必須仔細權(quán)衡性能、易用性、成本
2015-02-09 14:58:01
FPGA的功耗高度依賴于用戶的設(shè)計，沒有哪種單一的方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種功耗的降低，在進行低功耗器件的設(shè)計時，人們必須仔細權(quán)衡性能、易用性、成本、密度以及功率等諸多指標。
2019-08-29 07:52:29
結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計技術(shù)在目前比以往任何時候都更有價值。隨著元件集成更多功能，并越來越小型化，對低功耗的要求持續(xù)增長。當把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時，限制設(shè)計的低功耗非常重要。如何減小動態(tài)和靜態(tài)功耗？如何使功耗最小化？
2019-08-27 07:28:24
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點的基礎(chǔ)上，加入了多項創(chuàng)新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
M0 core上運行。非易失性閃存允許進行場上堆棧升級。? 低功耗特性:? BlueNRG可以使應(yīng)用程序滿足適度緊密的峰值電流需求。在輸出功率為1dBm時，最大峰值電流只有10mA。極低功率的休眠
2023-09-08 06:02:47
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu)，從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。
2019-07-08 06:03:16
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
如何利用Freeze技術(shù)的FPGA實現(xiàn)低功耗設(shè)計？
2021-04-29 06:27:52
易失性FPGA的電源特性是什么？如何在進行板級設(shè)計時，降低系統(tǒng)的靜態(tài)與動態(tài)功耗？
2021-04-08 06:47:53
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
和傳統(tǒng)藍牙技術(shù)相比，低功耗藍牙技術(shù)的低功耗是如何實現(xiàn)的？
2021-05-18 06:23:30
在過去的幾年間，FPGA技術(shù)備受矚目，而快閃FPGA的出現(xiàn)無疑引發(fā)FPGA領(lǐng)域的一場革命，推動了FPGA的進一步飛躍。由于PPGA的特性主要由其使用的可編程技術(shù)來決定，相對于SRAM FPGA，快閃FPGA具有更好的非易失性，這使其成為FPGA設(shè)計的更好的選擇。
2019-08-05 07:59:59
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
如何利用FPGA設(shè)計技術(shù)降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:35
18 FM25C160 是美國Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。它具有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:0335 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
非易失性半導體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22883
相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術(shù)。
一些
2010-07-17 11:10:14803 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
MAX5417/MAX5418/MAX5419為非易失性、線性變化的數(shù)字電位器，實現(xiàn)機械電位器的功能，采用簡單的2線數(shù)字接口就取代了機
2010-12-21 09:51:061454 
賽普拉斯半導體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
2014年10月8號，北京——Altera公司（NASDAQ： ALTR）今天宣布開始提供非易失MAX? 10 FPGA，這是Altera第10代系列產(chǎn)品中的最新型號。
2014-10-08 13:38:301338 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 （phase-change memory, PCM）、磁阻式隨機存儲（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存儲技術(shù)已經(jīng)有了較長的開發(fā)歷史。
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計的非易失性存儲技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進行綜述
2018-01-02 19:04:400 中國北京，2018年11月19日 -全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出超低功耗非易失性數(shù)據(jù)記錄解決方案。
2018-11-21 09:06:544073 事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個功能豐富的平臺，為嵌入式設(shè)計人員提供了一種快速簡便的方法，可以在非易失性FPGA中體驗定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:292036 非易失性FPGA以其低功耗、高性價比的特點在低成本FPGA市場中展露潛力。據(jù)Altera公司產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Patrick Dorsey介紹，全球FPGA一年的市場規(guī)模為50億美元，其中
2020-01-16 10:12:004030 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計算IC“BU70013TL”。這個產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 盡管閃存和其他非易失性存儲技術(shù)已廣泛用于實現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng)，但對于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預先初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對數(shù)據(jù)完整性進行某種管理
2020-09-11 16:09:322230 FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340 功耗是各大設(shè)計不可繞過的話題，在各大設(shè)計中，我們應(yīng)當追求低功耗。為增進大家對低功耗的認識，本文將對FPGA低功耗設(shè)計予以介紹。如果你對FPGA低功耗相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。 FPGA
2020-10-28 15:02:133673 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲器概況 存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然
2020-12-07 14:26:136410 
內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
CYPRESS串行非易失性存儲器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫度下在惡劣的汽車和工業(yè)操作環(huán)境中也可防止數(shù)據(jù)
2021-01-07 15:16:02862 功耗是我們關(guān)注的設(shè)計焦點之一，優(yōu)秀的器件設(shè)計往往具備低功耗特點。在前兩篇文章中，小編對基于Freez技術(shù)的低功耗設(shè)計以及FPGA低功耗設(shè)計有所介紹。為增進大家對低功耗的了解，以及方便大家更好的實現(xiàn)低功耗設(shè)計，本文將對FPGA具備的功耗加以詳細闡述。如果你對低功耗具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-14 17:50:007165 Dialog的CBRAM技術(shù)適用于像所有物聯(lián)網(wǎng)解決方案一樣要求低功耗的應(yīng)用。應(yīng)用范圍包括從5G到人工智能，這些領(lǐng)域?qū)ψx/寫速度有很高要求，但同時要求降低生產(chǎn)成本。像工業(yè)應(yīng)用這種需要對嚴苛環(huán)境有一定耐受能力的應(yīng)用也偏愛使用該技術(shù)，該技術(shù)也可用于汽車行業(yè)。
2021-02-21 10:50:322536 
相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:021621 
ADM1260：帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-16 17:27:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供F-RAM非易失性存儲技術(shù)優(yōu)勢與安全氣囊設(shè)計資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555 ADM1169：帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-17 10:06:150 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 UG-932：使用芯片間總線和非易失性故障記錄評估ADM1260超級序列器
2021-04-24 14:38:011 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 低功耗設(shè)計的植入人體的增強生命的患者監(jiān)護設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462410 所有現(xiàn)代FPGA的配置分為兩類：基于SRAM的和基于非易失性的。其中，前者使用外部存儲器來配置FPGA內(nèi)的SRAM后者只配置一次。 Lattice和Actel的FPGA使用稱為反熔絲的非易失性配置
2021-07-02 16:01:404459 
文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機上的非易失性MRAM. 血液透析機使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因為MRAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中GOWIN高云半導體的非易失性FPGA GW2AN-UV9XUG256已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
2024-03-19 18:35:191176 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
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