碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢，在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動，但許多常見的驅(qū)動器可能會導(dǎo)致開關(guān)性能下降。
2025-09-03 17:54:01
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Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121487 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。
2012-01-10 09:11:327892 CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達(dá)125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動頻率高達(dá)100KHz的XM3模塊，從而實現(xiàn)高功率密度。
2020-01-15 08:09:001577 與大多數(shù)其他碳化硅評估平臺不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達(dá)200 kHz的開關(guān)頻率。
2020-02-07 14:33:001009 。為了滿足最新的設(shè)計和應(yīng)用需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了新一代雙通道電氣隔
2023-06-07 15:16:561059 
2000V CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品。展臺工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，新產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。
2024-07-22 09:10:514802 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點。變壓器、電機(jī)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
。如果選擇新的柵極驅(qū)動器，則值得選擇具有13 V欠壓鎖定功能的柵極驅(qū)動器，以確保在目標(biāo)應(yīng)用異常條件下的安全運行。SiC 的另一個好處是溫度對 25 °C 和 150 °C 之間傳輸特性的影響有限（圖
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整的交流/直流雙向轉(zhuǎn)換器，其中ADSP-CM419F的軟件在
2018-10-22 17:01:41
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動IGBT和MOSFET設(shè)計。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定（UVLO）功能，在共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
多半仍以機(jī)械結(jié)構(gòu)為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當(dāng)笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應(yīng)運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
通時由電容驅(qū)動的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關(guān)?！ 」鐼OSFET設(shè)計中在此類問題一般可以通過柵極驅(qū)動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動器，可輕松用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET以及標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-27 09:52:17
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
分流器需要具有特殊數(shù)據(jù)流的單獨數(shù)字隔離IC，但直流分流器無法檢測所有接地故障。本文重點介紹一種基于數(shù)字的新型交流電流傳感器。它具有電氣隔離和快速短路檢測功能，符合工業(yè)驅(qū)動器標(biāo)準(zhǔn)IEC
2023-02-22 16:42:00
關(guān)閉，第二個開關(guān)開啟前的停滯時間。圖1. 高壓半橋柵極驅(qū)動器如圖所示，這種功能的一種常規(guī)實現(xiàn)方式是用一個光耦合器進(jìn)行隔離，其后用一個高壓柵極驅(qū)動器IC。這種電路的一個潛在不足，就是單隔離輸入通道依賴
2018-10-23 11:49:22
的一個潛在問題是，僅有一個隔離輸入通道，而且依賴高壓驅(qū)動器來提供通道間所需的時序匹配以及應(yīng)用所需的死區(qū)。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動器并無電流隔離，而是依賴結(jié)隔離來分離同一IC中的上橋臂驅(qū)動電壓和下橋臂驅(qū)動
2018-10-16 16:00:23
開啟前的停滯時間。 圖1. 高壓半橋柵極驅(qū)動器 如圖所示，這種功能的一種常規(guī)實現(xiàn)方式是用一個光耦合器進(jìn)行隔離，其后用一個高壓柵極驅(qū)動器IC.這種電路的一個潛在不足，就是單隔離輸入通道依賴高壓驅(qū)動器
2018-09-26 09:57:10
電子的發(fā)展趨勢，但瓷片電容、傳感器、柵極驅(qū)動等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內(nèi)集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅(qū)動芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
管子開關(guān)影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅(qū)動的話，請問去驅(qū)動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57
意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關(guān)拓?fù)淇刂?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:001180 。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動器板，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-05-16 09:10:564616 緊湊的印制電路板（PCB）設(shè)計。這些柵極驅(qū)動器所取得的新進(jìn)展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員滿足甚至超越日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)及尺寸限制，同時支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術(shù)。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產(chǎn)品為強(qiáng)健的柵極驅(qū)動器，
2020-12-29 10:32:382967 ，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護(hù)，以實現(xiàn)安全、可靠的運行并滿足嚴(yán)格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計人 員
2021-10-09 16:17:462154 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 14:23:261809 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-17 10:06:142849 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計方案
2022-12-21 14:05:033003 碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性，發(fā)展勢頭迅猛?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅特性，碳化硅驅(qū)動器相較于硅器件驅(qū)動器有其特殊要求，面臨不同的設(shè)計挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)針對碳化硅的應(yīng)用特點，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅(qū)動器，可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:262136 (onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設(shè)計人員對于在諸多類型的電力電子應(yīng)用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗，
2023-02-05 05:55:012039 經(jīng)濟(jì)型光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器納芯微全新推出第二代產(chǎn)品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C兩款產(chǎn)品。NSi6801x系列產(chǎn)品基于第一代產(chǎn)品NSi6801優(yōu)秀性能而
2022-10-31 13:54:55
4 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:571045 
光耦仿真器與業(yè)內(nèi)最常見的光耦合器引腳對引腳兼容，有助于無縫集成到現(xiàn)有設(shè)計中，同時提供相同的信號行為。
2024-01-30 15:07:281446 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。
2024-03-12 09:43:291515 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:521409 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021191 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361779 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:202096 
半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷的測試平臺，以評估基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的性能特性。
2024-05-11 11:33:451426 英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發(fā)團(tuán)隊，免費教學(xué)，帶您深入了解兩款評估板設(shè)計精髓與測試要點，領(lǐng)略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠
2024-08-02 08:14:501015 利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動在設(shè)計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動器和泵等高功率應(yīng)用時，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071370 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)揭秘：光耦合器與光耦仿真器.pdf》資料免費下載
2024-08-27 10:49:350 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光耦仿真器簡介.pdf》資料免費下載
2024-08-28 11:45:440 英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列，是一款專為驅(qū)動Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設(shè)計的雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC。該系列以緊湊的14引腳DSO封裝形式呈現(xiàn)，不僅節(jié)省空間，還確保了設(shè)計的靈活性。
2024-09-03 14:55:581582 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光兼容隔離式柵極驅(qū)動器的輸入電阻選擇指南.pdf》資料免費下載
2024-10-14 09:41:320 電隔離式（GI）柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其
2024-11-11 17:12:321595 電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC
2024-11-11 17:16:131524 
川土微電子CA-IS3211SCWG單通道超寬體光耦輸入型隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布！
2024-11-27 16:32:072095 
英飛凌科技股份公司近日推出了一款新型MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動器IC，專為12V無刷直流（BLDC）電機(jī)的安全關(guān)鍵型應(yīng)用而設(shè)計。這款三相柵極驅(qū)動器IC的推出，旨在滿足線控解決方案對電機(jī)控制IC日益增長的市場需求。
2024-12-02 11:03:461880 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331396 關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401284 
ADuM4146是一款單通道柵極驅(qū)動器，專門針對驅(qū)動碳化硅(SiC)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號與輸出柵極驅(qū)動器之間實現(xiàn)隔離。
2025-05-29 15:31:35871 
Texas Instruments ISOM8610光耦仿真器開關(guān)是一款80V單極常開開關(guān)，具有光耦仿真器輸入。此光耦仿真器開關(guān)的輸入可控制背對背MOSFET，在次級側(cè)無需使用任何電源
2025-07-28 14:01:42777 
EiceDRIVER? 2EDR8259H等雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC：設(shè)計與應(yīng)用詳解 作為一名電子工程師，在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時，選擇合適的柵極驅(qū)動器IC至關(guān)重要。今天就來詳細(xì)聊聊英飛凌
2025-12-20 20:35:051252 基于隔離驅(qū)動IC兩級關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動器短路保護(hù)研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-12-23 08:31:10547 
柵極驅(qū)動器，看看它究竟有哪些獨特的魅力。 文件下載： ucc21738-q1.pdf 一、UCC21738-Q1概述 UCC21738-Q1是一款專為碳化硅（SiC）MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管
2026-01-07 11:20:12292 前言在追求極致效率與可靠性的高功率電子領(lǐng)域，從新能源汽車電驅(qū)到萬億參數(shù)的AI服務(wù)器電源，每一次能源的高效轉(zhuǎn)換都依賴于一顆“強(qiáng)健的心臟”——隔離柵極驅(qū)動器。傳統(tǒng)方案在應(yīng)對碳化硅（SiC）等新一代功率
2026-01-16 14:09:51224 
UCC21717-Q1：汽車用碳化硅/IGBT高端單通道柵極驅(qū)動器 在電力電子設(shè)計領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天，我們來深入探討一款高性能的汽車級柵極驅(qū)動器——UCC21717-Q1，它
2026-01-20 16:45:08341 德州儀器UCC21750-Q1：碳化硅/IGBT隔離柵極驅(qū)動器的卓越之選 在功率電子應(yīng)用領(lǐng)域，可靠且高性能的柵極驅(qū)動器是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關(guān)鍵。德州儀器（TI）的UCC21750-Q1隔離式單通道
2026-01-21 17:30:02578 碳化硅（SiC）MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）設(shè)計的單通道隔離柵極驅(qū)動器，具備一系列先進(jìn)的保護(hù)和傳感功
2026-01-21 17:30:12549
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