CSD97396Q4M CSD97396Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級(jí)

數(shù)據(jù)： CSD97396Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級(jí) 數(shù)據(jù)表

描述

CSD97396Q4M NexFET功率級(jí)的設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化，適用于高功率，高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這個(gè)產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器集成電路（IC此和，驅(qū)動(dòng)器IC支持ULQ模式，此驅(qū)動(dòng)器模式支持針對(duì)Windows8的聯(lián)網(wǎng)待機(jī)功能。借助于三態(tài)PWM輸入，靜態(tài)電流可減少至130μA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng)跳過(guò)＃保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至8μA（恢復(fù)切換通常需要20μs）。這個(gè)組合在小型3.5 x 4.5mm外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)具有高電流，高效和高速開(kāi)關(guān)功能的器件。此外，印刷電路板（PCB）封裝已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

特性

15A電流下超過(guò)93％的系統(tǒng)效率
最大額定持續(xù)電流30A，峰值65A
高密度 - 3.5mm×4.5mm小外形尺寸無(wú)引線封裝（SON）尺寸
超低電感封裝
超低靜態(tài)（ULQ）電流模式
與3.3V和5V脈寬調(diào)制（PWM）信號(hào)兼容
支持強(qiáng)制連續(xù)傳導(dǎo)模式（FCCM）的二極管仿真模式
輸入電壓高達(dá)24V
三態(tài)PWM輸入
集成型自舉二極管
符合RoHS綠色環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) - 無(wú)鉛引腳鍍層
無(wú)鹵素

應(yīng)用范圍

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超級(jí)本/筆記本DC /DC轉(zhuǎn)換器

多相Vcore和DDR解決方案

在網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信，和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?功率 MOSFET 模塊

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VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
?