6N135光電耦合器包含一個(gè)砷化鋁鎵二極管，該二極管光耦合到一個(gè)高速光電晶體管探測(cè)器。
　　6N135為偏置二極管建立了單獨(dú)的連接，降低了輸入晶體管的基極-集電極容抗，使得6N135的速度比傳統(tǒng)光耦提高了數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)?！　?/p>

6N135帶有內(nèi)部噪音屏蔽，提供優(yōu)越的共模抑制，達(dá)到10kV/μs。改良的配套方案提供優(yōu)越的隔離性能，相比220V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，6N135的工作電壓高達(dá)480V。

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測(cè)器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容，單獨(dú)連接實(shí)現(xiàn)光電二極管偏壓使速度比傳統(tǒng)光電晶體管光電耦合器提高數(shù)個(gè)級(jí)別。 HCPL4503M不會(huì)內(nèi)部連接到光電晶體管基極，有助于改善抗噪能力，內(nèi)部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能，高達(dá)50,000V/μs。

• 超高速 – 1 MBit/s

• 一流CMR – 10 kV/μs

• 雙通道HCPL2530M HCPL2531M（初始版）

• CTR保證 0–70°C

• U.L. 認(rèn)證（文件編號(hào) E90700，卷 2)

• VDE認(rèn)證（待定）–訂購(gòu)選件“V”，例如6N135VM

• 5,000Vrms（1分鐘）隔離電壓

• 一流CMR，15,000V/μs min. (HCPL4503M)

• 無基極連接，以改善抗噪能力（HCPL4502M、HCPL4503M）