4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器
數(shù)據(jù)：
4N30Mdatasheet.pdf
產(chǎn)品信息
4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發(fā)射器，光耦合至一個硅平面達林頓放大器。
- “對于低輸入驅(qū)動電流高度敏感
- 滿足或超過所有 JEDEC 寄存規(guī)格
- 安全和法規(guī)認證：
- UL1577，4170 VAC
- （1 分鐘）
- DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作絕緣電壓”
