--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 漏源電壓: 900V
- 柵極 -源極電壓靜態(tài) -4/+15V
- 柵極 -源極電壓動態(tài) -8/+19V
- 脈沖漏極電流 50A
- 功耗 83W
- 工作結(jié)溫和存儲溫度 -55to +150?C
- 焊接溫度 260?C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
E3M0120090J通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位;業(yè)內(nèi)首個汽車認證;業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固技術(shù);提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOSFET 針對用于 EV 電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化,并在 Wolfspeed 的6.6kW 雙向車載充電器參考設(shè)計中采用。

好處
? 降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 系統(tǒng)效率高
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素,符合 RoHS 標準
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
? 符合汽車標準 (AEC-Q101) 和 PPAP
應(yīng)用
? 電動汽車充電
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)電源
? UPS
? 太陽能光伏逆變器
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