產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 TO-247-3L 封裝，非常適合開關電感負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 35
內(nèi)徑最大值(A) 65
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-3L
主要特征
導通電阻 (RDS(on))：35 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級
相關型號
UF3C065030B3
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