產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3SC120016K3S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設(shè)計。該器件采用 TO-247-3L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關(guān)電感負載，以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 16
內(nèi)徑最大值(A) 107
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-3L
主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：16 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復(fù)
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 等級 4
相關(guān)型號
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