本文將介紹如何根據(jù)開(kāi)關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線(xiàn)性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開(kāi)關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計(jì)算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:05
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為了安全使用SiC模塊，需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對(duì)IGBT，MOSFET可以反向?qū)?，即工作在同步整流模式。本文?jiǎn)要介紹其損耗計(jì)算方法。
2025-06-18 17:44:464438 
日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:462907 
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽(yáng)能（PV）逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測(cè)器數(shù)量，已吸引愈來(lái)愈多太陽(yáng)能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:302024 在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:441578 
隨著電動(dòng)汽車(chē)（EV）制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車(chē)型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以改善行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低的功率
2022-10-25 17:05:022522 
隨著電動(dòng)汽車(chē) （EV） 制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車(chē)型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低
2023-02-27 16:12:149477 
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44853 
由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導(dǎo)通電阻、高溫操作的耐受性以及相對(duì)于硅更高的功率密度等固有特性，越來(lái)越受到電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師的青睞。因此，基于SiC的變換器和逆變器是電池驅(qū)動(dòng)
2024-12-04 11:24:131635 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車(chē)快速充電和太陽(yáng)能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001979 描述這一經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)概述了如何實(shí)現(xiàn)基于 SiC 的三級(jí)三相直流/交流并網(wǎng)逆變器級(jí)。50kHz 的較高開(kāi)關(guān)頻率降低了濾波器設(shè)計(jì)的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通過(guò)使用可降低開(kāi)關(guān)損耗
2018-10-29 10:23:06
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。隨著SiC基半導(dǎo)體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環(huán)境溫度和較大功率場(chǎng)合下的--寬禁帶半導(dǎo)體材料。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電
2019-10-24 14:25:15
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
效率，并實(shí)現(xiàn)了全球節(jié)能。事實(shí)上，有人估計(jì)的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過(guò)去25年。 就像二十世紀(jì)八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導(dǎo)體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)。另外，還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音，達(dá)到降噪的效果。SiC半導(dǎo)體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-04-22 06:20:22
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《襇OSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
的VF隨著溫度升高而下降，傳導(dǎo)損耗減少，看起來(lái)好像是好事，但隨著VF的下降，IF增加，即使損耗略有下降，但發(fā)熱増加量更勝一籌，甚至可能陷入VF下降、IF增加的熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較?；謴?fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流IR大幅減少，收斂也更快。簡(jiǎn)言之即，反向恢復(fù)電荷量Qrr少＝開(kāi)關(guān)損耗小。開(kāi)關(guān)損耗小時(shí)，有2個(gè)可能性
2019-03-27 06:20:11
工作等SiC的特征所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)與Si的比較來(lái)進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話(huà)就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對(duì)大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
2030年前達(dá)到峰值，努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)碳中和。2021年3月，中央財(cái)經(jīng)委員會(huì)第九次會(huì)議提出構(gòu)建以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)?！ √蓟瑁?b class="flag-6" style="color: red">SiC）禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高，是第三代半導(dǎo)體的典型
2023-02-27 14:22:06
新型逆變器控制策略的設(shè)計(jì)本文以高頻鏈逆變器為被控對(duì)象,在推導(dǎo)出被控對(duì)象的動(dòng)態(tài)模型后,提出了一種新型控制方案:即內(nèi)環(huán)電流環(huán)采用混合型PI-模糊控制策略,外環(huán)電壓環(huán)采用PI控制策略的瞬時(shí)值雙閉環(huán)控制方案.[hide][/hide]
2009-12-10 16:47:21
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
旋轉(zhuǎn)引起的風(fēng)阻損耗等。電機(jī)損耗分類(lèi)下面介紹幾種減少電機(jī)損耗的措施 一、定子損耗降低電動(dòng)機(jī)定子I^2R損耗的主要方法有：1、增加定子槽截面積，在同樣定子外徑的情況下，增加定子槽截面積會(huì)減少磁路面積，增加
2017-07-22 13:43:22
項(xiàng)目名稱(chēng)：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開(kāi)發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會(huì)降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產(chǎn)品的規(guī)格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開(kāi)封裝每顆有2個(gè)SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車(chē)附2個(gè)一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過(guò)，市場(chǎng)估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
特性和結(jié)構(gòu)。尤其是溫度特性，Si-FRD隨著溫度升高VF下降，傳導(dǎo)損耗減少，但I(xiàn)F反而増加，從而可能陷入熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會(huì)熱失控。但是VF上升，因此IFSM比
2018-11-29 14:33:47
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動(dòng)器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)基于SiC或IGBT的三相電機(jī)半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開(kāi)始，ROHM將為文圖瑞車(chē)隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
所增加，但其增加比例遠(yuǎn)低于IGBT模塊。可以看出結(jié)論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個(gè)優(yōu)勢(shì)?？梢?jiàn)這正如想象的一樣，開(kāi)關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來(lái)的。關(guān)于
2018-11-27 16:37:30
電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。目前推出的650V耐壓產(chǎn)品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內(nèi)置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
個(gè)電源標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電源標(biāo)準(zhǔn)的場(chǎng)景，如跨國(guó)設(shè)備使用、電力系統(tǒng)測(cè)試或特定工業(yè)應(yīng)用等。
特點(diǎn)
高效節(jié)能：采用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換，減少能量損耗。
穩(wěn)定可靠：具有過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)
2024-12-06 19:53:19
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較?；謴?fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
進(jìn)一步利用?！ 。ˋ） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)公司提供 （B） 圖片由Bodo的電力系統(tǒng)提供 圖5.最大dv/dt限制為5V/ns的導(dǎo)通損耗比較（A：IGBT，B：SiC
2023-02-21 16:36:47
分布式逆變器持續(xù)火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對(duì)成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機(jī)功率千瓦數(shù)也因此不斷得以提高。占據(jù)市場(chǎng)主流的逆變器，功率已經(jīng)從50~60KW過(guò)渡至70
2019-01-10 10:12:47
減少到3.8mJ。這是因?yàn)殡S著會(huì)產(chǎn)生影響的電感值變小，Eon增加，Eoff減小。按總損耗（Eon + Eoff）來(lái)比較，當(dāng)前損耗減少了0.4mJ?？傊瑸榱顺浞诌\(yùn)用并發(fā)揮全SiC模塊的性能，增加一個(gè)緩沖
2018-11-27 16:36:43
結(jié)果可以看出，由于SiC模塊可高速開(kāi)關(guān)，因此在30kHz的條件下可減少60%的開(kāi)關(guān)損耗?；蛘呖梢哉f(shuō)，無(wú)需增加損耗即可將頻率提高6倍。更低開(kāi)關(guān)損耗和更高速開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)開(kāi)關(guān)損耗降低可提高效率，并減少
2018-12-04 10:14:32
`由電氣觀(guān)察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
無(wú)線(xiàn)充電電力傳輸過(guò)程中主要的損耗：1.供電端的驅(qū)動(dòng)組件，主要是MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗2. 供電端和受電端的線(xiàn)圈與諧振電容通過(guò)電流的損耗3.受電端的整流部分，交流到直流的轉(zhuǎn)換損耗4.受電端的穩(wěn)壓轉(zhuǎn)換
2021-09-15 07:13:55
提供交流電源，比UPS供電方案節(jié)約了投資費(fèi)用，避免了蓄電池組的重復(fù)投資，減少了維護(hù)工作量，降低了運(yùn)行成本。 2 提高了電力逆變器供電可靠性 變電所中裝
2010-06-07 01:06:08
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車(chē)
2019-05-07 06:21:51
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過(guò)使用高速混合模塊實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質(zhì)量。高速I(mǎi)GBT減少的關(guān)斷損耗以及SiC-SBD引起的低導(dǎo)通和反向恢復(fù)
2020-09-02 15:49:13
損耗分析為一個(gè)三電平橋臂損耗為172.04W可見(jiàn)損耗減少了2/3以上，損耗的大幅度降低，降低了散熱的成本，更為用戶(hù)節(jié)省了大量的電費(fèi)支出，用戶(hù)可以實(shí)實(shí)在在感受到三電平技術(shù)帶來(lái)的益處。通過(guò)上面分析，我們
2010-02-22 16:00:56
損耗分析為一個(gè)三電平橋臂損耗為172.04W可見(jiàn)損耗減少了2/3以上，損耗的大幅度降低，降低了散熱的成本，更為用戶(hù)節(jié)省了大量的電費(fèi)支出，用戶(hù)可以實(shí)實(shí)在在感受到三電平技術(shù)帶來(lái)的益處。通過(guò)上面分析，我們
2010-02-22 16:03:54
，熱導(dǎo)率是硅的10倍?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC在所有重要方面都優(yōu)于硅 這為碳化硅器件開(kāi)辟了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在5G/數(shù)據(jù)中心等空間受限和節(jié)能領(lǐng)域，低損耗是應(yīng)用的推動(dòng)力;在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
幾乎沒(méi)有溫度及電流依賴(lài)性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性與Si-PND不同。這取決于物理特性和結(jié)構(gòu)。尤其是溫度特性，Si-FRD隨著溫度升高VF下降，傳導(dǎo)損耗減少，但I(xiàn)F反而増加，從而
2019-07-10 04:20:13
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
了大幅改善。這里有導(dǎo)通和關(guān)斷相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗比較數(shù)據(jù)。在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2,742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?,690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039μJ降至1,462μJ，損耗減少了約30
2020-07-01 13:52:06
，汽車(chē)等。自從一開(kāi)始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢(shì)，這些設(shè)備在系統(tǒng)級(jí)為電力電子產(chǎn)品提供通過(guò)構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
隨著電動(dòng)汽車(chē) （EV） 制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車(chē)型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低
2022-11-02 12:02:05
新型逆變器控制策略的研究
2009-01-03 14:50:29
21 目錄0.5KVA～3KVA 電力逆變器... 2SN1103KCD1 電力逆變器..... 6SN1105KCD1 電力逆變器..... 9SN1107.5KCD1 電力逆變器.. 12SN11010KCD1 電力逆變器... 15SN11015KCD1 電力逆變器... 18SN1
2010-06-29 16:17:3746
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開(kāi)關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開(kāi)關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00998 
2008年4月22－25日，株式會(huì)社日立制作所（社長(zhǎng)：古川一夫/以下簡(jiǎn)稱(chēng)日立）聯(lián)合日立大廈系統(tǒng)有限公司（總經(jīng)理：池村敏郎/以下簡(jiǎn)稱(chēng)日立大廈系統(tǒng)）、日立電梯（中國(guó)）有限公司（總裁
2011-03-28 16:01:1825 在鐵道業(yè)界的全球最大展會(huì)“InnoTrans 2012”（2012年9月18～23日，德國(guó)柏林）上，日立制作所、三菱電機(jī)及東芝三家公司都展出了使用SiC二極管的鐵道車(chē)輛用逆變器。這些產(chǎn)品向全球鐵道
2012-09-27 09:41:001991 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4728 集成到半導(dǎo)體芯片中，研究人員希望至少在電力電子設(shè)備中減少這種損耗，使其體積更小、成本更低、能耗更低。 傳統(tǒng)上，電子設(shè)備和熱管理系統(tǒng)是分開(kāi)設(shè)計(jì)和制造的，瑞士洛桑?？茽柪砉W(xué)院的電氣工程教授Elison Matioli說(shuō)。這給提
2020-10-13 14:22:494436 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開(kāi)通、關(guān)斷、通態(tài)損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開(kāi)關(guān)損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0336759 本文將為大家介紹兩項(xiàng)關(guān)于使用在線(xiàn)仿真的信息，詳情如下。 利用仿真減少逆變器電路設(shè)計(jì)工時(shí)的方法 關(guān)于逆變器設(shè)計(jì)中特性相關(guān)的注意事項(xiàng)，我們發(fā)布了基于仿真的應(yīng)用指南，例如“逆變器電路基礎(chǔ)”和“根據(jù)損耗分析
2021-12-02 15:53:122446 
在用于管理半導(dǎo)體損耗的主動(dòng)冷卻是性能和可靠性的重要因素的解決方案中，將損耗減少多達(dá) 80% 可以改變游戲規(guī)則。上個(gè)月，英飛凌科技推出了采用 .XT 互連技術(shù)、采用 1，200V 優(yōu)化 D2PAK-7
2022-08-05 08:04:533017 
TI 推出全新處理器，推動(dòng)邊緣AI普及并使其功耗減半
2022-10-28 11:59:440 應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:511980 從2025年起將向全球電動(dòng)汽車(chē)供貨，助力延長(zhǎng)續(xù)航里程和系統(tǒng)的小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰
2022-12-28 09:20:021771 新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11848 特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:171062 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:221533 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
無(wú)論是電機(jī)還是減速器，長(zhǎng)期使用可能會(huì)增加損耗，增加支出成本。具體方法是如何降低減速電機(jī)的電壓和功率。電力是我們?nèi)粘Ｉ钪械幕灸茉矗虼吮仨毐ＷC供電的可靠性和穩(wěn)定性。供電線(xiàn)路的電壓損耗和功率損耗是供電過(guò)程中不可避免的。以下是我們對(duì)電壓損耗和功率損耗的簡(jiǎn)要介紹。
2021-11-01 14:49:461284 
隨著科技的發(fā)展，電力供應(yīng)和使用的效率越來(lái)越重要。提高電路功率因素是一種有效的方法，它可以減少電流損耗，提高能耗效率。那么，為什么提高電路功率因素對(duì)于減少電損耗有直接作用呢？
2023-09-04 16:26:413553 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:342159 
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:562548 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24613 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:561088 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:441134 
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:46775 
成為分布式能源系統(tǒng)的重要組成部分。而SiC器件作為一種具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體材料，其在微型逆變器中的應(yīng)用正日益受到業(yè)界的關(guān)注。 SiC器件以其高溫穩(wěn)定性、高開(kāi)關(guān)頻率和低損耗等特性，在微型逆變器中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。其優(yōu)異的性能不
2024-05-29 14:46:471206 
日月光半導(dǎo)體（日月光投控成員–紐約證交所代碼：ASX）宣布推出powerSiP?創(chuàng)新供電平臺(tái)，可減少信號(hào)及傳輸損耗，同時(shí)應(yīng)對(duì)電流密度挑戰(zhàn)。
2024-05-30 10:32:111139 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在電子設(shè)備中扮演著重要角色，然而其在實(shí)際應(yīng)用中的損耗問(wèn)題也是不容忽視的。為了減少MOS管的損耗，提高其工作效率，以下將從多個(gè)方面進(jìn)行深入探討。
2024-05-30 16:41:512658 。 1.2 渦流損耗 渦流損耗是指在導(dǎo)體中，由于交變磁場(chǎng)的作用而產(chǎn)生的巨大電流，這些電流在導(dǎo)體內(nèi)部形成閉合回路，從而產(chǎn)生額外的能量損耗。渦流損耗與導(dǎo)體的厚度、導(dǎo)磁率和頻率有關(guān)。 二、減少磁滯損耗的措施 2.1 選擇低磁滯損耗的磁性材料
2024-07-26 16:33:005522 牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，它將電池的直流電壓轉(zhuǎn)換為隨時(shí)間變化的交流電壓，從而驅(qū)動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的傳導(dǎo)損耗、更好熱特性以及更強(qiáng)的高壓穩(wěn)定性，牽引逆變器正在逐漸從
2024-08-27 09:40:171991 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402046 
電能質(zhì)量與電力損耗之間存在密切的關(guān)系。以下是關(guān)于電能質(zhì)量與電力損耗關(guān)系的分析： 一、電能質(zhì)量對(duì)電力損耗的影響 電壓偏差 ： 電壓偏差是指實(shí)際電壓與額定電壓之間的差值。過(guò)大的電壓偏差可能導(dǎo)致設(shè)備性能
2025-02-18 16:55:331154
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