資料介紹
LED制作流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延爐中完成的。準備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后,按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底,還有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應(yīng),將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例,從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。
led
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