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隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值，新型半導(dǎo)體材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn)，制造出的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，在光電器件、微波器件和電力電子器件具有先天優(yōu)勢。
數(shù)據(jù)來源：網(wǎng)絡(luò)
Gartner每年發(fā)布的技術(shù)成熟度曲線已經(jīng)成為科技和投資界一場盛事。Gartner長期致力于通過技術(shù)成熟度曲線研究，對不同領(lǐng)域的技術(shù)和趨勢做出評估，指導(dǎo)政府、科研企業(yè)、投資界在最佳時(shí)間采用這些技術(shù)或者切入該市場。該曲線按照技術(shù)觸發(fā)期、期望膨脹期、幻覺破滅谷底期、復(fù)蘇期、成熟期分為五個(gè)階段。并同時(shí)按照距離主流應(yīng)用的時(shí)間分組為“少于2年”，“2-5年”，“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣，用于評估投資該市場的風(fēng)險(xiǎn)。
2016技術(shù)成熟度曲線（來源：Gartner 2016年7月）
新型半導(dǎo)體材料主要是以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。
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