在電化學、核聚變以及勵磁等大型變換裝置上，都存在多個電力半導體器件（如整流管、晶閘管以及其它新型電力半導體器件等）的并聯問題，從線路應用的角度，已取得了許多成功的經驗［1］~［6］，其中文獻［1］和［6］還從均流系數的角度，給出了對器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面，我們認為還有進一步的探討和研究的必要。從事器件應用的，注重器件的內在性能；從事器件設計的，注重線路對器件的要求，兩方面的結合是提升器件性能的最近之路。近年來，我們在解決器件的均流問題上，應用戶的要求，作了一些嘗試，取得了一些經驗，這些經驗是雙方共同努力的結晶。本文就是這些點滴嘗試經驗的說明。

　1 器件均流問題的提出

　　當輸出電流容量的要求高于單個器件的最大可用電流時，就必須采用多個器件并聯；對于一些特殊的應用場合，如絕對不允許有因質量問題而出現停電和設備停止運轉時，往往也采用多個器件并聯，這樣即使有10%~20%的器件，或支路出現問題，也能確保運轉工作正常進行。

　　整流二極管和晶閘管等雙極性器件，其通態(tài)伏安特性均表現出溫度升高而壓降曲線減小的特點，即所謂負電阻溫度系數，而負電阻溫度系數的器件是很不利于并聯的，這就更增加了并聯均流的難度［7］。

　　要進行多個電力半導體器件的并聯，就必須認真解決均流問題。器件均流問題還可細分為動態(tài)均流和穩(wěn)態(tài)均流。

　　所謂動態(tài)均流是指由斷到開，或由開到關情況下的均流。前者是主要的，后者往往可以不做考慮。由斷態(tài)到通態(tài)解決的是同時觸發(fā)開通的問題，以晶閘管為例，只要是同一批次的器件，開通延遲時間的誤差都在1滋s之內，而整個開通延遲時間才是幾滋s，因此要保證動態(tài)均流，就要注意：

　　1）將門檻電壓VTO盡量選低些［4］；

　　2）確保門極觸發(fā)脈沖的幅度（例如應用時給定的觸發(fā)電流Igm等于器件觸發(fā)電流Ig的5倍）和寬度（例如100 滋s），特別是脈沖前沿的陡度（例如0.1滋s）［5］，則動態(tài)均流是有保證的。

　　所謂穩(wěn)態(tài)均流就是通態(tài)均流，也是最主要的均流問題。站在應用的角度，主要的均流措施有小電流應用中的電阻均流，大電流應用中的電抗器均流，總之，都是被動的并以額外附加一些電功率為前提。

　　不言而喻，之所以有不均流現象，是由于器件的不同通態(tài)參數引起的，只有把握好關鍵的器件通態(tài)參數這一關，才是抓住了并聯均流的主要矛盾。這一現象如圖1所示。