本文所設(shè)計(jì)的無(wú)片外電容LDO要求在5V-6.3V輸入范圍內(nèi)穩(wěn)定輸出4.8V的電壓，最低壓差為200mv，由于本文所設(shè)計(jì)的LDO是給數(shù)字電路提供電源電壓，因此不僅要保證LDO的輸出精度，而且對(duì)電路的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求很高。本文分析對(duì)比了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片外電容LDO在負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能上的差異，結(jié)合目前已有的無(wú)片外電容LDO負(fù)載瞬態(tài)增強(qiáng)電路，提出了適合本文的瞬態(tài)增強(qiáng)方案。本文所設(shè)計(jì)的LDO為三級(jí)結(jié)構(gòu)，第一級(jí)為折疊式共源共柵誤差放大器，第二級(jí)為緩沖器，第三級(jí)為PMOS功率調(diào)整管，本文所采用的頻率補(bǔ)償方案為嵌套式密勒補(bǔ)償（NMC），本文在負(fù)載瞬態(tài)增強(qiáng)方案中不僅通過(guò)第二級(jí)緩沖器增大調(diào)整管的柵端壓擺率，并且還增加了額外的瞬態(tài)增強(qiáng)電路，進(jìn)一步改善系統(tǒng)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。

本文使用Dongbu HiTek BCD 0.18um工藝庫(kù)完成了電路每個(gè)模塊的設(shè)計(jì)和整體仿真，最終在電源電壓為5v，負(fù)載電容為50pF，溫度為27攝氏度時(shí)的仿真結(jié)果為：最小壓差為200mV，最大可驅(qū)動(dòng)負(fù)載為100mA，負(fù)載調(diào)整率為0.2493（uV/mA），線性調(diào)整率為0.197（mV/V），整個(gè)環(huán)路的低頻增益最少為97dB，系統(tǒng)的相位裕度最小為75度，電源抑制比最小為84dB（100Hz），負(fù)載電流為從2mA-100mA的階躍電流時(shí)，輸出端的最大過(guò)沖電壓僅為37.7mV，最后利用環(huán)柵MOS管完成整體電路的版圖。整體而言，本文所設(shè)計(jì)的無(wú)片外電容LDO符合本文的設(shè)計(jì)要求。

關(guān)鍵詞：抗輻照，無(wú)片外電容LDO，瞬態(tài)增強(qiáng)