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CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì):采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護(hù)電路的工作原理和對(duì)其進(jìn)行的ESD 實(shí)驗(yàn),提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過實(shí)驗(yàn)可以看出其性能達(dá)到了人體放電模式的2 級(jí)標(biāo)準(zhǔn). 在模擬的基礎(chǔ)上可確定損傷的機(jī)理和位置,從而給出了由ESD 導(dǎo)致的柵氧化層損傷的微觀機(jī)制.
關(guān)鍵詞: ESD ; GG2NMOS ; 人體放電模式; 柵耦合
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保護(hù)電路
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