寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述
資料介紹
寄生效應(yīng)
除了前述有形的電感與電容外,在高頻下,更是會(huì)出現(xiàn)無形的電感與電容,亦即所謂的寄生效應(yīng)。接下來將探討寄生效應(yīng)之注意事項(xiàng)。前述可知,當(dāng)兩個(gè)金屬很靠近時(shí),便形成了電容。
因此放大器在閘極與汲極之間,會(huì)存在一個(gè)既有的寄生電容,又稱為米勒電容,即Cgd。當(dāng)電壓極低時(shí),其Cgd會(huì)變大。

因此放大器在閘極與汲極之間,會(huì)存在一個(gè)既有的寄生電容,又稱為米勒電容,即Cgd。當(dāng)電壓極低時(shí),其Cgd會(huì)變大。

下式是Cgd的容抗,當(dāng)Cgd變大時(shí),則容抗會(huì)變小,因此部分輸入訊號(hào),會(huì)直接透過Cgd,由閘極穿透到汲極,即上圖中的Feedthrough現(xiàn)象。因此供給電壓不宜過低,否則訊號(hào)會(huì)有嚴(yán)重的AMAM與AMPM失真[89]。
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