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對于許多基于DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的新興高速應(yīng)用拓?fù)?,使用GaN FETs的優(yōu)勢超過硅MOSFETs,例如RF功率放大器(RFPA)、電信基站中的無線發(fā)射機和無線數(shù)據(jù)傳輸。aRFPA中的發(fā)射機在空閑或工作時會浪費大量的功率作為熱量,因此采用不同的功率調(diào)制技術(shù)來使功率放大器遵循信號放大所需的最佳功率水平。功率水平高達(dá)數(shù)百瓦,線性放大器產(chǎn)生約50%的效率。然而,使用具有D類拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的GaN FETs,開關(guān)放大器現(xiàn)在的峰效率超過90%。這種效率的提高使得基帶站可以節(jié)省電力和維護費用,5G用戶可以節(jié)省電池壽命和通話時間。FPA電路設(shè)計的一個重要方面是選擇高性能的柵極驅(qū)動器??紤]到柵極驅(qū)動電路的PCB布局和驅(qū)動器傳播延遲變化中的最小死區(qū)時間以及無失真RF信號放大的其他變量,GaN FET和高性能GaNdriver可以提供高性能RF功率。LMG1210能夠通過5V柵極驅(qū)動實現(xiàn)高達(dá)50MHz的開關(guān)頻率,從而提高RFPA的性能,支持高性能GaN的緊密布局,獲得精確的死區(qū)時間最小化,從而最大限度地提高滿載效率,等等。
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