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GAN039-650NBB 是一款采用CCPAK1212封裝的 650 V、33 mΩ 氮化鎵 （GaN） FET。它 是一款常關(guān)器件，結(jié)合了Nexperia最新的高壓GaN HEMT H2技術(shù) 以及低壓硅MOSFET技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。 2. 特點和優(yōu)勢 • 簡化了驅(qū)動器設(shè)計，因為可以使用標準電平的MOSFET柵極驅(qū)動器： 0 V 至 12 V 驅(qū)動電壓 • • 柵極閾值電壓 VGSth 為 4 V • 堅固的柵極氧化物，VGS 額定值為 ±20 V • 4 V 的高柵極閾值電壓，具有抗柵極反彈能力 • • • CCPAK封裝技術(shù)： 低體二極管 Vf，可降低損耗并簡化死區(qū)時間調(diào)整 瞬態(tài)過壓能力，提高魯棒性 提高可靠性，降低 Rth（j-mb） 以實現(xiàn)最佳冷卻 更低的電感，可降低開關(guān)損耗和 EMI 150 °C 最高結(jié)溫 • • • • 電路板級高可靠性，可吸收熱循環(huán)過程中的機械應(yīng)力，與 傳統(tǒng) QFN 封裝 • 目視（AOI）焊接檢測，無需昂貴的X射線設(shè)備 • 易于潤焊，可實現(xiàn)良好的機械焊點 3. 應(yīng)用 • 用于工業(yè)和數(shù)據(jù)通信電源的硬開關(guān)和軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器 • 無橋顳骨 PFC • 光伏和UPS逆變器 • 伺服電機驅(qū)動 4. 快速參考數(shù)據(jù)
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