設(shè)計(jì)了一種超低功耗的27×1 PRBS發(fā)生器，具有四個(gè)適當(dāng)延遲的并行輸出流。它采用150GHz SiGe BiCMOS工藝制作，測(cè)量工作功率可達(dá)23Gb/s，四通道PRBS發(fā)生器從2.5V消耗235mW，每輸出通道僅消耗60mW。該電路基于2.5mW BiCMOS CML鎖存器拓?fù)?，?jù)我們所知，該拓?fù)浔硎炬i存器工作在10Gb/s以上的最低功率。使用OCTC方法分析了低功耗BiCMOS CML鎖存器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

　　索引條款電流模式邏輯，OCTC，偽隨機(jī)位序列生成器，SiGe BiCMOS，技術(shù)縮放。

　　偽隨機(jī)位序列（PRBS）發(fā)生器和校驗(yàn)器廣泛用于測(cè)試寬帶集成電路的正確功能，如重定時(shí)器、SERDES塊和收發(fā)器。最先進(jìn)的電路通常優(yōu)于商業(yè)上可用的測(cè)試設(shè)備。為了避免這種測(cè)試問(wèn)題，PRBS發(fā)生器可以集成在與被測(cè)器件相同的芯片上，用于內(nèi)置自測(cè)試（BIST）目的。對(duì)于這些應(yīng)用，重要的是，發(fā)電機(jī)能夠產(chǎn)生盡可能長(zhǎng)的序列，同時(shí)消耗低功率。早期高速PRBS發(fā)生器采用III-V HBT技術(shù)_1_1_1、2、硅雙極_365331;65339;65339;5_以及最近SiGe雙極_665331;65339;65339;665339;865339;8_8、SiGe雙極65339;865技術(shù)。本課題組最近報(bào)道了一臺(tái)具有21個(gè)序列長(zhǎng)度_13、14_的80Gb/s PRBS發(fā)生器，但由于序列長(zhǎng)度較長(zhǎng)，其體積過(guò)大，功耗低，不能作為片上自測(cè)試模塊。本文的工作是努力降低PRBS發(fā)電機(jī)的功耗，同時(shí)保持速度的一部分。