穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流 ,有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:24
3771 
IGBT 模塊損耗模型和結(jié) 溫預(yù)估算型準(zhǔn)確性。該損耗模型及結(jié)溫估算的方法對(duì)于提高功率模塊可靠性及降低成本具有較大工程實(shí)際意義。
2023-03-06 15:02:514187 mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，今天以反激CCM模式的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗來(lái)把公式推導(dǎo)一番，希望能夠給各位有所啟發(fā)。
2024-01-20 17:08:067241 
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
的耐固性，避免帶來(lái)因dv/dt的誤導(dǎo)通。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小，易產(chǎn)生寄生振蕩。 柵極電阻值大——充放電較慢，開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗增大
2011-08-17 09:26:02
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT一般半橋式電路中的IGBT尤其多用于電機(jī)控制應(yīng)用。圖騰柱式布局創(chuàng)造出
2015-12-30 09:27:49
作為Rg，1/3部分作為Re。輔助Re 能夠降低由于功率換流回路雜散電感不對(duì)稱引起的動(dòng)態(tài)電流不平衡。圖7為由輔助Re形成的一個(gè)負(fù)反饋機(jī)制開(kāi)通過(guò)程，其中一個(gè)IGBT開(kāi)關(guān)速度快，另一個(gè)則相對(duì)較慢，近而在雜散電感
2018-12-03 13:50:08
dv/dt限制，過(guò)小的柵極電阻可能會(huì)導(dǎo)致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞?！ 艠O電阻的大小影響開(kāi)關(guān)速度，即后邊介紹的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間，進(jìn)而影響IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，datasheet上驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)開(kāi)關(guān)損耗
2021-02-23 16:33:11
是非?？斓?，可以達(dá)到幾十ns，一般情況下驅(qū)動(dòng)推挽電路的上管開(kāi)通速度越快，門(mén)極電阻越小，di/dt就會(huì)越大，因此尖峰也會(huì)越高。搞清楚機(jī)理后，大家就應(yīng)該知道這個(gè)尖峰對(duì)IGBT是沒(méi)有什么影響的，只是內(nèi)部寄生
2021-04-26 21:33:10
、低損耗、模塊化、復(fù)合化方向發(fā)展，與其他電力電子器件相比，IGBT模塊散熱器具有高可靠性、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開(kāi)關(guān)頻率高等特點(diǎn)，為了達(dá)到這些高性能，采用了許多用于集成電路的工藝技術(shù)，如外延
2012-06-19 11:17:58
常見(jiàn)的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級(jí)和電流大小，那么IGBT的開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個(gè)時(shí)間更長(zhǎng)一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
在600V±20%范圍內(nèi)損耗可以認(rèn)為為線性的”。 特性三：在一個(gè)50Hz的周期內(nèi)，上管IGBT進(jìn)行不斷的調(diào)制，每次開(kāi)通的電壓為Vbus，下管一直處于截止?fàn)顟B(tài)；流過(guò)IGBT的電流可以初步認(rèn)為是一個(gè)正弦波
2023-02-24 16:47:34
，設(shè)計(jì)出具有過(guò)流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路，并進(jìn)行了仿真研究?！ ? IGBT的驅(qū)動(dòng)要求和過(guò)流保護(hù)分析 1 IGBT的驅(qū)動(dòng) IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開(kāi)通和關(guān)斷．其驅(qū)動(dòng)電路必須滿足
2012-07-18 14:54:31
-uGS和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中門(mén)極正電壓uGS的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT
2012-03-29 14:07:27
電機(jī)效率的影響因素降低電機(jī)損耗的關(guān)鍵制造技術(shù)
2021-01-26 07:49:16
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過(guò)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來(lái)控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因?yàn)檩^高的di/dt 會(huì)
2018-08-27 20:50:45
)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT組合封裝在一起。相反地，軟恢復(fù)超快二極管，可與高頻SMPS2開(kāi)關(guān)模式IGBT組合封裝在一起。除了選擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過(guò)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來(lái)控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起。 除了選擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過(guò)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來(lái)控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因?yàn)檩^高的di/dt 會(huì)導(dǎo)致電壓尖脈沖、輻射和傳導(dǎo)EMI增加。為選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)阻抗以
2018-09-28 14:14:34
IGBT系列器件采用改進(jìn)的門(mén)控制來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術(shù)的溝槽，TJmax等于175℃。獨(dú)立的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對(duì)高速
2020-07-07 08:40:25
, 同時(shí),開(kāi)關(guān)速度不隨結(jié)溫變化。PT 型IGBT 的開(kāi)關(guān)速度則隨溫度升高而降低。高頻工作時(shí)可以考慮選擇NPT型IGBT。 5 總結(jié) 文中介紹的損耗測(cè)量分析方法簡(jiǎn)單而有效, 可以使設(shè)計(jì)者對(duì)IGBT
2018-10-12 17:07:13
QY-DT721電梯控制技術(shù)綜合實(shí)訓(xùn)裝置是什么？QY-DT721電梯控制技術(shù)綜合實(shí)訓(xùn)裝置的特點(diǎn)有哪些？
2021-09-26 06:07:05
是直流輸出電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，計(jì)算IGBT在類似PFC電路中的傳導(dǎo)損耗將更加復(fù)雜，因?yàn)槊總€(gè)開(kāi)關(guān)周期都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示，比較簡(jiǎn)單直接的方法是將其表示為阻抗
2017-04-15 15:48:51
外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過(guò)調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來(lái)控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI需要折中，因?yàn)檩^高的di/dt 會(huì)導(dǎo)致電壓尖
2019-03-06 06:30:00
進(jìn)入國(guó)家電網(wǎng)系統(tǒng)的企業(yè)，打破歐美等國(guó)家對(duì)我國(guó)在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，加快了國(guó)家智能電網(wǎng)“中國(guó)芯”國(guó)產(chǎn)化的步伐。IGBT器件作為電壓控制型器件，具有容量大、損耗小、易于控制等優(yōu)點(diǎn)，可使換流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)更加
2015-01-30 10:18:37
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開(kāi)通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗，以及關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
)用低內(nèi)阻的驅(qū)動(dòng)源對(duì)門(mén)極電容充放電，以保證門(mén)及控制電壓uGS有足夠陡峭的前、后沿，使IGBT的開(kāi)關(guān)損耗盡量小。另外，IGBT開(kāi)通后，門(mén)極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)提供足夠的功率，使IGBT不至退出飽和而損壞。(3)門(mén)極
2012-06-11 17:24:30
的實(shí)際方法被提出來(lái)。本文主要以反激式開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器為例討論如何降低開(kāi)關(guān)電源的空載損耗。 最后是各集成控制器廠商針對(duì)降低空載損耗所開(kāi)發(fā)出的 10W 左右輸出功率的產(chǎn)品的簡(jiǎn)介和比較。
關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源、空載
2025-03-17 15:25:45
半導(dǎo)體以開(kāi)關(guān)速度更快的方式進(jìn)行控制，則開(kāi)關(guān)損耗會(huì)降低，從而提高系統(tǒng)效率。另一方面，正是這種高開(kāi)關(guān)速度會(huì)對(duì)電機(jī)絕緣等其他組件的使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響，并可能導(dǎo)致EMI問(wèn)題。恒流驅(qū)動(dòng)技術(shù)可以在有限的dv/dt
2023-02-21 16:36:47
波形表2 IGBT導(dǎo)通過(guò)程受FWD反向恢復(fù)過(guò)程特性的影響。一種可能性是，采用不同的外部柵極電阻控制導(dǎo)通過(guò)程。如表2所示，HL3的損耗比HE3約高出37%， IGBT dv/dt由FWD恢復(fù)速度決定
2018-12-06 10:05:40
MOSFET一樣，通過(guò)電壓信號(hào)就可以控制其開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)作。對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中備受關(guān)注的IGBT損耗（PTotal）問(wèn)題，主要來(lái)自兩個(gè)方面：通態(tài)損耗（PCond）和開(kāi)關(guān)損耗（PSW），如式1所示。IGBT背面
2015-12-24 18:13:54
如圖，經(jīng)?？吹絀R系列的IC說(shuō)明“抗du/dt干擾能力為50 V/ns”，這個(gè)概念是什么？還有在別的地方看到“較小的柵極電阻還使得IGBT開(kāi)通di/dt變大”“波形中di/dt分量比較大”這些是什么概念。
2016-06-14 09:14:09
可大幅降低開(kāi)通損耗。在本例中，損耗由40mW降低至 23.2mW。盡管在開(kāi)通過(guò)程中，dI/dt可降低IGBT的電壓，但在關(guān)斷過(guò)程中，它也可增大IGBT的關(guān)段電壓尖峰。因此，直流母線寄生電感的增加會(huì)增大
2018-12-10 10:07:35
的時(shí)間很短，因此可以降低開(kāi)通損耗，同理，在IGBT關(guān)斷時(shí)，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時(shí)間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中，過(guò)快的開(kāi)通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下
2016-11-28 23:45:03
的時(shí)間很短，因此可以降低開(kāi)通損耗，同理，在IGBT關(guān)斷時(shí)，陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時(shí)間，從而減小了關(guān)斷損耗，發(fā)熱量降低。但在實(shí)際使用中，過(guò)快的開(kāi)通和關(guān)斷在大電感負(fù)載情況下反而是不利的。因?yàn)樵谶@種情況下
2016-10-15 22:47:06
開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)是會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁噪聲，如果不嚴(yán)格控制，會(huì)產(chǎn)生很大的干擾。 下面介紹的技術(shù)有助于降低開(kāi)關(guān)電源的噪聲，并可用于高度敏感的模擬電路。1.電路和設(shè)備的選擇關(guān)鍵是將dv / dt和di
2022-05-25 10:40:40
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
減小硅鋼片的厚度，但薄鐵芯片會(huì)增加鐵芯片數(shù)目和電機(jī)制造成本。3、采用導(dǎo)磁性能良好的冷軋硅鋼片降低磁滯損耗。4、采用高性能鐵芯片絕緣涂層。5、熱處理及制造技術(shù)，鐵芯片加工后的剩余應(yīng)力會(huì)嚴(yán)重影響電動(dòng)機(jī)
2018-10-11 10:21:49
和MOSFET的關(guān)斷損耗差不多。MOSFET開(kāi)關(guān)損耗與溫度關(guān)系不大，但IGBT每增加100度，損耗增加2倍。 開(kāi)通損耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都對(duì)溫度比較敏感，且呈正溫度
2009-05-12 20:44:23
、功率MOSFET和IGBT等）的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用?！ 【чl管開(kāi)通時(shí)，為了防止過(guò)大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感，以限制過(guò)大的di/dt，串聯(lián)電感及其配件組成了開(kāi)通緩沖
2019-05-24 09:03:50
時(shí)，這些能量將瞬時(shí)全部耗散在開(kāi)關(guān)器件內(nèi)，從而增加開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通損耗，而且du/dt很大，將產(chǎn)生嚴(yán)重的開(kāi)關(guān)噪聲，這會(huì)影響開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)電路，使電路工作不穩(wěn)定。但是由于其控制簡(jiǎn)單，電路成熟，目前這種控制方式
2018-12-03 13:47:57
IGBT無(wú)法成功開(kāi)通，而且柵極加上控制信號(hào)時(shí)，發(fā)射極有個(gè)3V的電壓是什么原因，理論上應(yīng)該是漏個(gè)零點(diǎn)幾伏。功率IGBT型號(hào)是三菱的PS21767
2024-04-17 20:31:35
650V IGBT4，旨在提供更大的設(shè)計(jì)自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度，并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低，帶來(lái)了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門(mén)設(shè)計(jì)用于中高電流應(yīng)用。相對(duì)于
2018-12-07 10:16:11
高壓的二極管相串聯(lián)，但是，串聯(lián)的二極管引起通態(tài)壓降的增大，增加了損耗。而RB-IGBT是一種新型的IGBT，具有反向耐壓能力，相對(duì)于傳統(tǒng)串聯(lián)二極管的模式，減少器件的同時(shí)，還降低了通態(tài)壓降和損耗。兩種
2020-12-11 16:54:35
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路的詳細(xì)介紹
2021-04-12 06:21:56
效能。溝槽場(chǎng)截止降低IGBT靜態(tài)損耗 搭載這項(xiàng)技術(shù)的組件效能主要由晶格尺寸、芯片厚度及摻雜分布等設(shè)計(jì)參數(shù)控制。設(shè)計(jì)人員透過(guò)調(diào)整這些參數(shù)，便能讓組件在漂移區(qū)的高載子密度增加。此類組件提供低VCE(sat
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
98 Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:3210 對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在沒(méi)有正常的門(mén)極觸發(fā)信號(hào)時(shí)MOS開(kāi)通,這樣會(huì)
2009-11-28 11:25:284 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543 IGBT開(kāi)關(guān)等效電路和開(kāi)通波形電路
2010-02-17 17:22:573280 
器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對(duì)近年來(lái)的各種研究
2011-09-01 16:38:4565
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過(guò)打破硅“理論上”的限制
來(lái)將IGBT 開(kāi)關(guān)損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231359 本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
RG增加，將使IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間增加，因而使開(kāi)通與關(guān)斷能耗均增加。而柵極電阻減小，則又使di/dt增大，可能引發(fā)IGBT誤導(dǎo)通，同時(shí)RG上的損耗也有所增加。
2017-05-16 09:05:377255 
在正常情況下IGBT的開(kāi)通速度越快，損耗越小。但在開(kāi)通過(guò)程中如有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容的放電電流，則開(kāi)通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導(dǎo)致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動(dòng)
2017-05-17 14:18:334785 
不同， 通過(guò)IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過(guò)測(cè)量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)量條件與實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的差別， 并介紹IGBT 的損耗的簡(jiǎn)單測(cè)量方法。 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開(kāi)關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下
2017-09-22 19:19:3732 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對(duì)柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個(gè)由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過(guò)Q6的電流鏡像到流過(guò)Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT開(kāi)通時(shí)柵極電流的調(diào)控，IGBT開(kāi)通時(shí)di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5013993 
IGBT作為具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?，F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開(kāi)關(guān)損耗。作為開(kāi)關(guān)器件，研究它的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程當(dāng)然是必不可少的，今天我們就來(lái)說(shuō)說(shuō)IGBT的開(kāi)通過(guò)程。
2019-01-01 15:04:0053615 
多階段驅(qū)動(dòng)方法就是將IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程分段控制，對(duì)不同的階段采取不同的控制方法，這樣就可以盡量減小因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">控制而造成的開(kāi)關(guān)延時(shí)和開(kāi)關(guān)損耗，從而在實(shí)現(xiàn)相同控制目標(biāo)的條件下，由更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間和更小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-07 11:48:008186 
柵極電路的正偏壓VGE、負(fù)偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0043 英飛凌電流源型驅(qū)動(dòng)芯片，一種非常適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的產(chǎn)品，將同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無(wú)核變壓器技術(shù)平臺(tái)的隔離式驅(qū)動(dòng)芯片，能精準(zhǔn)地實(shí)時(shí)控制開(kāi)通時(shí)的dv/dt。下面我們來(lái)仔細(xì)看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:073949 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過(guò)調(diào)整來(lái)達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開(kāi)關(guān)損耗。
2020-09-29 11:43:233011 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:022050 高共模噪聲是汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:275074 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-04 08:55:5057 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:226244 
首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)包括：開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、開(kāi)通電流上升率di/dton、開(kāi)通電壓下降率dv/dton，電流上升時(shí)間tr
2022-04-27 15:10:219701 在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
2022-12-19 09:38:493398 電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:372337 
IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:444335 
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車(chē)載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（...
2023-02-08 13:43:191522 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:081973 
電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:011641 
di/dt水平過(guò)高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時(shí)，施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會(huì)大大超過(guò)額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:5712320 
? 三相逆變器為什么是六單元模塊？ 兩個(gè)IGBT模塊控制一相 （具體原理如下） 1 ） 柵極驅(qū)動(dòng)電壓IGBT開(kāi)通時(shí)， 正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令IGBT產(chǎn)生完全飽和， 并使通態(tài)損耗減至最小， 同時(shí)也
2023-02-22 14:29:220 一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí)，對(duì)于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
2023-05-25 17:16:254512 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:235725 
的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:442341 
①靜態(tài)dV/dt：會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開(kāi)通。
2023-07-14 14:39:262866 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:174836 
IGBT開(kāi)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開(kāi)關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:334343 IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開(kāi)通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過(guò)大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過(guò)
2024-11-14 14:59:192865 
IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載流子濃度，但這會(huì)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)的載流子抽取時(shí)間
2025-08-19 14:41:232336
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