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      標(biāo)簽　>　功率半導(dǎo)體

      • 詳情
      • 知識(shí)
      • 相關(guān)內(nèi)容

      功率半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（瑞士）林德?！豆β拾雽?dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      功率半導(dǎo)體百科

      　　《功率半導(dǎo)體》是2009年02月機(jī)械工業(yè)出版社出版的圖書，作者是（瑞士）林德。《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。

      　　內(nèi)容簡(jiǎn)介

      　　功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。作為基礎(chǔ)內(nèi)容，書中詳細(xì)描述了上述器件的工作原理和特性。同時(shí)，作為長(zhǎng)期從事新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的資深專家，作者還給出了上述各類器件在不同工作條件下的比較分析，力圖全面反映功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。

      　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》既可以作為電氣工程專業(yè)、自動(dòng)化專業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書，也可作為電力電子領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考用書。

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      功率半導(dǎo)體知識(shí)

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      功率半導(dǎo)體技術(shù)

      SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代的EMI建模實(shí)戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結(jié)果反推PCB布線缺陷

      SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代的EMI建模實(shí)戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結(jié)果反推PCB布線缺陷

      SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代的EMI建模實(shí)戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結(jié)果反推PCB布線缺陷 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)與電磁兼容（EMC）的深刻變革 在全球能源結(jié)...

      2026-03-30 標(biāo)簽：emiSiC功率半導(dǎo)體 5.6k 0

      一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細(xì)節(jié)：特征參數(shù)、特性曲線與工程應(yīng)用全解析

      一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細(xì)節(jié)：特征參數(shù)、特性曲線與工程應(yīng)用全解析

      -關(guān)于SIC關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v2.0版本，全文21000字-文字原創(chuàng)，素材來源：Danfoss,infineon,NXP,ROHM,網(wǎng)絡(luò)-非授權(quán)不得...

      2026-03-11 標(biāo)簽：SiC功率模塊功率半導(dǎo)體 1.3k 0

      博世PM6功率模塊方案深度解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、互連方式、高熱導(dǎo)與可靠性設(shè)計(jì)

      博世PM6功率模塊方案深度解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、互連方式、高熱導(dǎo)與可靠性設(shè)計(jì)

      以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺(tái)化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非授權(quán)不得...

      2026-03-08 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體博世 1.2k 0

      場(chǎng)效應(yīng)管選型指南：從技術(shù)演進(jìn)到應(yīng)用實(shí)踐的全景解讀

      場(chǎng)效應(yīng)管選型指南：從技術(shù)演進(jìn)到應(yīng)用實(shí)踐的全景解讀

      一、行業(yè)背景：功率半導(dǎo)體面臨的三重挑戰(zhàn)在智能化浪潮推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體元件正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。從新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)到工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的伺服控制，從消...

      2026-03-07 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管器件功率半導(dǎo)體 357 0

      全球十大主流車規(guī)級(jí)功率封裝全景解析：HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

      全球十大主流車規(guī)級(jí)功率封裝全景解析：HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

      以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于全球十大車規(guī)級(jí)功率模塊封裝·全景解析，共19500字-文字原創(chuàng)，素材來源：各器件廠商信息，第...

      2026-03-07 標(biāo)簽：DCM功率半導(dǎo)體大功率封裝 1.5k 0

      Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南：兩類器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動(dòng)力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

      Si/SiC功率半導(dǎo)體選型與應(yīng)用指南：兩類器件特性、4種控制策略與拓?fù)?、多種動(dòng)力構(gòu)型/駕駛循環(huán)/性能需求

      -關(guān)于選IGBT還是SIC的解讀-來源：Infineon,Xpeng,Yole,SysPro-在保證原主旨基礎(chǔ)上，對(duì)內(nèi)容進(jìn)行重構(gòu)和擴(kuò)展說明-更多體系化內(nèi)...

      2026-02-24 標(biāo)簽：控制器SiC功率半導(dǎo)體 1.6k 0

      電力電子控制從線性控制到模型預(yù)測(cè)控制在SiC功率系統(tǒng)中的融合與應(yīng)用

      全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...

      2026-02-12 標(biāo)簽：SiC電子控制功率半導(dǎo)體 1.1k 0

      一文了解什么是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的失效

      一文了解什么是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的失效

      功率半導(dǎo)體器件失效，指的是器件功能完全或部分喪失、參數(shù)發(fā)生顯著漂移，或間歇性出現(xiàn)上述異常狀態(tài)。無論失效是否可逆，一旦發(fā)生，該器件在實(shí)際應(yīng)用中便不再具備使...

      2026-01-15 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件失效模式 273 0

      博世PM6功率模塊平臺(tái)化方案全景解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC

      博世PM6功率模塊平臺(tái)化方案全景解析：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三維布局、燒結(jié)/互聯(lián)、AMB+DBC

      以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺(tái)化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球節(jié)選，非授權(quán)不得...

      2026-01-14 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體博世 2.7k 0

      功率半導(dǎo)體熱阻（Rth）基礎(chǔ)知識(shí)的詳解；

      功率半導(dǎo)體熱阻（Rth）基礎(chǔ)知識(shí)的詳解；

      【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

      2026-01-12 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 5.4k 0

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      功率半導(dǎo)體資料下載

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      功率半導(dǎo)體資訊

      AOS IPM5模塊在印度正式量產(chǎn)，“薩南德—硅谷”橋梁助推全球半導(dǎo)體新格局

      AOS IPM5模塊在印度正式量產(chǎn)，“薩南德—硅谷”橋梁助推全球半導(dǎo)體新格局

      在印度薩南德舉行的 Kaynes Semicon 開業(yè)典禮上， Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS，中...

      2026-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IPM功率半導(dǎo)體 499 0

      2026年MOS管選型參考：從五個(gè)維度評(píng)估MOS管廠家的可靠性

      2026年MOS管選型參考：從五個(gè)維度評(píng)估MOS管廠家的可靠性

      導(dǎo)語：功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈調(diào)整下，電子制造企業(yè)如何選擇MOSFET供應(yīng)商2026年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍在持續(xù)調(diào)整。對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)管理者而言，MOS...

      2026-04-15 標(biāo)簽：MOSFETMOS管功率半導(dǎo)體 202 0

      士蘭微電子亮相2026 Open AI Infra Summit

      士蘭微電子亮相2026 Open AI Infra Summit

      4月10日，2026 Open AI Infra Summit在北京舉行。大會(huì)群英薈萃，來自行業(yè)的院士專家、領(lǐng)軍企業(yè)共聚一堂，聚焦MW級(jí)算力系統(tǒng)以及GW...

      2026-04-14 標(biāo)簽：服務(wù)器士蘭微功率半導(dǎo)體 212 0

      日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待

      日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待

      2026年3月，日本名古屋大學(xué)低溫等離子體科學(xué)研究中心與該校孵化初創(chuàng)企業(yè)nu-rei株式會(huì)社，將在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)講演會(huì)上集中發(fā)布關(guān)于次世代功率半導(dǎo)...

      2026-04-09 標(biāo)簽：材料功率半導(dǎo)體氧化鎵 298 0

      士蘭微電子榮獲思格新能源2025年度聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)

      近日，以“質(zhì)量為王·同思致遠(yuǎn)”為主題的思格新能源2026全球供應(yīng)商大會(huì)在上海隆重舉行。杭州士蘭微電子股份有限公司憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)實(shí)力與深度...

      2026-04-08 標(biāo)簽：士蘭微電子功率器件功率半導(dǎo)體 795 0

      霍爾木茲能源危機(jī)下全球電氣化轉(zhuǎn)型與SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度研究報(bào)告

      霍爾木茲能源危機(jī)下全球電氣化轉(zhuǎn)型與SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度研究報(bào)告

      2026年爆發(fā)的中東地緣政治沖突及其引發(fā)的霍爾木茲海峽實(shí)質(zhì)性封鎖，構(gòu)成了現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)史上最為嚴(yán)重的系統(tǒng)性跨市場(chǎng)沖擊之一。

      2026-04-05 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

      實(shí)踐案例｜功率半導(dǎo)體 AI 量產(chǎn)落地：良率與成本雙突破

      實(shí)踐案例｜功率半導(dǎo)體 AI 量產(chǎn)落地：良率與成本雙突破

      在APEC2026《AI與數(shù)字孿生重塑功率器件創(chuàng)新》主題論壇上，普迪飛重磅展示了兩項(xiàng)已成功落地量產(chǎn)的AI/ML應(yīng)用案例。這些案例沉淀自我們與功率半導(dǎo)體制...

      2026-04-02 標(biāo)簽：AI功率半導(dǎo)體普迪飛 408 0

      圓滿落幕！江西薩瑞微電子亮相 2026 春季亞洲充電展

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      01展會(huì)盛況，實(shí)力出圈本屆展會(huì)匯聚超115家行業(yè)優(yōu)質(zhì)展商，聚焦快充、新能源、汽車電子等核心領(lǐng)域，打造了一場(chǎng)集技術(shù)展示、商務(wù)對(duì)接、趨勢(shì)洞察于一體的行業(yè)盛宴...

      2026-04-01 標(biāo)簽：充電MOSFET功率半導(dǎo)體 140 0

      2026航空級(jí)功率半導(dǎo)體的工程實(shí)踐：eVTOL各系統(tǒng)MOSFET選型要求與型號(hào)推薦

      2026航空級(jí)功率半導(dǎo)體的工程實(shí)踐：eVTOL各系統(tǒng)MOSFET選型要求與型號(hào)推薦

      引言：2026年eVTOL功率半導(dǎo)體選型的時(shí)代挑戰(zhàn) 2026年，eVTOL（電動(dòng)垂直起降飛行器）正加速?gòu)募夹g(shù)驗(yàn)證邁向規(guī)?；虡I(yè)運(yùn)營(yíng)。全球多個(gè)城市已啟動(dòng)低...

      2026-04-02 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體eVTOL 329 0

      三菱電機(jī)攜手羅姆與東芝探討功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整合

      2026年3月27日，三菱電機(jī)株式會(huì)社（東京證券交易所代碼：6503）宣布已簽署一份諒解備忘錄（MOU），旨在啟動(dòng)其功率器件業(yè)務(wù)與羅姆株式會(huì)社和東芝電子...

      2026-04-01 標(biāo)簽：東芝三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 375 0

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      功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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      • 尼吉康
        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
      • 閾值電壓
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        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
      • 無線供電
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        +關(guān)注
        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        寧德時(shí)代
        +關(guān)注
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        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
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        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
        +關(guān)注
        國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
      • Pebble
        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
      • WPC
        WPC
        +關(guān)注
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
        +關(guān)注
        手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • A4WP
        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
      • MAX660
        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽能充電
        太陽能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
      • UCD3138
        UCD3138
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