全球最先進的1nm EUV光刻機業(yè)已完成設計
想想幾年前的全球半導體芯片市場，真的可謂哀嚎一片，一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺積電宣布2nm獲得重大進展，就連光刻機的老大ASML也傳來捷報，全球最先進的1nm EUV光刻機業(yè)已完成設計。
ASML已完成1nm光刻機設計
近日，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術細節(jié)。具體來看，ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。
顯然，1nm光刻機需要更強大的物理極性，2nm之后需要更高分辨率的曝光設備。目前已經投入量產的7nm、5nm工藝已經引入了0.33NA的EUV曝光設備，而ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計，預計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。
很高興看到摩爾定律又起效了！
責任編輯:pj
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