近日，德州儀器旗下LM25149和LMG3525R030-Q1兩款芯片分別獲得由 21ic 電子網(wǎng)評(píng)選頒發(fā)的 2021 年度（第十九屆）TOP10 Power 產(chǎn)品獎(jiǎng)和優(yōu)化開發(fā)獎(jiǎng)。

TOP10 Power 電源產(chǎn)品獎(jiǎng)是由 21ic 主導(dǎo)策劃的，至今已經(jīng)成功舉辦了 18 年。今年，經(jīng)過全網(wǎng)數(shù)千次的工程師投票和 21ic 編輯緊張的審評(píng)，2021 年度第十九屆 Top10 Power 電源產(chǎn)品獎(jiǎng)結(jié)果出爐。

TOP10 Power 產(chǎn)品獎(jiǎng)是備受中國(guó)電源行業(yè)內(nèi)認(rèn)同的行業(yè)基準(zhǔn)之一，綜合自技術(shù)、應(yīng)用、設(shè)計(jì)、創(chuàng)新、能效比多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)嚴(yán)格評(píng)選得出。該獎(jiǎng)項(xiàng)的參選范圍包括所有電源類產(chǎn)品，獲得該殊榮則代表著該產(chǎn)品在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新。

優(yōu)化開發(fā)獎(jiǎng)則更趨向于工程師開發(fā)，獲得該殊榮代表著該產(chǎn)品具有完備開發(fā)套件，易于工程師迅速掌握進(jìn)行二次開發(fā)。

LM25149：首款具有集成式有源EMI濾波器的先進(jìn)直流/直流控制器

LM25149 同步直流/直流降壓控制器是業(yè)界具有集成式有源 EMI 濾波器的先進(jìn)直流/直流控制器，支持工程師實(shí)現(xiàn)超小的低 EMI 電源設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)人員可以使用該器件來減小工業(yè)和汽車電子產(chǎn)品中電源的尺寸并降低 EMI。

通過集成式有源 EMI 濾波器，LM25149 使工程師能夠滿足 EMI 標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)提高設(shè)計(jì)的功率密度。工程師可將外部 EMI 濾波器的面積減半，將電源設(shè)計(jì)中多個(gè)頻帶上的傳導(dǎo)EMI 降低多達(dá) 55dBμV，或者同時(shí)縮減濾波器尺寸和降低 EMI。

在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)低 EMI 電源和小尺寸解決方案通常是相互矛盾的。但是，LM25149 支持工程師滿足具有挑戰(zhàn)性的 EMI 標(biāo)準(zhǔn)，并通過減小無源 EMI 濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，在 440kHz 頻率下，工程師最多可以將前端 EMI 濾波器的面積和體積分別縮減近 50% 和 75% 以上。通過減小無源元件的濾波負(fù)載，集成式有源 EMI 濾波器可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實(shí)現(xiàn)尺寸更小、EMI 更低的電源設(shè)計(jì)。

LM25149 控制器通過實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)式雙相操作以及集成自舉二極管、環(huán)路補(bǔ)償和輸出電壓反饋元件，進(jìn)一步提高了功率密度，進(jìn)而降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。工程師還可以利用外部反饋和環(huán)路補(bǔ)償進(jìn)一步優(yōu)化其設(shè)計(jì)。

專家點(diǎn)評(píng)

評(píng)委組認(rèn)為：“近年來，電源管理 IC 企業(yè)除了讓功率密度越做越高，EMI 也是廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。LM25149 遠(yuǎn)低于同類競(jìng)品的 EMI 濾波器面積和體積，為工業(yè)和汽車電子產(chǎn)品帶來更多設(shè)計(jì)可能性。作為首款具有集成式有源 EMI 濾波器的先進(jìn)直流/直流控制器，其在各項(xiàng)指標(biāo)上都頗具優(yōu)勢(shì)，該項(xiàng)產(chǎn)品才得以脫穎而出?！?/p>

LMG3525R030-Q1：首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

全新的 LMG3525R030-Q1 是業(yè)界首款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和主動(dòng)電源管理功能的先進(jìn)汽車 GaN FET。在高電壓、高密度應(yīng)用中，更大限度地減小布板空間是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)考量因素。隨著電子系統(tǒng)越來越小，其中的各種元件也必須縮減尺寸和間距。

TI 的新型 GaN FET 集成了快速開關(guān)驅(qū)動(dòng)器以及內(nèi)部保護(hù)和溫度感應(yīng)功能，使工程師能夠在實(shí)現(xiàn)高性能的同時(shí)減小電源管理設(shè)計(jì)的布板空間。

這種集成加上 TI GaN 技術(shù)的高功率密度，使工程師不再需要分立式解決方案中通常所需的 10 多個(gè)元件。此外，當(dāng)應(yīng)用于半橋配置時(shí)，每個(gè)全新的 30mΩ FET 都可以支持高達(dá) 4kW 的功率轉(zhuǎn)換。

新型 GaN FET 采用 TI 的理想二極管模式來降低功耗。例如，在功率因數(shù)校正（PFC）中，與分立式 GaN 和 SiC 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，理想二極管模式可將第三象限損耗降低多達(dá) 66%。

理想二極管模式還消除了對(duì)自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的需要，從而降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時(shí)間。TI GaN FET 封裝的熱阻抗比同類封裝產(chǎn)品低 23%，因此，工程師能夠使用更小的散熱器，同時(shí)簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)。

專家點(diǎn)評(píng)

評(píng)委組認(rèn)為：“GaN 在近幾年發(fā)展迅猛，由于 TI 在 GaN 技術(shù)的多年耕耘，才使得 LMG3525R030-Q1 產(chǎn)品能夠兼具高性能和更小的布板空間。另外，理想二極管模式大大降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時(shí)間。加上 TI 為工程師提供完備的設(shè)計(jì)資源和設(shè)計(jì)服務(wù)，該項(xiàng)產(chǎn)品才得以在優(yōu)化開發(fā)方面脫穎而出?！?/p>

責(zé)任編輯：haq