效率高成本低的MOS管2N7002
在實際應(yīng)用中如果要說哪款又便宜又可靠的MOS管當屬2N7002，2N7002屬于N溝道增強型場效應(yīng)管。具有抗沖擊能力強，輸出效率高，成本低等特點。仁懋電子的2N7002低壓溝槽場效應(yīng)管通過采用最先進的溝槽技術(shù)和芯片布局，采用SOT-23封裝，電壓VDS最大為60伏，漏極電流ID為380毫安。該產(chǎn)品最大限度地降低了導通電阻, 同時提供耐用, 可靠與快速的開關(guān)性能. 可用于大多數(shù)需要高達400mA 直流的應(yīng)用, 并可提供高達2A的脈沖電流. 適用于電源管理, 電機驅(qū)動與控制, 音頻等領(lǐng)域。如小型伺服電機控制或功率MOSFET門驅(qū)動器.。
仁懋電子創(chuàng)始于2011年，2016年落戶于深圳，寶安區(qū)重點企業(yè)；是國內(nèi)知名的半導體封裝測試的高新技術(shù)企業(yè)。主營產(chǎn)品：肖特基二極管、三極管、低中高壓MOS、快恢復二極管、低壓降肖特基、IGBT；廣泛應(yīng)用于消費電子、移動終端、電源適配器、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源、新能源汽車等領(lǐng)域。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電子元器件
+關(guān)注
關(guān)注
134文章
3952瀏覽量
114363 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1755瀏覽量
101159 -
2N7002
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
3476
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOS管在24V無刷電機風扇應(yīng)用參數(shù)詳解與選型指南
）：高側(cè)+低側(cè)均用N管，效率高、發(fā)熱低，需自舉電路。2.N
發(fā)表于 03-30 16:29
?1次下載
N溝道MOS管和 P溝道MOS管怎么選？區(qū)別是什么？
剛接觸硬件設(shè)計、畫PCB板的朋友，幾乎都會被一個問題難?。弘娐防锏?b class='flag-5'>MOS管，N溝道和P溝道到底有啥區(qū)別？我該選哪個？選錯MOS管，輕則出現(xiàn)電
惠海 44-57V轉(zhuǎn)3.3V2A，12V1A，12V1.5A整套低成本POE供電芯片方案 動態(tài)響應(yīng)好 紋波小 抗干擾強 小體積
、電動車手機充電、MCU模塊供電、電動汽車變流器、車載儀表等
POE分離器（設(shè)備供電）芯片H6225K【小體積、小封裝、效率高、整套成本低】
H6225K是一種內(nèi)置60V耐壓MOS，支持輸入高達48V
發(fā)表于 12-27 11:12
選擇N-MOS還是P-MOS？
（1）從電路結(jié)構(gòu)上看，低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS；
（2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號多，物料
發(fā)表于 12-24 07:00
合科泰MOS管2N7002KM的技術(shù)原理和應(yīng)用案例
2N7002KM是一款采用SOT-723超小封裝的N溝道增強型MOSFET，具有六十伏特耐壓能力和零點三四安培連續(xù)電流承載能力。這款產(chǎn)品的突出特點在于其零點九歐姆的導通電阻配合八千伏特的ESD防護
選型手冊：VS2N7002K N 溝道增強型小信號 MOSFET 晶體管
威兆半導體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號場景的N溝道增強型MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低功率信號開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用
在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管
中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破
在功率半導體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時，一款兼具150V
PD快充MOS管高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案
MOS 管內(nèi)阻，可有效減少充電器在工作過程中的功耗與發(fā)熱，提升使用安全性與穩(wěn)定性。
低開關(guān)損耗：通過優(yōu)化 MOS 管的極間電容（如 Ciss 參數(shù)），能夠降低開關(guān)過程中的能量損耗，進
發(fā)表于 11-03 09:28
HGE028N15L DCDC應(yīng)用電路中MOS管的選型指南20-250V全系列低內(nèi)阻MOS
HGE028N15L DCDC應(yīng)用電路中MOS管的選型指南20-250V全系列低內(nèi)阻MOS
發(fā)表于 10-30 09:13
工程師私藏技巧：MOS管如何讓你的移動電源快充又省電？HGE001N04L 低內(nèi)阻1mΩ 40V 170A大電流
應(yīng)對快充需求，有效減少發(fā)熱和損耗。
（二）升壓效率高，延長續(xù)航時長
在放電升壓時，HGE001N04L 耐壓40V，快關(guān)速度快，可以輕松實現(xiàn) 3.7V 升壓至 5V/9V/12V 的高效電壓轉(zhuǎn)換，升壓
發(fā)表于 07-29 15:58
中低壓MOS管2N7002數(shù)據(jù)手冊
● 溝槽功率MV MOSFET技術(shù)?● 電壓控制小信號開關(guān)?● 低輸入電容?● 快速開關(guān)速度?● 低輸入/輸出漏電流
發(fā)表于 07-09 14:54
?4次下載
ZSKY－2N7002－SOT－23 N溝道MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY－2N7002－SOT－23 N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 05-13 16:48
?0次下載
2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規(guī)格書
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和
發(fā)表于 04-29 18:14
?0次下載
2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和
發(fā)表于 04-27 16:59
工商網(wǎng)監(jiān)
評論