7月5日，力積電宣布與日本SBI控股株式會(huì)社（SBI）達(dá)成協(xié)議，打算在日本建立一座12英寸晶圓代工廠。關(guān)于投資金額、持股比重及設(shè)廠地點(diǎn)等其他細(xì)節(jié)，后續(xù)會(huì)協(xié)商確定。

這項(xiàng)協(xié)議是由力積電董事長(zhǎng)黃崇仁與SBI代表董事，總裁兼首席執(zhí)行官YoshitakaKitao于日本東京簽訂。根據(jù)協(xié)議，未來(lái)，雙方將在本協(xié)議框架下共同成立籌備公司，通過(guò)該公司逐步開(kāi)展相關(guān)晶圓廠規(guī)劃和建設(shè)。

TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示，在2023年第一季度全球前十大晶圓代工業(yè)者營(yíng)收排名中，力積電以1.2%的市占率位居全球第八位。

力積電董事長(zhǎng)黃崇仁表示，力積電是唯一一家兼具存儲(chǔ)器和邏輯處理能力的純晶圓代工公司。未來(lái)，公司將自行開(kāi)發(fā)22/28納米以上制程及晶圓堆疊（WaferonWafer）技術(shù)，以滿足AI邊緣計(jì)算衍生出的多重應(yīng)用市場(chǎng)，同時(shí)補(bǔ)強(qiáng)本土車用芯片的缺口。

全球發(fā)力半導(dǎo)體制造

“到2030年，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到100兆日元。”YoshitakaKitao指出，在此之前日本企業(yè)與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中處于領(lǐng)先地位的中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)合作，是日本振興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功的絕佳時(shí)機(jī)。

2021年6月，日本首次發(fā)布《半導(dǎo)體數(shù)字產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》，希望將其打造成亞洲的數(shù)據(jù)中心，以刺激市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體的需求，從而吸引芯片制造商到日本，利用與海外代工廠合作建造新廠的機(jī)會(huì)，重振其半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)。

2022年底，日本豐田、索尼、瑞薩等8家行業(yè)巨頭聯(lián)合成立了Rapidus公司，日本官方為其提供巨額補(bǔ)貼，希望打造先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線，從45nm工藝跨度至2nm工藝。Rapidus計(jì)劃，2025年4月開(kāi)始運(yùn)營(yíng)一條試驗(yàn)性生產(chǎn)線，并引進(jìn)EUV***等設(shè)備，目標(biāo)是2027年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝。

近日，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張凱文在日本橫濱舉行的新聞發(fā)布會(huì)上表示，臺(tái)積電目前正在日本和美國(guó)建廠，其中日本熊本工廠將重點(diǎn)推出12nm/16nm和22nm/28nm生產(chǎn)線。

不過(guò)，當(dāng)媒體問(wèn)及是否計(jì)劃在日本建設(shè)更先進(jìn)制程的工廠時(shí)，張凱文表示：“我不排除這種可能性?！倍槍?duì) Rapidus 也宣布將量產(chǎn) 2nm 芯片，張凱文表示：“我相信臺(tái)積電（的 2nm 工藝）能夠?yàn)闃I(yè)界最頂尖的芯片帶來(lái)一流的表現(xiàn)?！?/p>

臺(tái)積電日本總裁小野寺誠(chéng)則表示，臺(tái)積電在日本的銷售額從第一年（1997 年）的 1.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 10.89 億元人民幣）穩(wěn)步增長(zhǎng)到 2010 年的 6 億美元（當(dāng)前約 43.56 億元人民幣），2022 年則達(dá)到 38 億美元（當(dāng)前約 275.88 億元人民幣），日本是臺(tái)積電去年銷量增長(zhǎng)最快的地區(qū)。臺(tái)積電運(yùn)往日本的晶圓數(shù)量累計(jì)已達(dá)到 921.2 萬(wàn)片，僅 2022 年就達(dá)到了 130 萬(wàn)片。

圖源 臺(tái)積電

根據(jù)會(huì)上公布的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電 2023 財(cái)年第一季度（4-6 月）銷售額為 167.2 億美元（當(dāng)前約 1213.87 億元人民幣），其中 5nm 工藝占比最高，為 31%，7nm 占比 20%，二者合計(jì)占比就超過(guò)了 50%。此外，張凱文還表示，臺(tái)積電會(huì)在 2025 年開(kāi)始量產(chǎn) 2nm GAA（Gate All around）工藝“N2”。

另?yè)?jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本與歐盟計(jì)劃將簽署備忘錄，加深半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。雙方擬在下一代半導(dǎo)體研發(fā)和人力資源方面展開(kāi)合作，創(chuàng)建合作體系以維持長(zhǎng)期關(guān)系。

針對(duì)半導(dǎo)體等相關(guān)補(bǔ)貼政策，日本在截至2023財(cái)年的這兩年內(nèi)，編列的預(yù)算達(dá)2萬(wàn)億日元。

除了日本，美國(guó)和歐盟也在發(fā)力。美國(guó)計(jì)劃到2027年的五年內(nèi)提供520億美元的半導(dǎo)體制造與科研等相關(guān)補(bǔ)貼；今年4月，歐盟《歐洲芯片法案》就立法達(dá)成初步協(xié)定，計(jì)劃在2030年前調(diào)動(dòng)430億歐元的公共和私人投資基金，到2030年實(shí)現(xiàn)歐洲芯片產(chǎn)量在全球占比提升至20%。