MSPMPL系列中的NVM（Non Volatile Memory）非易失性存儲(chǔ)，也就是我們常說(shuō)的FLASH。

在MSPM0L系列的 FLASH中，一個(gè)Sector為1KB，一個(gè)Bank可達(dá)256KB，而MSPM0L系列中，大部分型號(hào)也就只有一個(gè)Bank，所以在只有一個(gè)Bank的型號(hào)中，Bank操作會(huì)涉及到整個(gè)片內(nèi)的FLASH，F(xiàn)LASH控制器數(shù)據(jù)操作是Word操作，也就是4個(gè)字節(jié)，當(dāng)然也支持1字節(jié)和2字節(jié)的寫(xiě)入操作。

下面以64KB FLASH的芯片舉例，F(xiàn)LASH的地址分布如下，NONMAIN就是BSL區(qū)域，F(xiàn)ACTORY為出廠預(yù)存數(shù)據(jù)。

下面通過(guò)一個(gè)FLASH的寫(xiě)入的程序來(lái)看下FLASH寫(xiě)入流程：

FLASH擦寫(xiě)操作無(wú)需SYSCONFIG的配置，可以直接調(diào)用函數(shù)來(lái)完成，每次執(zhí)行完成擦寫(xiě)操作的時(shí)候，F(xiàn)LASH的寫(xiě)保護(hù)寄存器都會(huì)置位，也就是自動(dòng)保護(hù)起來(lái)，所以下一次操作之前都需要重新解鎖。

執(zhí)行完成后，在keil中debug查找寫(xiě)入地址0x00001000的數(shù)據(jù)，已經(jīng)成功寫(xiě)入所有的數(shù)據(jù)。

配套例程為NVM，需要復(fù)制到SDK目錄下運(yùn)行。

審核編輯：劉清