6月29日，中國電科48所宣布，他們自主研制的8吋SiC外延設(shè)備首次亮相，并且已經(jīng)完成首輪工藝驗證。

在SEMICON China 2023上海展上，中國電科集團攜集成電路、第三代半導體、半導體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相，全面展示了最新實踐和成果。

展會期間，48所重磅發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備。該設(shè)備將進一步推進SiC電力電子器件制造降本增效，牽引SiC行業(yè)向低成本、規(guī)?；较虬l(fā)展。

48所黨委書記王平介紹，“當前主流的SiC單晶與外延生長還處于6吋階段，擴大尺寸成為產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的主要路徑。48所聚焦第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求和瓶頸問題，搶灘布局，奮力開展8吋SiC外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)突破及工藝研發(fā)，目前該設(shè)備已完成首輪工藝驗證，為48所駛?cè)隨iC產(chǎn)業(yè)‘快車道’打下了堅實基礎(chǔ)。”

經(jīng)過一年的技術(shù)攻關(guān)，48所研發(fā)團隊在6吋SiC外延設(shè)備基礎(chǔ)上，進一步優(yōu)化水平進氣裝置設(shè)計、熱壁式反應(yīng)室構(gòu)型等設(shè)計，克服了大尺寸外延生長反應(yīng)源沿程損耗突出、溫流場分布不均等問題，滿足了大尺寸、高質(zhì)量外延生長需求，實現(xiàn)了外延裝備從6吋到8吋的技術(shù)迭代。

目前，48所自研的8吋SiC外延設(shè)備核心技術(shù)指標取得了關(guān)鍵性突破，8英寸生長厚度均勻性＜1.5%，摻雜濃度均勻性＜4%，表面致命缺陷＜0.4個/cm2，這些技術(shù)指標的突破，標志著48所已成功掌握8吋SiC外延設(shè)備相關(guān)技術(shù)。

48所表示，作為我國半導體裝備領(lǐng)域的“國家隊”，他們將始終致力于半導體微細加工設(shè)備的技術(shù)研究，堅持在創(chuàng)新實踐中奮進領(lǐng)跑，加速推進產(chǎn)品迭代升級和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為實現(xiàn)我國半導體裝備領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)自立自強作出積極貢獻。

編輯：黃飛