“比最佳的傳統(tǒng)硅方案體積小40%，全新的高集成氮化鎵功率芯片帶來高頻、高效的電源方案，輕松滿足人工智能和邊緣計算的高能耗需求

加利福尼亞州托倫斯，2023年8月2日訊 —— 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）正式宣布推出最新CRPS185 3200W鈦金Plus服務器電源方案，超越了目前行業(yè)最嚴苛的80 Plus鈦金效率要求，將有效滿足人工智能背后的數(shù)據(jù)中心服務器日益增長的功率需求。

隨著OpenAI旗下ChatGPT、微軟旗下新版Bing AI和谷歌旗下Bard的應用興起，人工智能迅速滲透到了人們生活的方方面面。與之共同增長的，是類似英偉達旗下DGX GH200 'Grace Hopper'這樣的功耗高的AI處理器，其每個處理器的功耗需求也攀升至1600W，將每個機柜的功率規(guī)范從30-40kW提升到100kW。與此同時，全球?qū)?jié)能減排的關(guān)注以及最新的歐洲法規(guī)，都使得服務器電源必須超過80Plus的鈦金效率規(guī)范。

納微半導體為客戶提供了基于氮化鎵功率器件打造的服務器電源參考設計，極大地加速了客戶的開發(fā)過程，最大限度地縮短了上市時間，并通過GaNFast氮化鎵功率芯片在能源效率、功率密度和系統(tǒng)成本方面樹立了行業(yè)新標桿。這些系統(tǒng)平臺包括完整的設計支持材料，包括經(jīng)過全面測試的硬件、嵌入式軟件、原理圖、物料清單、布局、仿真和硬件測試結(jié)果。

基于此，納微推出了一款基于CRPS外形規(guī)格（該規(guī)格由有著Facebook、Intel、Google、Microsoft和Dell等公司參與的開放計算項目定義）的CRPS185 3200W鈦金Plus服務器電源解決方案。該方案能在僅為1U(40mm) x 73.5mm x 185mm (544cc)的尺寸下提供完整的3200W功率，實現(xiàn)5.9W/cm3，或接近100W/inch3的超高功率密度。與等效的傳統(tǒng)硅方案相比，尺寸縮小40%，并且輕松超過鈦金效率標準，在30%負載下效率可達到96.5%以上，在20%到60%負載范圍內(nèi)超過96%，創(chuàng)造了一個“鈦金Plus”的行業(yè)標桿，對于數(shù)據(jù)中心運營模型有著革命性的重要意義。

采用了交錯CCM圖騰柱PFC+全橋LLC的拓撲結(jié)構(gòu)，這款CRPS 185 電源解決方案選用了納微最新的650V氮化鎵功率芯片，集成了強大、高速的氮化鎵驅(qū)動器，解決了分立式氮化鎵敏感性和脆弱性問題。此外，GaNFast氮化鎵功率芯片還具備極低的開關(guān)損耗，高達800V的Vds瞬態(tài)電壓，以及低柵極電荷（Qg）、輸出電容（COSS）和無反向恢復損耗（Qrr）等高頻優(yōu)勢。氮化鎵的高開關(guān)速度減少了電源中無源元件的尺寸和數(shù)量，納微預估采用GaNFast氮化鎵功率芯片可節(jié)省LLC級系統(tǒng)材料成本的5%，每臺電源可在3年內(nèi)節(jié)省64美元（約人民幣460元）的電費。

相較于傳統(tǒng)鈦金方案，這款CRPS185 3200W鈦金Plus服務器電源在30%負載（服務器常年工作負載）下的效率高2%。因此，在實際應用中，以電源常規(guī)工作于30%負載計算，該電源相較于傳統(tǒng)鈦金電源可3年減少757度電，減少755kg二氧化碳排放，相當于303kg標準煤的使用，不僅能為數(shù)據(jù)中心客戶實現(xiàn)降本增效，還能助力實現(xiàn)節(jié)能減排的環(huán)保目標。

除數(shù)據(jù)中心服務器外，該鈦金Plus電源方案還可以廣泛運用于交換機/路由器電源，通信電源以及其他算力電源等應用中。

納微半導體

副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理

查瑩杰

“ChatGPT等AI應用的火熱僅僅只是一個開始，數(shù)據(jù)中心服務器的機柜功耗增長了2-3倍，來到了100kW，這使得用更小體積的電源提供更大的功率成為了未來發(fā)展的關(guān)鍵。

我們誠摯邀請電源設計師和系統(tǒng)架構(gòu)師與納微合作，一同探索如何通過高效率、高功率密度的產(chǎn)品路線圖，來經(jīng)濟高效、可持續(xù)地加速人工智能服務器的升級?！?/p>

關(guān)于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1000萬顆。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。

納微半導體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC、SiCPAK以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產(chǎn)品或服務的商標或注冊商標。