全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風扇電機驅(qū)動應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”兩個系列，共5款新機型。

近年來，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換 為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提高趨勢。此外，用來冷卻這些設(shè)備的風扇電機也使用的是48V系統(tǒng)電源，考慮到電壓波動，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅(qū)動，為了節(jié)省空間，對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下，ROHM采用新工藝開發(fā)出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的新系列產(chǎn)品。

新產(chǎn)品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻(Ron)* 3(Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比，導通電阻降低達56%，非常有助于進一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。另外，通過將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應(yīng)用設(shè)備進一步節(jié)省空間。例如HSOP8封裝的產(chǎn)品，如果替換掉兩枚單MOSFET(僅內(nèi)置1枚芯片的TO-252封裝)，可以減少77%的安裝面積。

目前，ROHM正在面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域擴大雙MOSFET的耐壓陣容，同時也在開發(fā)低噪聲產(chǎn)品。未來，將通過持續(xù)助力各種應(yīng)用產(chǎn)品進一步降低功耗并節(jié)省空間，為解決環(huán)境保護等社會問題不斷貢獻力量。

<產(chǎn)品陣容>

Nch+Nch 雙MOSFET

Nch+Pch 雙MOSFET

預(yù)計產(chǎn)品陣容中將會逐步增加40V、60V、80V、150V產(chǎn)品。

<應(yīng)用示例>

?通信基站用風扇電機

?FA設(shè)備等工業(yè)設(shè)備用風扇電機

?數(shù)據(jù)中心等服務(wù)器用風扇電機

<通過與預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合，為電機驅(qū)動提供更出色的解決方案>

ROHM通過將新產(chǎn)品與已具有豐碩實際應(yīng)用業(yè)績的單相和三相無刷電機用預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合，使電機電路板的進一步小型化、低功耗和靜音驅(qū)動成為可能。通過為外圍電路設(shè)計提供雙MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅(qū)動解決方案。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109645.html

與100V耐壓雙MOSFET相結(jié)合的示例

■HT8KE5(Nch+Nch 雙MOSFET)和BM64070MUV(三相無刷電機用預(yù)驅(qū)動器IC)

■HP8KE6(Nch+Nch 雙MOSFET)和BM64300MUV(三相無刷電機用預(yù)驅(qū)動器IC)等

<電商信息>

開始銷售時間：2023年8月起

網(wǎng)售平臺：Ameya360

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

<術(shù)語解說>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。被用作開關(guān)器件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET?？捎帽鹊陀谳斎腚妷旱偷碾妷?/p>

驅(qū)動，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。

Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏極與源

極之間的導通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*3) 導通電阻(Ron)

使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運行時的損耗(電力損耗)越少。

審核編輯 黃宇