據(jù)當(dāng)?shù)叵⑷耸糠Q，北京貝茵凱微電子有限公司（以下簡稱貝茵凱）今年8月中旬成功開發(fā)出“第7代高性能igbt”，將在12英寸晶片上上市。

貝茵凱成立于2022年5月，位于北京ic研究開發(fā)及總部基地，致力于先進功率器件的設(shè)計、開發(fā)、制造和相關(guān)產(chǎn)品的集成。核心產(chǎn)品是1.6美光fitch igbt第7代高性能硅芯片和mosfet硅電石芯片。貝茵凱創(chuàng)始組在電力半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗和豐富的研究開發(fā)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)資源。

據(jù)了解，貝茵凱的“第七代高性能igbt產(chǎn)品——12英寸晶片”采用先進技術(shù)，對傳統(tǒng)的igbt制造工程進行了優(yōu)化和改善，結(jié)構(gòu)進行了創(chuàng)新和調(diào)整。貝茵凱以汽車規(guī)格級芯片標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的大型芯片與現(xiàn)有處理器開發(fā)的芯片相比，可靠性提高了30%以上，適合各種惡劣的工作狀況。在產(chǎn)業(yè)用應(yīng)用領(lǐng)域也可以使用信賴性更高的車規(guī)級芯片。

12英寸晶片的面積約為8英寸晶片的2.25倍。這意味著12英寸晶片的容量將達(dá)到8英寸晶片的2.25倍。這樣，生產(chǎn)同樣工藝的芯片，12英寸晶片的利潤就會更高。

另外，第7代igbt采用了“微溝槽柵+場截止溝道”結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了更高的電力密度、細(xì)胞間間隔和寄生蟲容量變量，在5kv/us中具有最佳開關(guān)性能，并在175超負(fù)荷結(jié)著溫度下可控制dv/dt。第7代igbt vce （sat）比igbt4低20%，可實現(xiàn)最高175的過渡狀態(tài)接合溫度。

新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為中國國民經(jīng)濟運行的亮點。今年中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了“飛速發(fā)展”。1月至7月，新能源汽車產(chǎn)銷累計459.1萬輛和452.6萬輛，同比分別增長40%和41.7%。此外，以風(fēng)力、太陽能、能源儲存為代表的新型能源產(chǎn)業(yè)也占據(jù)世界領(lǐng)先地位。上述產(chǎn)業(yè)的飛躍發(fā)展，引發(fā)了對大功率，高可靠性igbt芯片的大量需求。

熟識的人的內(nèi)部情況據(jù)介紹，貝茵凱是這次1200v 200a斯特里默用igbt產(chǎn)品進入了批量生產(chǎn)的階段，多家大型客戶樣品進行了測試，反饋非常好，電力行業(yè)和能源存儲行業(yè)龍頭企業(yè)獲得的訂單?！绷硗?，獨立開發(fā)的第7代1700v igbt芯片和1700v硅電石mosfet芯片也已準(zhǔn)備好串流。貝恩凱獨自開發(fā)的第7代igbt芯片能夠切實滿足新能源業(yè)界對高功率、高信賴性igbt芯片的迫切需要。