國(guó)產(chǎn)IGBT單管新品，采用飛虹半導(dǎo)體第七代場(chǎng)截止（Trench Field Stop VII ）技術(shù)工藝設(shè)計(jì)，能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。使產(chǎn)品具有極低的VCE（sat）和極短的拖尾電流，為終端設(shè)計(jì)師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時(shí)提供有力的幫助。

它就是FHA75T65V1DL型號(hào)IGBT單管，它不僅更廣泛適用于太陽(yáng)能逆變器、UPS、變頻器、電焊機(jī)以及所有硬開(kāi)關(guān)。

而且產(chǎn)品擁有良好的短路性能，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域處理突發(fā)事件提供充足的裕量。

因此如果要考慮選擇能代換NCE75ED65VT 、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7這五款型號(hào)參數(shù)的國(guó)產(chǎn)IGBT單管。建議可以了解這一款第七代IGBT單管新品：FHA75T65V1DL型號(hào)。

FHA75T65V1DL作為飛虹半導(dǎo)體第七代場(chǎng)截止（Trench Field Stop VII ）技術(shù)IGBT，可提供TO-247-3L封裝外形。其參數(shù)不僅能達(dá)650V電壓、75A電流，具有參數(shù)一致性高的特點(diǎn)，而且無(wú)鉛，滿(mǎn)足ROHS環(huán)保要求。

下述將圍繞FHA75T65V1DLIGBT的產(chǎn)品特點(diǎn)、友商參數(shù)對(duì)比、推薦應(yīng)用范圍、部分典型特性曲線(xiàn)來(lái)介紹：

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、第七代場(chǎng)截止技術(shù)產(chǎn)品

2、參數(shù)一致性高

3、高速開(kāi)關(guān)，低開(kāi)關(guān)損耗

4、最高結(jié)溫Tjmax = 175°C

5、低飽和壓降VCEsat = 1.55V(typ.) @ IC = 75 A

6、擁有正溫度系數(shù)

7、合封了快恢復(fù)二極管

8、無(wú)鉛，滿(mǎn)足ROHS環(huán)保要求

友商參數(shù)對(duì)比

FHA75T65V1DLIGBT與NCE75ED65VT、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7五款競(jìng)品相比，其產(chǎn)品具有極低的VCE（sat）和極短的拖尾電流，為終端設(shè)計(jì)師在優(yōu)化系統(tǒng)效率時(shí)提供有力的幫助。值得作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的新產(chǎn)品使用。

推薦應(yīng)用范圍

（1）逆變器

（2）變頻器

（3）電焊機(jī)

（4）UPS不間斷電源

（5）戶(hù)外儲(chǔ)能電源

部分典型特性曲線(xiàn)

半導(dǎo)體領(lǐng)域在不斷更新迭代，我們可以做好的事情就是不斷強(qiáng)化自身供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。讓中國(guó)產(chǎn)品更具備競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)于不知道如何選擇IGBT單管的問(wèn)題。建議工程師們可以看看飛虹半導(dǎo)體的這一款FHA75T65V1DL型號(hào)參數(shù)。

試樣才能驗(yàn)證是否如文章所說(shuō)的數(shù)據(jù)效果，國(guó)產(chǎn)IGBT單管給您驚喜。

飛虹半導(dǎo)體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售，給廠(chǎng)家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行量身定制IGBT單管產(chǎn)品。