MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強型隔離等級，主要應用于強弱電隔離的電氣系統(tǒng)中，能利用簡單的設計輕松保護操作人員的人身安全，并提高設備可靠性及使用壽命，應對強電對信號的干擾時也能有效防止對信號鏈的干擾，維護系統(tǒng)穩(wěn)定運行。

MD18011X作為光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器，具有4A拉電流和7A灌電流能力，主要用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。其采用了自主開發(fā)的磁隔離技術，等級高達5700VRMS以上。相比于傳統(tǒng)的光耦型柵極驅(qū)動器，MD18011X工作壽命更長，CMTI≥200kV/us以上，耐負壓能力更高，UVLO恢復更快，脈沖寬度失真更小等優(yōu)點。

一、型號列表

二、功能框圖

MD18011X功能框圖

三、產(chǎn)品功能

≥200kV/us的高CMTI能力

-16V的輸入級耐負壓能力

6us的UVLO超快恢復響應能力

40年以上的隔離柵壽命

4A拉/7A灌的輸出峰值電流能力

30V的供電電壓更容易使用正負電壓驅(qū)動IGBT及SiC MOSFET

80ns（典型值）傳輸延時

30ns（最大）脈沖寬度失真

5V(A)/8V(B)/12V(C)VCC欠壓保護閾值

SOW-6封裝電氣間隙及爬電距離大于8.5mm

5700VRMS的隔離等級

四、重點功能介紹

1、≥200kV/us的高CMTI能力

隨著電力電子系統(tǒng)往更高電壓更高頻率的方向發(fā)展，以及SiC MOSFET的廣泛使用，系統(tǒng)的dv/dt大幅上升，這對隔離類產(chǎn)品的抗干擾能力(CMTI)提出了更高的要求。為此，茂睿芯研發(fā)團隊開發(fā)了全新自主的磁隔離技術，大幅提高茂睿芯隔離類產(chǎn)品的抗干擾能力，采用了該磁隔離技術的MD18011X，其CMTI能力達到200kV/us以上，在靜態(tài)CMTI條件下輸出也完全不受影響，而動態(tài)CMTI條件下能做到對脈寬的影響小于30ns，在同類型的隔離驅(qū)動產(chǎn)品中脈寬失真度最小。

MD18011B動態(tài)CMTI測試結(jié)果示意圖

2、-16V的高輸入級耐負壓能力

為了提高MD18011X在使用時的靈活性和可靠性，茂睿芯研發(fā)團隊給MD18011X輸入級設計了高達-16V以上的耐負壓能力。一是為了使其具備輸入級耐負壓能力，輕松實現(xiàn)單通道隔離驅(qū)動器在半橋應用過程中的死區(qū)互鎖能力；二是當其耐負壓能力高達-16V以上的情況下，在設計輸入級buffer供電時，可更加靈活地使用系統(tǒng)上的輔助電源，不會輕易受到電壓限制。

3、6us的UVLO超快恢復響應能力

在半橋電路中，如果上管采用的是自舉電路供電，上管的VCC電容需要在下管動作幾個周期后才能達到UVLO恢復電平，整個過程系統(tǒng)只有下管在動作，系統(tǒng)處于非對稱工作狀態(tài)。為了減小系統(tǒng)的非對稱工作時間，MD18011X的UVLO恢復響應時間低至6us，使得VCC完成充電后，OUT可以更快的參與工作。

MD18011B UVLO測試結(jié)果與友商對比示意圖

4、40年以上的高隔離柵工作壽命

MD18011X所使用的磁隔離技術，是不再依賴芯片上的高壓隔離電容所形成的安規(guī)隔離，而是以其可靠的封裝形式。經(jīng)實測，MD18011X隔離柵在14kVRMS條件下持續(xù)耐受60s也不會損壞，可保證在VIORM（最大重復峰值隔離電壓）條件下的工作壽命達40年以上，同時也避免了片上高壓電容隔離帶來的潛在風險（片上高壓隔離電容會隨著芯片意外燒壞而同步損壞，從而造成隔離等級下降）。

五、典型應用

茂睿芯MD18011X單通道隔離驅(qū)動器系列產(chǎn)品憑借其特色的隔離技術、更高CMTI能力、更高耐負壓能力，更快UVLO恢復、更小脈沖寬度失真，以及更貼近客戶的服務已獲得多家試樣客戶的好評和青睞，如需知曉更多，可聯(lián)系我們申請樣品。

如您在使用隔離驅(qū)動產(chǎn)品上存在困擾，也歡迎隨時聯(lián)系我們，茂睿芯愿意用優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和全面的服務同您一起迎接挑戰(zhàn)！

審核編輯：湯梓紅