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一款針對(duì)高端點(diǎn)電流檢測(cè)的芯片-FP135

芯片中的小秘密 ? 來(lái)源:芯片中的小秘密 ? 作者:芯片中的小秘密 ? 2024-01-02 09:58 ? 次閱讀
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image.png

對(duì)于大部分應(yīng)用,都是通過(guò)感測(cè)電阻兩端的壓降測(cè)量電流

image.png

一般使用電流通過(guò)時(shí)的壓降為數(shù)十mV~數(shù)百mV的電阻值,電流檢測(cè)用低電阻器使用數(shù)Ω以下的較小電阻值;測(cè)量電流時(shí),通常會(huì)將電阻放在電路中的兩個(gè)位置。

第一個(gè)位置是放在電源與負(fù)載之間。這種測(cè)量方法稱(chēng)為高側(cè)感測(cè)。

通常放置感測(cè)電阻的第二個(gè)位置是放在負(fù)載和接地端之間。這種電流感測(cè)方法稱(chēng)為低側(cè)電流感測(cè)。

image.png

兩種測(cè)量方法各有利弊,低邊電阻在接地通路中增加了不希望的額外阻抗;

采用高側(cè)電阻的電路必須承受相對(duì)較大的共模信號(hào)。

低側(cè)電流測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)之一是共模電壓,即測(cè)量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設(shè)計(jì)應(yīng)用電路,也便于選擇適合這種測(cè)量的器件。

低側(cè)電流感測(cè)電路測(cè)得的電壓接近于地,在處理非常高的電壓時(shí)、或者在電源電壓可能易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應(yīng)用中, 優(yōu)先選擇這種方法測(cè)量電流

由于低側(cè)電流感測(cè)能夠抗高壓尖峰干擾,并能監(jiān)測(cè)高壓系統(tǒng)中的電流。

負(fù)載電流(IS)從電源流出,并在感測(cè)電阻(RS)處產(chǎn)生電壓差(VIN+ - VIN-)。假設(shè)內(nèi)部MOSFET漏電流與源電流(IO)相同,且VIP非常接近,則FP135傳遞函數(shù)為:image.png

(VIN+ - VIN-)等于IS×RS,輸出電壓(OUT)等于IO x RL。本應(yīng)用中高端點(diǎn)電流測(cè)量的最終傳遞函數(shù)為:image.png

需要注意的是:

(RG1=RG2)必須小于或等于1KΩ,這可以減少輸出偏差。

VCC、VIP和VIN的最小工作電壓為3.3V。如果這些電源電壓低于3.3V,則FP135輸出處的傳遞函數(shù)就不再適用。

VIP和VIN之間的最大電壓差為±6V。如果(VIP-VIN)超過(guò)±6V,則會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。

電容器不能從VIP腳和VIN腳接地。

下圖顯示了一種延遲轉(zhuǎn)換時(shí)間的簡(jiǎn)單方法。當(dāng)感應(yīng)電阻(RS)發(fā)生瞬態(tài)電壓時(shí),集成電路將改變?cè)措娏鳎↖O)改為輸出端,并在輸出端產(chǎn)生電壓變化。RC電路將在輸出更改期間延遲一段時(shí)間。

image.png

這個(gè)是FP135的PCB

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審核編輯 黃宇

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